{"id":22234,"date":"2016-10-21T09:32:03","date_gmt":"2016-10-21T09:32:03","guid":{"rendered":"https:\/\/\/white_papers\/essai-disolation-et-de-decharge-partielle-des-convertisseurs-dc-dc-pour-circuits-de-commande\/"},"modified":"2022-01-26T15:12:20","modified_gmt":"2022-01-26T15:12:20","slug":"essai-disolation-et-de-decharge-partielle-des-convertisseurs-dc-dc-pour-circuits-de-commande","status":"publish","type":"white_papers","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/white_papers\/essai-disolation-et-de-decharge-partielle-des-convertisseurs-dc-dc-pour-circuits-de-commande\/","title":{"rendered":"Essai d&rsquo;isolation et de d\u00e9charge partielle des convertisseurs DC-DC pour circuits de commande"},"content":{"rendered":"","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Pour garantir leur fiabilit\u00e9 durable, les convertisseurs DC-DC con\u00e7us pour alimenter les \u201chigh side\u201d des circuits de commande doivent pr\u00e9senter des performances d&rsquo;isolation et de d\u00e9charge partielle. Nous donnons ici le d\u00e9tail des r\u00e9sultats d&rsquo;essais comparatifs r\u00e9alis\u00e9s sur diff\u00e9rents types d&rsquo;isolation. Les convertisseurs DC-DC sont souvent utilis\u00e9s pour alimenter les circuits de commande \u00e0 IGBT ou MOSFET dans les applications \u00ab\u00a0high side\u00a0\u00bb o\u00f9 la barri\u00e8re du convertisseur conna\u00eet une forte tension continuellement commut\u00e9e. Pour les IGBT, la tension des syst\u00e8mes de faible \u00e0 moyenne puissance peut d\u00e9passer 1 kV \u00e0 10 kHz, avec des vitesses de mont\u00e9e (dV\/dt) d&rsquo;environ 30 kV\/\u00b5s. Pour les MOSFET, qu&rsquo;ils soient en silicium ou en carbure de silicium, les fr\u00e9quences peuvent exc\u00e9der 100 kHz avec des vitesses de mont\u00e9e dV\/dt avoisinant les 80 kV\/\u00b5s. Si les convertisseurs DC-DC g\u00e9n\u00e9raux peuvent subir un essai de claquage \u00e0 tension \u00e9lev\u00e9e, il n&rsquo;est pas certain qu&rsquo;ils puissent supporter ces valeurs en continu. La tension \u00e9tant commut\u00e9e \u00e0 haute fr\u00e9quence, un courant de d\u00e9placement ind\u00e9sirable est pouss\u00e9 \u00e0 travers la capacit\u00e9 de la barri\u00e8re DC-DC, risquant de provoquer des interf\u00e9rences \u00e9lectromagn\u00e9tiques et, dans le pire des cas, une d\u00e9faillance \u00e0 plus ou moins long terme du mat\u00e9riau constituant la barri\u00e8re. Les convertisseurs DC-DC destin\u00e9s aux commandes high side doivent donc \u00eatre sp\u00e9cifiquement \u00e9tudi\u00e9s et qualifi\u00e9s pour l&rsquo;application envisag\u00e9e.<\/p>\n","protected":false},"featured_media":22236,"template":"","tags":[],"company":[458],"wp_category":[],"ppma_author":[],"class_list":["post-22234","white_papers","type-white_papers","status-publish","has-post-thumbnail","hentry","company-murata-power-solutions"],"acf":[],"yoast_head":"<title>Essai d&#039;isolation et de d\u00e9charge partielle des convertisseurs ...<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Pour garantir leur fiabilit\u00e9 durable, les convertisseurs DC-DC con\u00e7us pour alimenter les \u201chigh side\u201d des circuits de commande doivent pr\u00e9senter des...\" \/>\n<meta name=\"robots\" content=\"index, follow, max-snippet:-1, max-image-preview:large, max-video-preview:-1\" \/>\n<link rel=\"canonical\" href=\"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/white_papers\/22234\/\" \/>\n<meta property=\"og:locale\" content=\"fr_FR\" \/>\n<meta property=\"og:type\" content=\"article\" \/>\n<meta property=\"og:title\" content=\"Essai d&#039;isolation et de d\u00e9charge partielle des convertisseurs DC-DC pour circuits de commande\" \/>\n<meta property=\"og:description\" content=\"Pour garantir leur fiabilit\u00e9 durable, les convertisseurs DC-DC con\u00e7us pour alimenter les \u201chigh side\u201d des circuits de commande doivent pr\u00e9senter des performances d&#039;isolation et de d\u00e9charge partielle. Nous donnons ici le d\u00e9tail des r\u00e9sultats d&#039;essais comparatifs r\u00e9alis\u00e9s sur diff\u00e9rents types d&#039;isolation. Les convertisseurs DC-DC sont souvent utilis\u00e9s pour alimenter les circuits de commande \u00e0 IGBT ou MOSFET dans les applications &quot;high side&quot; o\u00f9 la barri\u00e8re du convertisseur conna\u00eet une forte tension continuellement commut\u00e9e. Pour les IGBT, la tension des syst\u00e8mes de faible \u00e0 moyenne puissance peut d\u00e9passer 1 kV \u00e0 10 kHz, avec des vitesses de mont\u00e9e (dV\/dt) d&#039;environ 30 kV\/\u00b5s. Pour les MOSFET, qu&#039;ils soient en silicium ou en carbure de silicium, les fr\u00e9quences peuvent exc\u00e9der 100 kHz avec des vitesses de mont\u00e9e dV\/dt avoisinant les 80 kV\/\u00b5s. Si les convertisseurs DC-DC g\u00e9n\u00e9raux peuvent subir un essai de claquage \u00e0 tension \u00e9lev\u00e9e, il n&#039;est pas certain qu&#039;ils puissent supporter ces valeurs en continu. 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