Microchip continue à étendre son portefeuille de composants de puissance RF GaN
Ces composants associent un haut rendement en puissance ajoutée (PAE, Power-Added Efficiency) et une forte linéarité pour fournir de nouveaux niveaux de performance dans des applications allant de la 5G aux appareils électroniques, en passant par les communications satellites, les applications commerciales, les systèmes de radar militaire et les équipements de test.
Comme tous les produits de puissance RF GaN de Microchip, ces composants sont fabriqués à partir d’une technologie « GaN sur carbure de silicium » qui offre la meilleure combinaison pour une densité de puissance et un rendement élevés, ainsi qu’un fonctionnement haute tension et une longévité supérieure à 1 million d’heures à une température de jonction de 255 °C. Ils intègrent des circuits intégrés monolithiques micro-ondes (MMIC) couvrant les plages de fréquence de 2 à 18 GHz, de 12 à 20 GHz et de 12 à 20 GHz, avec une puissance de sortie RF au point de compression de 3 dB (P3dB) jusqu’à 20 W et une efficacité jusqu’à 25 %. Ils sont également dotés d’amplificateurs MMIC GaN, sous forme de composants nus ou encapsulés, pour la bande S ou X, avec un PAE allant jusqu’à 60 %, ainsi que de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) discrets, couvrant du CC à 14 GHz, avec une puissance de sortie RF P3dB allant jusqu’à 100 W et une efficacité maximale de 70 %.
« Microchip continue d’investir dans sa famille de produits RF GaN pour permettre le développement de toute application à toute fréquence, depuis les micro-ondes jusqu’aux ondes millimétriques. Notre portefeuille de produits comprend plus de 50 composants, depuis les niveaux de puissance les plus faibles jusqu’à 2,2 kW », explique Leon Gross, vice-président du département des produits discrets chez Microchip. « Ensemble, les produits annoncés aujourd’hui couvrent la plage de 2 à 20 GHz et sont conçus pour répondre aux problèmes de linéarité et d’efficacité posés par les techniques de modulation d’ordre supérieur utilisées pour la 5G et pour d’autres réseaux non filaires, ainsi qu’aux besoins spécifiques des communications satellites et des applications militaires. »
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