Gamme de MOSFET haute-tension pour commutation rapide à haut rendement

18 avril 2016 // Par A. Dieul
Gamme de MOSFET haute-tension pour commutation rapide à haut rendement
Pour les régulateurs de tension à découpage, Toshiba Electronics vient d’introduire une gamme de MOSFET rapides, haute-tension et ultra-haut rendement. Proposés avec des tensions nominales respectives de 800 V ou 900 V, ces quatre dispositifs canal-N TK4A80E 4.0 A / 5.0 A et TK3A90E 2.5 A / 4.5 A offrent une résistance à l'état passant RDS(ON) typique de seulement 1.9 ohm.

Cette gamme vise des applications telles que les convertisseurs "flyback" pour l'éclairage à LED, les alimentations supplémentaires et tous les circuits nécessitant de commuter un courant de moins de 5 A.

Ces MOSFET améliorés s'appuient sur le processus propriétaire de semi-conducteurs plan de huitième génération Pi-MOS-8 qui combine des niveaux élevés d'intégration de cellules et une conception de cellule optimisée. Cette technologie permet d'obtenir une charge de grille et une capacitance réduites, sans perdre le bénéfice d'une faible R DS(ON).
Suppléments courant faible de la gamme existante DTMOS IV 800 V Superjonction, les TK3A90E 2.5 A et TK5A90E 4.5 A offrent une tension nominale V DSS de 900 V et des valeurs R DS(ON) typiques de respectivement 3.7 ohms et 2.5 ohms alors que les TK4A80E 4.0 A et TK5A80E 5.0 A fournissent une tension nominale V DSS de 800 V et des valeurs R DS(ON) typiques de respectivement 2.8 ohms et 1.9 ohm.
Ces circuits de puissance présentent un courant de fuite maximum ultra-faible de seulement 10 μA à la tension V DS de 60 V et une tension de seuil de grille de 2.5 V à 4.0 V avec une V DS de 10 V et un courant de drain de 0.4 mA. Tous ces dispositifs sont fournis en boîtier standard TO-220SIS.

www.toshiba.semicon-storage.com


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