Diodes de protection ESD Nexperia pour USB4 et Thunderbolt
Nexperia a présenté une série de cinq diodes de protection de 1 V conçues pour les lignes de transmission RF à couplage alternatif, visant à protéger les interfaces USB4® et Thunderbolt™ contre les décharges électrostatiques (ESD), les courants de surtension et les conditions de court-circuit. Avec des débits de données supérieurs à 10 GHz, ces diodes de protection ESD relèvent le défi croissant de préserver l’intégrité du signal tout en offrant une protection ESD robuste.
Pour les lecteurs d’eeNews Europe/ECInews qui développent des interfaces grande vitesse, ces diodes offrent une approche personnalisée pour équilibrer les performances RF et la robustesse ESD, en particulier lorsque les contraintes d’agencement des circuits imprimés peuvent affecter à la fois les niveaux de protection et la qualité de la transmission.
Optimisé pour différentes configurations de circuits imprimés
Les exemples de cette nouvelle série incluent les PESD1V0C1BSF et PESD1V0H1BSF, qui, selon Nexperia, peuvent être adaptées à des longueurs et des configurations de circuits imprimés spécifiques. Selon Stefan Seider, chef de produit senior chez Nexperia, « Avec cette nouvelle série de diodes de protection, Nexperia offre aux concepteurs la flexibilité de sélectionner le composant le plus approprié à la configuration spécifique de leur carte, offrant ainsi le plus haut niveau de protection. » Il ajoute que la société peut fournir des modèles de simulation RF et SEED (system-efficient ESD design) pour aider à l’optimisation.
Des circuits imprimés plus courts entre le circuit intégré de l’émetteur-récepteur et le composant de protection peuvent réduire l’inductance parasite mais peuvent réduire aussi la résistance globale aux décharges électrostatiques. Inversement, des traces plus longues réduisent les problèmes de serrage mais peuvent introduire une dégradation du signal. En proposant plusieurs options de composants avec des paramètres variables, Nexperia vise à donner aux concepteurs la possibilité d’affiner leur stratégie de protection sans sacrifier les performances RF.
Grande résistance aux décharges électrostatiques avec perte d’insertion minimale
Les diodes protègent contre les décharges électrostatiques jusqu’à ±18 kV et offrent une résistance aux surtensions jusqu’à 9,6 A. Leur capacité ultra-faible, jusqu’à 0,1 pF, minimise la perte d’insertion (jusqu’à -0,21 dB à 12,8 GHz) et évite les résonances jusqu’à 40 GHz.
Les composants sont logés dans le boîtier sans plomb DSN0603-2 (SOD962-2), conçu pour une inductance ultra-faible. Ils conviennent donc aux appareils portables, aux systèmes de communication, aux périphériques informatiques et à d’autres applications où l’encombrement de la carte et la fidélité du signal sont critiques.
Vous trouverez plus d’informations sur la page du produit Nexperia.
Si vous avez apprécié cet article, vous aimerez les suivants : ne les manquez pas en vous abonnant à :
