MOSFET canal-N 100V pour applications automobiles

06 janvier 2020 // Par A.Dieul
MOSFET canal-N 100V pour applications automobiles
Conçus spécialement pour les systèmes 48V, les MOSFET de puissance canal-N 100V proposés par Toshiba Electronics Europe sont bien adaptés aux convertisseurs boost présents dans les alternateurs-démarreurs intégrés et les phares à LED, ainsi que dans les variateurs de vitesse, les régulateurs à découpage, et les commutateurs de charge.

Les XPH4R10ANB et XPH6R30ANB améliorent le rendement des systèmes automobiles grâce à leur faible résistance à l’état passant (RDS(ON)). En pratique, le XPH4R10ANB offre une résistance à l’état passant de seulement 4,1 mΩ, ce qui permet de réduire considérablement les pertes. Les deux dispositifs sont logés en boîtier SOP Advance (WF) à flans mouillables. Ce type de petit boîtier est éprouvé pour les applications automobiles 48V, et il est compatible avec les machines AOI (Automated Optical Inspection, ou inspection optique automatisée) qui servent à contrôler la qualité des joints de soudure.

Les deux dispositifs font partie de la série U-MOSVIII-H de Toshiba et offrent une tension drain-source (VDS) de 100V et une température maximale de fonctionnement de 175ºC.
Le XPH4R10ANB supporte un courant de drain continu maximum de 70A, et 210A en mode pulsé. Pour le XPH6R30ANB les valeurs sont respectivement de 45A et 135A.

toshiba.semicon-storage.com/eu/product/mosfet/detail.XPH4R10ANB.html

toshiba.semicon-storage.com/eu/product/mosfet/detail.XPH6R30ANB.html

www.toshiba.semicon-storage.com  

 


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