Les MOSFET, les diodes de redressement et les IGBT sont indispensables pour r\u00e9pondre aux contraintes de puissance, de temp\u00e9rature et de co\u00fbt, impos\u00e9es dans le domaine de la conversion d’\u00e9nergie. Alors que la demande de rendement sup\u00e9rieur passe avant tout, et que le co\u00fbt de l’\u00e9nergie continue d’augmenter, des technologies comme que le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN) sont devenues plus rentables. En outre, avec le d\u00e9veloppement des march\u00e9s, les \u00e9conomies d’\u00e9chelle continuent de rendre les transistors et les diodes SiC et GaN plus attractifs sur un plan \u00e9conomique. Etant donn\u00e9 que ces dispositifs sont de plus en plus souvent pr\u00e9sents dans les circuits de puissance, en particulier dans l\u2019\u00e9lectrom\u00e9nager et les commandes moteur de VE (v\u00e9hicule \u00e9lectrique), les inverteurs d’injection au r\u00e9seau \u00e9lectrique et les alimentations de centres de donn\u00e9es, les concepteurs doivent tenir compte de leurs effets sur les autres \u00e9l\u00e9ments du circuit, notamment sur les composants passifs comme les condensateurs, et consid\u00e9rer la mani\u00e8re dont ils doivent \u00eatre con\u00e7us pour optimiser les gains de rendement et assurer la fiabilit\u00e9.<\/p>\n","protected":false},"featured_media":20425,"template":"","tags":[],"company":[429],"wp_category":[],"ppma_author":[],"class_list":["post-20423","white_papers","type-white_papers","status-publish","has-post-thumbnail","hentry","company-kemet"],"acf":[],"yoast_head":"