Diodes SiC à barrière Schottky 1700 V à commutation rapide
Ces diodes offrent aux concepteurs de systèmes électroniques de puissance une vaste palette d’avantages en termes de performances, notamment un courant de recouvrement inverse négligeable, une résistance élevée aux surtensions et une température de jonction maximale en fonctionnement de 175°C, ce qui en fait des solutions idéales pour les applications exigeant un rendement, une fiabilité et une gestion thermique élevés.
« L’utilisation de diodes SiC dans les systèmes d’alimentation à la place de diodes reposant sur la technologie silicium propriétaire aide les concepteurs à développer des convertisseurs de puissance plus efficaces afin d’économiser l’énergie et de réduire les coûts liés au refroidissement des composants électroniques de puissance », déclare Francois Perraud, Product Marketing Manager, SiC Products chez Littelfuse. « Elles permettent de concevoir des composants électroniques de puissance à commutation plus rapide dans les convertisseurs, lesquels peuvent gagner en compacité à puissance de sortie égale ou embarquer plus de puissance dans un volume égal. »
Disponibles en boîtiers TO-247-2L, les diodes Schottky SiC LSIC2SD170Bxx offrent un coefficient thermique positif de la tension de passage pour un fonctionnement sûr et un montage en parallèle facilité. Leur commutation extrêmement rapide est indépendamment de la température. Par ailleurs, les pertes de commutation sont réduites par rapport aux diodes Si bipolaires.
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