Diodes Incorporated lance un MOSFET 100 V PowerDI 8080 5 à très faible RDS(on) pour systèmes automobiles 48 V haute efficacité
Une nouvelle référence en densité de puissance et rendement pour l’électromobilité
Diodes Incorporated élargit son portefeuille de MOSFET automobiles PowerDI 8080‑5 avec l’introduction d’un MOSFET 100 V à RDS(on) ultra‑faible, établissant une nouvelle référence du marché pour les architectures 48 V automobiles.
Cette annonce s’accompagne également de nouveaux MOSFET 40 V à 80 V, tous logés dans un boîtier compact 8 mm × 8 mm à pattes gullwing, optimisé pour réduire les pertes par conduction, la génération thermique et améliorer le rendement global.
Ces composants sont conçus pour des applications exigeantes telles que :
- moteurs BLDC,
- convertisseurs DC‑DC,
- systèmes de direction et de freinage électriques,
- chargeurs embarqués (OBC),
- interrupteurs de déconnexion batterie,
sur véhicules BEV, HEV et ICE.
MOSFETs optimisés pour chaque tension automobile
100 V – DMTH10H1M7SPGWQ
- RDS(on) max. 1,5 mΩ,
- idéal pour moteurs BLDC 48 V,
- applications critiques de sécurité (direction, freinage).
80 V – DMTH81M2SPGWQ
- alternative haute puissance pour systèmes 48 V.
60 V – DMTH6M70SPGWQ
- optimisé pour architectures 24 V industrielles/automobiles.
40 V – DMTH4M40SPGWQ
- RDS(on) max. 0,4 mΩ, l’un des plus faibles du marché,
- moteurs 12 V et DC‑DC compacts.
40 V logique – DMTH4M40LPGWQ
- RDS(on) 0,64 mΩ @ VGS = 4,5 V,
- compatible commandes microcontrôleur,
- applications à faible tension sans compromis thermique.
Boîtier PowerDI 8080‑5 : compacité, robustesse et industrialisation
Le boîtier PowerDI8080‑5 offre des avantages majeurs :
- 64 mm² d’empreinte PCB (≈ 40 % d’un D2PAK TO‑263),
- hauteur hors carte 1,7 mm,
- idéal pour designs compacts et haute densité.
Grâce au bonding cuivre par clip, la résistance thermique RthJC atteint 0,3 °C/W, autorisant :
- des courants de drain jusqu’à 847 A,
- une dissipation thermique exceptionnelle sans risque de défaillance.
Les pattes gullwing permettent :
- une inspection AOI fiable,
- une excellente tenue aux cycles thermiques,
- une industrialisation robuste conforme aux exigences automobiles.
L’automobile évolue vers des architectures 48 V, où chaque milliohm compte.
Ces nouveaux MOSFET PowerDI 8080‑5 permettent :
- des pertes de conduction minimales,
- une efficacité maximale,
- une miniaturisation accrue,
- une meilleure robustesse thermique et mécanique,
- un passage facilité à la production de masse.
Ils constituent une solution clé pour concevoir des systèmes plus compacts, plus efficaces et plus fiables dans l’électromobilité moderne.
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