Modules de puissance à rendement élevé et faible encombrement
Ces dispositifs, disponibles en boîtiers Q1 et Q2 pour les onduleurs de 30 KW et 50 KW, intègrent des IGBT « trench » et des diodes à récupération rapide, qui réduisent les pertes de conduction et de commutation, tout en permettant aux concepteurs de faire des compromis entre une tension VCE(SAT) faible et de faibles pertes EON / EOFF, afin d’optimiser au mieux la performance du circuit. Le substrat DBC (Direct Bond Copper) permet un fonctionnement à courant élevé avec un minimum d’effets parasites, ce qui donne la possibilité d’atteindre des vitesses de commutation élevées, associées à un isolement de 3kVeff et à une distance de fuite de 12,7 mm. Par ailleurs, la société ON a annoncé le nouveau FDMF3170, un module SPS (Smart Power Stage) multi-puces, ultra-compact et entièrement optimisé pour les convertisseurs abaisseurs DC-DC utilisés dans les serveurs, les centres de données, les accélérateurs d’intelligence artificielle et les équipements de télécommunications. Il intègre deux MOSFET de puissance ON Semiconductor hautes performances à technologie PowerTrench, et un driver intelligent doté d’un capteur de courant de haute précision, pour optimiser les performances du processeur.
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