Soitec a annonc\u00e9 le renforcement de sa collaboration avec Samsung Foundry afin de garantir l\u2019approvisionnement en plaques de silicium sur isolant totalement d\u00e9pl\u00e9t\u00e9es (FD-SOI, Fully Depleted Silicon-On-Insulator). Cet accord renforce le partenariat actuel et \u00e9tablit, pour les deux soci\u00e9t\u00e9s, les bases n\u00e9cessaires pour renforcer la cha\u00eene d\u2019approvisionnement du FD-SOI et garantir la production en grand volume pour les clients.<\/p>\n
Le FD-SOI est devenu l’une des technologies de r\u00e9f\u00e9rence pour des composants alliant faible consommation d\u2019\u00e9nergie et rapport co\u00fbt-efficacit\u00e9 optimal, destin\u00e9s aux applications en grands volumes de l\u2019\u00e9lectronique grand public, des smartphones 4G\/5G, de l\u2019IoT et de l\u2019automobile. L\u2019accord garantit \u00e0 Samsung la fourniture de plaques pour sa plateforme d\u00e9di\u00e9e \u00e0 la technologie FD-SOI, celle-ci d\u00e9marrant avec un proc\u00e9d\u00e9 en 28 nm (28FDS).<\/p>\n
La technologie FD-SOI repose sur un substrat unique dont les couches ultra-minces sont contr\u00f4l\u00e9es \u00e0 l’\u00e9chelle atomique. Le FD-SOI offre des performances remarquables en termes de rapport entre puissance, performance, surface et co\u00fbt (PPAC), ce qui permet de couvrir des applications num\u00e9riques allant de basse consommation \u00e0 haute performance avec une seule plateforme technologique. Le FD-SOI offre de nombreux avantages uniques, notamment la capacit\u00e9 d’att\u00e9nuer les variations de processus de fabrication, de temp\u00e9rature, de tension et de vieillissement au travers de la modulation dynamique de la tension de seuil via la polarisation arri\u00e8re du transistor, une tr\u00e8s faible sensibilit\u00e9 au rayonnement et une vitesse de transistor intrins\u00e8que tr\u00e8s \u00e9lev\u00e9e, ce qui en fait probablement la technologie RF-CMOS la plus rapide sur le march\u00e9.<\/p>\n