Quand une nouvelle technologie MOSFET voit le jour, les clients s’attendent \u00e0 brancher les nouveaux dispositifs et \u00e0 constater imm\u00e9diatement un meilleur rendement. Beaucoup ont la m\u00eame approche s’agissant du GaN pour remplacer un MOSFET dans un design existant, et ont pu \u00eatre d\u00e9\u00e7us par les performances obtenues. Pour vraiment tirer profit des avantages du GaN, la conception du syst\u00e8me doit typiquement \u00e9voluer. Le GaN est destin\u00e9 aux designs \u00e0 forte densit\u00e9 de puissance, qui n\u00e9cessitent de revoir la conception de certains autres composants passifs, comme le transformateur ou les condensateurs de sortie. Pour r\u00e9duire la taille du transformateur, la fr\u00e9quence de commutation doit \u00eatre augment\u00e9e. Si l’on utilise des transistors MOSFET classiques \u00e0 Qg (charge de grille) \u00e9lev\u00e9e dans un circuit haute-fr\u00e9quence, le rendement chute. Si l’on utilise du GaN qui pr\u00e9sente une valeur Qg inf\u00e9rieure dans le m\u00eame circuit, on peut \u00e9viter la chute du rendement. Le GaN ne doit pas \u00eatre envisag\u00e9 comme un rempla\u00e7ant pur et simple de la technologie MOSFET existante, mais comme un outil permettant d’obtenir des conceptions plus denses, avec des rendements plus \u00e9lev\u00e9s. <\/p>\n","protected":false},"featured_media":22891,"template":"","tags":[],"company":[],"wp_category":[],"ppma_author":[],"class_list":["post-22889","white_papers","type-white_papers","status-publish","has-post-thumbnail","hentry"],"acf":[],"yoast_head":"