Accélération sur la technologie GaN sur silicium pour soutenir le déploiement des infrastructures 5G
Le déploiement mondial des réseaux 5G et l’adoption de configurations d’antennes M-MIMO (Massive-MIMO – Multiple Input, Multiple Output) devraient entraîner une augmentation significative de la demande en composants de puissance RF. MACOM prévoit notamment que le nombre d’amplificateurs de puissance nécessaires sera multiplié par 32 à 64. De plus, cette hausse devrait multiplier par plus de trois le contenu en dollars des investissements consacrés aux infrastructures 5G au cours d’un cycle de cinq années, avec à la clé, selon les estimations, une division du coût par amplificateur par 10 à 20.
« Les principaux équipementiers spécialisés dans la fabrication des stations de base savent qu’ils ont besoin des performances large bande du GaN, qui permet également un changement des structures de coûts et de capacités de production suffisantes pour atteindre leurs objectifs de coût, de portée et d’efficacité énergétique sur le terrain. En collaborant avec ST, nous sommes convaincus que MACOM est particulièrement bien placé pour atteindre tous ces objectifs, que ce soit en termes de performances, de coûts ou d’approvisionnement en grands volumes », a déclaré John Croteau, President et CEO de MACOM. « Nous prévoyons que notre investissement conjoint en capacité de production additionnelle à ce stade précoce nous positionne pour satisfaire jusqu’à 85 % des besoins inhérents au déploiement mondial de la 5G. »
« ST s’est doté d’une base solide avec sa position de leader mondial dans le domaine du carbure de silicium, et nous allons aujourd’hui de l’avant avec la technologie RF en GaN sur silicium, qui permettra aux équipementiers de bâtir une nouvelle génération de réseaux 5G de haute performance », a déclaré Marco Monti, President, Groupe Produits Automobiles et Discrets, STMicroelectronics. « Si le carbure de silicium convient idéalement à certaines applications de puissance telles que la conversion de puissance en environnement automobile, le GaN sur silicium conjugue les performances RF, les volumes et les structures de coûts commerciaux indispensables pour que la 5G soit une réalité. Dans cette perspective, ST et MACOM entendent éliminer les goulots d’étranglement industriels et satisfaire la demande liée au déploiement des infrastructures réseau pour la 5G. »
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