Elles offrent aux concepteurs de syst\u00e8mes \u00e9lectroniques de puissance une vaste palette d\u2019avantages en termes de performances, notamment un courant de recouvrement inverse n\u00e9gligeable, une r\u00e9sistance \u00e9lev\u00e9e aux surtensions et une temp\u00e9rature de jonction maximale en fonctionnement de 175\u00b0C, ce qui en fait des solutions id\u00e9ales pour les applications exigeant un rendement, une fiabilit\u00e9 et une gestion thermique \u00e9lev\u00e9s.<\/p>\n
Compar\u00e9es aux diodes \u00e0 jonction PN en silicium standard, les diodes Schottky SiC s\u00e9rie 650 V permettent une r\u00e9duction drastique des pertes de commutation et une augmentation significative du rendement et de la robustesse des syst\u00e8mes \u00e9lectroniques de puissance. Dissipant moins d’\u00e9nergie et \u00e9tant capables de fonctionner \u00e0 des temp\u00e9ratures de jonction sup\u00e9rieures \u00e0 celles des solutions silicium, elles n\u00e9cessitent des dissipateurs thermiques plus petits et leur encombrement au sein du syst\u00e8me s’en trouve r\u00e9duit. Ainsi, les utilisateurs profitent de tous les avantages de syst\u00e8mes plus compacts et moins \u00e9nergivores, pour un co\u00fbt total d\u2019exploitation potentiellement r\u00e9duit.<\/p>\n
\u00ab Ces nouvelles s\u00e9ries sont nos premi\u00e8res offres de diodes Schottky SiC 650 V. Toutes nos versions pr\u00e9c\u00e9dentes \u00e9taient des dispositifs 1200 V. Par cons\u00e9quent, nous pouvons d\u00e9sormais r\u00e9pondre aux exigences d\u2019un plus vaste \u00e9ventail d’applications et compl\u00e9ter le portefeuille de MOSFET SiC de Littelfuse \u00bb, se f\u00e9licite Christophe Warin, Directeur marketing des produits Carbure de silicium au sein de la division Semi-conducteurs de Littelfuse. \u00ab En termes de qualit\u00e9 et de fiabilit\u00e9, gr\u00e2ce \u00e0 leur homologation ACE-Q101, ces diodes s\u2019inscrivent dans la classe sup\u00e9rieure par rapport aux dispositifs similaires. \u00bb <\/p>\n