Diodes Schottky SiC 650V Haute Performance pour Applications de Commutation de Puissance
Diodes Incorporated annonce l’expansion de son portefeuille de produits en carbure de silicium (SiC) avec une série de cinq diodes Schottky SiC 650V à haute performance et faible facteur de mérite (FOM). Les diodes de la série DSCxxA065LP, disponibles en versions 4A, 6A, 8A, 10A et 12A, sont logées dans un boîtier T-DFN8080-4 ultra-efficace thermiquement et sont conçues pour des applications de commutation de puissance à haute efficacité, telles que la conversion DC-DC et AC-DC, les énergies renouvelables, les centres de données (notamment ceux traitant des charges de travail lourdes en intelligence artificielle), et les entraînements de moteurs industriels.
Les diodes Schottky SiC de cette série se distinguent par leur figure de mérite (FOM) leader dans l’industrie, calculée comme FOM=QC×VF, grâce à des pertes de commutation négligeables, l’absence de courant de recouvrement inverse et une faible charge capacitive (QC). Leur faible tension directe (VF) minimise les pertes de conduction, améliorant ainsi l’efficacité énergétique globale. De plus, elles présentent la plus faible fuite inverse (IR) de l’industrie, à 20µA (max.), ce qui réduit la dissipation thermique et les pertes de conduction, améliorant la stabilité et la fiabilité du système.
Ces diodes SiC haute performance sont idéales pour les circuits de commutation à haute vitesse. Leur boîtier compact et à profil bas T-DFN8080-4, avec un grand pad thermique inférieur, réduit la résistance thermique et nécessite moins d’espace sur la carte, augmentant ainsi la densité de puissance et réduisant la taille globale de la solution et le budget de refroidissement. Les diodes DSC04A065LP, DSC06A065LP, DSC08A065LP, DSC10A065LP et DSC12A065LP sont disponibles à des prix compétitifs pour des quantités de 2 500 pièces, ce qui les rend adaptées à une large gamme d’applications industrielles et commerciales.
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