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Diodes Schottky SiC 1200V à faibles pertes de commutation et rendement élevé

Diodes Schottky SiC 1200V à faibles pertes de commutation et rendement élevé

Nouveaux produits |
Par Alain Dieul



Par rapport aux diodes de puissance silicium classiques, ces diodes réduisent considérablement les pertes de commutation, tout en améliorant le rendement et la fiabilité, et en présentant une charge capacitive plus faible. Les applications de ces diodes Schottky SiC GEN2 sont notamment la correction de facteur de puissance, les étages d’atténuation ou d’amplification des convertisseurs continu-continu, le découplage dans les alimentations à découpage ou le redressement haute-fréquence, dans des domaines comme l’énergie solaire, la commande industrielle, les équipements de soudage ou de découpe plasma, ou les stations de recharge de véhicules électriques ou hybrides.

L’architecture de ces nouvelles diodes Schottky au carbure de silicium assure une plus grande résistance aux surintensités et un courant de fuite très faible, ce qui améliore le rendement et la densité de puissance des convertisseurs tout en réduisant les coûts.

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