Le CoolGaN BDS d’Infineon booste les micro-onduleurs Enphase
Infineon Technologies a annoncé qu’ elle apportait sa dernière technologie de commutation bidirectionnelle CoolGaN aux tout nouveaux micro-onduleurs de la série IQ9 d’Enphase Energy, marquant ainsi une avancée significative dans les performances solaires commerciales. Selon la société, cette collaboration renforce la position des deux entreprises sur un marché solaire en pleine expansion, tout en soulignant le rôle croissant du GaNdans l’électronique de puissance de la prochaine génération.
Pour les lecteurs d’ECInews – qu’ils travaillent sur les étages de puissance photovoltaïque, la conception à large bande passante ou les systèmes énergétiques de nouvelle génération – cette nouvelle offre un aperçu de la façon dont les architectures GaN bidirectionnelles commencent à remodeler la conception de l’onduleur, l’efficacité et l’économie de l’installation.
La technologie GaN BDS vise les installations solaires et commerciales à haut rendement
La technologie CoolGaN de commutateur bidirectionnel (BDS) d’Infineon permet une conversion d’énergie à un seul étage en remplaçant plusieurs commutateurs unidirectionnels par un seul composant capable d’un flux d’énergie bidirectionnel. Pour Enphase, cela se traduit directement par une puissance de sortie plus élevée, un meilleur rendement et une architecture système simplifiée dans la nouvelle série IQ9 – y compris le micro-onduleur commercial IQ9N-3P™ destiné aux grandes installations.
Les entreprises affirment que ce changement de conception permet de réduire la complexité du système, le temps d’installation et les coûts de l’équilibre du système – des facteurs importants pour accélérer l’adoption du marché commercial. « En tant que leader du marché des semi-conducteurs de puissance, Infineon maîtrise tous les matériaux pertinents : le silicium (Si), le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium », a déclaré Adam White, président de la division Power & Sensor Systems d’Infineon. « Le développement de la technologie GaN est un élément clé de notre vision, qui consiste à offrir les solutions de semi-conducteurs de puissance les plus efficaces à des entreprises telles qu’Enphase, afin de créer des applications performantes et efficaces pour favoriser l’adoption généralisée des systèmes photovoltaïques (PV). Avec Enphase, nous poursuivons notre voyage pour favoriser la décarbonisation et réduire la dépendance du monde à l’égard des combustibles fossiles. »
Les composants BDS GaN offrent des améliorations notables en termes de performances, Infineon faisant état de pertes réduites de 68 % par rapport au silicium et de performances améliorées de 42 % par rapport aux commutateurs unidirectionnels GaN conventionnels. Ces gains sont de plus en plus importants car les fabricants d’onduleurs recherchent une plus grande densité de puissance, la fiabilité du système et la flexibilité de l’installation.
Enphase s’étend à des marchés commerciaux plus vastes
Pour Enphase, la transition vers le GaN bidirectionnel ouvre de nouveaux segments d’application. « L’utilisation de la technologie de commutation bidirectionnelle CoolGaN d’Infineon nous permet de desservir un segment beaucoup plus important du marché commercial avec nos micro-onduleurs de la série IQ9 « , a déclaré Ron Swenson, vice-président senior des opérations chez Enphase Energy. « Ce travail d’équipe souligne notre engagement en faveur de l’innovation continue dans l’industrie de l’énergie solaire. Nous sommes enthousiasmés par les gains de performance permis par la technologie GaN et nous nous réjouissons d’approfondir notre partenariat à long terme avec Infineon. »
Micro-onduleurs de la série IQ9 d’Enphase (Source : Infineon)
L’entreprise note que l’efficacité et la puissance de sortie accrues contribuent à positionner la série IQ9 non seulement pour les toits résidentiels, mais aussi pour les déploiements commerciaux où l’évolutivité et la fiabilité sont essentielles.
Positionné sur un marché mondial de l’énergie photovoltaïque en forte croissance
Cette annonce intervient dans un contexte d’accélération de l’expansion de l’énergie solaire au niveau mondial. L’énergie solaire photovoltaïque a généré environ 7 % de l’électricité mondiale en 2024, et l’AIE prévoit plus de 5 500 GW de nouvelles capacités renouvelables entre 2024 et 2030, dont 80 % proviendront de l’énergie solaire photovoltaïque. Avec des composants à large bande passante permettant des rendements plus élevés et des coûts de système plus faibles, le GaN est prêt à jouer un rôle central dans cette croissance.
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