Infineon simplifie l’adoption du GaN avec sa nouvelle famille CoolGaN Drive HB 600 V G5 à demi‑pont intégré
Une nouvelle génération de modules GaN intégrés pour accélérer les conceptions d’alimentations compactes
Infineon Technologies enrichit son portefeuille CoolGaN avec la nouvelle famille CoolGaN Drive HB 600 V G5, composée de quatre références : IGI60L1111B1M, IGI60L1414B1M, IGI60L2727B1M et IGI60L5050B1M.
Ces dispositifs intègrent dans un seul composant :
- deux transistors GaN 600 V en demi‑pont,
- drivers high‑side & low‑side,
- diode bootstrap intégrée.
Résultat : une étage de puissance compact, optimisé thermiquement, qui réduit fortement les composants externes et simplifie la mise en page PCB — un point critique pour les applications GaN à très haute vitesse de commutation.
Objectif : réduire la complexité et accélérer le passage au GaN
L’intégration avancée proposée par Infineon aide les concepteurs à :
- réduire les inductances de parasites,
- limiter les contraintes de routage critiques,
- atteindre des fréquences élevées en gardant des pertes faibles,
- gagner en densité de puissance,
- réduire les délais de développement.
Comme l’explique Johannes Schoiswohl, responsable de la Business Line GaN : « Ces solutions intégrées associent la vitesse du GaN à une robustesse et une facilité d’utilisation qui permettent aux ingénieurs de concevoir plus vite, plus compact, et plus efficace. »
Idéal pour les alimentations compactes, systèmes motorisés et conversion avancée
La famille cible :
- les systèmes d’entraînement moteur basse puissance,
- les SMPS (Switched Mode Power Supplies),
- les systèmes d’alimentation haute densité et résistance thermique sévère.
Caractéristiques clés :
- commutation ultra rapide avec 98 ns de délai de propagation,
- synchronisation précise et très faible mismatch,
- entrée PWM standard compatible avec les logiques classiques,
- alimentation driver unique 12 V,
- récupération UVLO très rapide pour une robustesse accrue lors des transitoires.
Robustesse thermique grâce au boîtier TFLGA‑27 6 × 8 mm²
Le boîtier TFLGA‑27 avec pads exposés :
- améliore l’évacuation thermique,
- permet des conceptions sans dissipateur dans de nombreuses applications,
- réduit l’encombrement au PCB.
Un bloc de puissance optimisé pour industrialiser le GaN
La série CoolGaN Drive HB 600 V G5 offre aux ingénieurs :
- un étage de puissance cohérent et déjà optimisé,
- une réduction du risque lié aux oscillations haute fréquence,
- une intégration plus sûre et plus prévisible de la technologie GaN.
En combinant technologie GaN, drivers intégrés, expertise en conversion de puissance et packaging optimisé, Infineon renforce son rôle majeur dans l’écosystème GaN.
L’adoption du GaN s’accélère dans les alimentations compactes, les motorisations basse puissance et les architectures haute densité. Les nouveaux modules CoolGaN Drive :
- réduisent le temps de conception,
- simplifient le routage PCB,
- offrent des performances précises et reproductibles,
- augmentent la densité de puissance et l’efficacité globale.
Une solution clé pour les ingénieurs cherchant à exploiter la puissance du GaN sans complexité excessive.
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