L’UE approuve une aide de 2 G€ pour la ligne SiC de 200 mm de ST
La Commission européenne a approuvé aujourd’hui une subvention de 2 milliards d’euros pour l’usine intégrée de carbure de silicium de 200 mm que ST Microelectronic est en train de construire à Catane, en Sicile.
La ligne de production SiC 200mm à haut volume de ST à Catane, d’une valeur de 5 milliards d’euros, est entièrement intégrée, depuis les matériaux SiC jusqu’aux puces et modules de puissance. Elle devrait être pleinement opérationnelle d’ici 2033 pour produire 15 000 plaquettes par semaine et fait suite à une ligne pilote construite l’année dernière.
Le financement exige que ST mette en œuvre des commandes classées prioritaires en cas de pénurie d’approvisionnement, conformément à la loi sur les puces électroniques de l’UE, et garantisse que le projet ne sera pas soumis à des restrictions par d’autres pays, ou à « l’application extraterritoriale d’obligations de service public imposées par un pays tiers ».
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Le campus du carbure de silicium intégrera toutes les étapes du flux de production, y compris le développement du substrat SiC, les processus de croissance épitaxiale, la fabrication de plaquettes de 200 mm en amont et l’assemblage de modules en aval, ainsi que la R&D sur les processus, la conception des produits, les laboratoires de R&D avancés pour les matrices, les systèmes d’alimentation et les modules, et les capacités de packaging complètes. Il s’agira d’une première en Europe pour la production de masse de plaquettes de SiC de 200 mm, chaque étape du processus – substrat, épitaxie et partie frontale, et partie finale – utilisant des technologies de 200 mm pour des rendements et des performances accrus.
« Les capacités entièrement intégrées mises en œuvre par le Campus du carbure de silicium de Catane contribueront de manière significative au leadership technologique de ST dans le domaine du carbure de silicium pour les clients des secteurs automobile et industriel au cours des prochaines décennies « , a déclaré Jean-Marc Chery, président-directeur général de STMicroelectronics. « L’échelle et les synergies offertes par ce projet nous permettront de mieux innover grâce à une capacité de fabrication à grand volume, au profit de nos clients européens et mondiaux qui passent à l’électrification et recherchent des solutions plus efficaces sur le plan énergétique pour atteindre leurs objectifs de décarbonisation. »
La subvention pour la ligne SiC intégrée est accordée par le gouvernement italien dans le cadre de la loi sur les puces de l’UE.
Le projet s’appuie sur des technologies qui ont été et seront développées dans le cadre des projets importants d’intérêt européen commun (« IPCEI ») pour la recherche et l’innovation en microélectronique approuvés par la Commission en décembre 2018 et en juin 2023. Le 4 mars 2024, ST a demandé la reconnaissance du campus de Catane en tant qu’installation de production intégrée au titre de la loi européenne sur les puces. Ce processus est indépendant de l’évaluation des aides d’État.
L’approbation d’aujourd’hui est le troisième accord de ce type. Le 5 octobre 2022, la Commission a approuvé une mesure italienne visant à soutenir ST dans la construction et l’exploitation d’une usine de fabrication de plaquettes de SiC à Catane utilisant la technologie de 150 mm. En avril 2023, la Commission a approuvé une mesure d’aide française de 2,9 milliards d’euros pour aider ST et GlobalFoundries à agrandir l’usine de Crolles.
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« La mesure italienne de 2 milliards d’euros approuvée aujourd’hui soutient une installation intégrée unique pour les puces en carbure de silicium. Elle renforcera la chaîne d’approvisionnement européenne en semi-conducteurs et garantira notre accès à une source fiable de puces à haut rendement énergétique utilisées, par exemple, dans les véhicules électriques et les bornes de recharge. Cela soutiendra nos transitions numérique et écologique et contribuera à créer des emplois hautement qualifiés, tout en limitant les éventuelles distorsions de concurrence », a déclaré Margrethe Vestager, vice-présidente exécutive chargée de la politique de concurrence.
ST fabrique actuellement des composants SIC sur deux lignes à haut volume, sur deux lignes de plaquettes de 150 mm à Catane (Italie) et à Ang Mo Kio (Singapour). Un troisième centre est une coentreprise avec Sanan Optoelectronics, avec une ligne de 200 mm en construction à Chongqing pour desservir le marché chinois.
Les installations de production de plaquettes sont soutenues par des opérations d’assemblage et de test à haut volume, qualifiées pour l’automobile, à Bouskoura au Maroc et à Shenzhen en Chine. La R&D et l’industrialisation des substrats SiC sont entreprises à Norrköping, en Suède, à la suite de l’acquisition de Norstel par ST, et à Catane.
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Les pratiques durables font partie intégrante de la conception, du développement et de l’exploitation du campus Silicon Carbide de Catane, afin de garantir une consommation responsable des ressources, notamment de l’eau et de l’électricité.
ST destine les composants MOSFET SiC vendus sous forme de pice nue et de modules SiC complets aux véhicules électriques, aux infrastructures de recharge rapide, aux énergies renouvelables et à diverses applications industrielles, y compris les centres de données, prenant en charge des tensions de 1200 V et plus. Toutefois, les puces SiC sont plus difficiles et plus coûteuses à fabriquer que les puces en silicium, et de nombreux défis doivent être relevés pour industrialiser le processus de fabrication, d’où la nécessité d’une ligne entièrement intégrée, du lingot de SiC au composant final.
Catane dispose d’un écosystème bien établi dans le domaine de l’électronique de puissance, avec notamment une collaboration fructueuse à long terme entre ST, l’université de Catane et le CNR (Conseil national de la recherche italien), ainsi qu’un vaste réseau de fournisseurs. L’investissement renforcera le rôle de Catane en tant que centre de compétence mondial pour la technologie SiC et offrira d’autres possibilités de croissance.
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