EPC bouscule la conversion d’énergie dans l’automobile
La société américaine EPC (Electronic Power Conversion) vient de présenter deux nouveaux FET GaN qualifiés AEC-Q101 80 V, offrant aux concepteurs des solutions plus compacts et plus efficaces que les MOSFET silicium pour la conversion 48 V-12 V CC-CC, adaptés aux applications automobiles pour l’info-divertissement et le lidar de conduite autonome.
EPC élargit sa gamme de transistors en nitrure de gallium pour l’automobile avec deux nouveaux produits. l’EPC2204A 80 V, 6 mΩ qui délivre un courant pulsé de 125 A dans encombrement de 2, 5 x 1. 5 mm et de l’EPC2218A de 80 V, 3,2 mΩ qui délivre un courant pulsé de 231 A dans un encombrement de 3,5 mm x 1,95 mm. Ces deux composants sont nettement plus petits et plus efficaces que les MOSFET en silicium pour la conversion d’énergie 48V-12V, dans l’automobile, pour de multiple applications : convertisseurs bidirectionnels 48 V – 12 V pour les voitures hybrides légères, 24 V – 48 V CC-CC dans les voitures et les camions, et les applications d’info-divertissement, d’éclairage et ADAS.
Des charges de grille plus faibles (QGD) et des pertes de récupération inverse nulles permettent un fonctionnement à haute fréquence de 1 MHz et plus. Associés à un rendement élevé dans un encombrement réduit, la densité de puissance est plus élévée.
Par exemple, pour les convertisseurs 48 V-12 V de 2 kW à 4 kW, les dispositifs GaN permettent une fréquence cinq fois supérieure à celle des solutions MOSFET au silicium. De plus, avec un quart de l’inductance, la taille de l’inductance et les pertes sont réduites, ce qui permet d’augmenter de 40 % le courant par phase et jusqu’à la moitié des phases pour un coût de système inférieur et une taille réduite de moitié. Malgré l’encombrement réduite, le rendement augmente jusqu’à 98 %, soit plus de 2 % de plus que les solutions MOSFET.
Pour les DC-DC de faible puissance, tels que ceux utilisés pour les applications d’info-divertissement, le GaN peux fonctionner à 2 MHz et plus pour éviter les interférences. La vitesse de commutation rapide du GaN, avec des transitions inférieures à la nanoseconde et la capacité de générer des impulsions de courant élevé en moins de 3 ns, offre une autonomie et une résolution plus élevées dans les lidars pour la conduite autonome, le stationnement et la prévention des collisions.
Autre article : Nouveau circuit intégré Lidar qualifié AEC à conversion de puissance efficace
Si vous avez apprécié cet article, vous aimerez les suivants : ne les manquez pas en vous abonnant à :
