Diodes de 150 V à commutation douce et rapide
Ultilisant la technologie merged-PIN de la famille Qspeed, ces diodes présentent la capacité de jonction (CJ) et la charge de recouvrement inverse (QRR) parmi les plus basses du marché, respectivement 60 % et 40 % plus basses que celles des dispositifs Schottky à tranchée. Cet équilibre unique facilite le fonctionnement à haute fréquence et permet d’utiliser des composants magnétiques petits et économiques tout en maximisant l’efficacité. L’excellent comportement en EMI réduit, voire élimine, le besoin en condensateurs limiteurs d’oscillations (snubbers), ce qui améliore encore le rendement et réduit le coût.
"Nos tests montrent que ces diodes de silicium sont les plus rapides du marché, avec les plus faibles pertes de commutation," commente Klaus Pietrczak, directeur de marketing produit chez Power Integrations. "Elles doublent au moins la performance des diodes Schottky à tranchée, ce qui est très intéressant dans les applications à haute fréquence."
Proposées en versions de 10 A à 40 A avec une configuration à cathode commune, dans des boîtiers DPAK, D2PAK et TO-220, ces diodes de 150 V visent des applications de convertisseurs DC-DC et de redresseurs de sortie à commutation dure ou douce.
ac-dc.power.com/qspeed-q-series-diodes
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