Inductances de puissance blindées pour PMIC DDR5
Bourns a développé deux inductances de puissance blindées avec un noyau nanocristallin pour réduire les pertes de puissance dans les systèmes de mémoire DDR5.
Les inductances de puissance blindées des séries SRP2512CL et SRP3212CL ont une faible résistance AC (ACR) et une faible résistance DC (DCR) pour répondre aux dernières spécifications de la technologie de mémoire DDR5 telles que celles des circuits intégrés de gestion de puissance DDR5 (PMIC) et des modules DDR5 clients dans les PC de bureau, les ordinateurs portables et les tablettes.
Les inductances des séries SRP2512CL et SRP3212CL sont fabriquées avec une construction blindée pour un faible rayonnement de champ magnétique et un noyau nanocristallin pour supporter un courant élevé avec un faible bruit de bourdonnement. Bourns a développé la nouvelle technique de construction de poudre nanocristalline et l’a combinée avec les dernières technologies de fabrication d’inducteurs.
Les inductances ont une plage de température de fonctionnement de -40 à +125 °C, et une plage d’inductance allant jusqu’à 1,5 microhenries (µH). Ils sont disponibles en boîtiers 3030 et 2520.
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