La r\u00e9cente annonce technologique renomme le process actuel de 10 nm en Intel7, et le process Intel4 en 2022 avec des produits en 2023 sera en concurrence avec le process actuel de 5 nm de TSMC qui verra un r\u00e9tr\u00e9cissement optique \u00e0 4NP dans le m\u00eame laps de temps. Intel3 sera pr\u00eat \u00e0 commencer \u00e0 fabriquer des produits au second semestre 2023 en utilisant la technologie ultraviolet extr\u00eame (EUV).<\/p>\n
Peter Clarke de eeNews Europe donne son avis sur les changements en cours chez Intel:<\/p>\n
\u00ab L’industrie a reconnu depuis longtemps que la nomenclature traditionnelle des n\u0153uds de process bas\u00e9e sur le nanom\u00e8tre a cess\u00e9 de correspondre \u00e0 la m\u00e9trique de la longueur de porte r\u00e9elle en 1997 \u00bb, d\u00e9clare Intel. Mais le changement cl\u00e9 chez Intel concerne les n\u0153uds de process de la s\u00e9rie A. Le processus 20A sera l’\u00e9quivalent de 2 nm, \u00e0 partir du milieu de 2024, et utilisera deux technologies r\u00e9volutionnaires, RibbonFET et PowerVia.<\/p>\n
RibbonFET est la mise en \u0153uvre par Intel d’un transistor \u00ab\u00a0gate-all-around\u00a0\u00bb que Samsung utilise d\u00e9j\u00e0 pour sa production en 3 nm (voir La fonderie Samsung Foundry finalise le tapeout d’une puce 3nm GAA<\/strong><\/a>). Le RibbonFET sera la premi\u00e8re nouvelle architecture de transistors de l’entreprise depuis qu’il a lanc\u00e9 le FinFET en 2011. Il offre des vitesses de commutation de transistors plus rapides tout en atteignant le m\u00eame courant de \u00ab\u00a0drive\u00a0\u00bb que des \u00ab\u00a0fins\u00a0\u00bb multiples dans un encombrement r\u00e9duit.<\/p>\n PowerVia est la version d’Intel de la distribution de l’alimentation arri\u00e8re, optimisant la transmission du signal en \u00e9liminant le besoin de routage de l’alimentation sur la face avant de la plaquette et r\u00e9duisant ainsi la taille de la puce et le co\u00fbt des composants. Intel 20A devrait entrer en production en 2024 et la soci\u00e9t\u00e9 travaille avec son rival Qualcomm sur la fa\u00e7on d’utiliser cette technologie de process dans le cadre de l’offre de fonderie d’Intel.<\/p>\n Au-del\u00e0 du process Intel 20A, Intel 18A l’\u00e9quivalent 1,8 nm est d\u00e9j\u00e0 en cours de d\u00e9veloppement pour le d\u00e9but de 2025 avec des am\u00e9liorations de RibbonFET qui permettront un autre bond important dans les performances des transistors. Cela devrait utiliser la technologie de processus EUV High NA (ouverture num\u00e9rique), et Intel s’attend \u00e0 recevoir le premier outil de production de l’industrie du d\u00e9veloppeur n\u00e9erlandais ASML. Ce sera la cl\u00e9 pour atteindre le n\u0153ud de 1 nm, mais n\u00e9cessitera \u00e9galement de nouveaux mat\u00e9riaux.<\/p>\n \u00ab Intel a un long historique d’innovations de process fondamentaux qui ont permis \u00e0 l’industrie d’avancer \u00e0 pas de g\u00e9ant \u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 le Dr Ann Kelleher, vice-pr\u00e9sidente senior et directrice g\u00e9n\u00e9rale du d\u00e9veloppement technologique, recrut\u00e9e par le nouveau PDG Pat Gelsigner pour diriger le d\u00e9veloppement. \u00ab Nous avons men\u00e9 la transition vers le silicium \u00ab\u00a0strained\u00a0\u00bb \u00e0 90 nm, vers les portes m\u00e9talliques \u00e0 k \u00e9lev\u00e9 \u00e0 45 nm et vers le FinFET \u00e0 22 nm. Intel 20A sera un autre tournant dans la technologie des process avec deux innovations r\u00e9volutionnaires : RibbonFET et PowerVia. \u00bb<\/p>\n Cela inclura \u00e9galement un changement par rapport \u00e0 la technologie 2.5D EMIB (pont d’interconnexion multi-dies int\u00e9gr\u00e9) o\u00f9 le pas de la connexion utilise des nombres r\u00e9els. Ce sera le premier composant \u00e0 double r\u00e9ticule de l’industrie, offrant presque les m\u00eames performances qu’une conception monolithique, passant d’un pas de \u00ab\u00a0bumps\u00a0\u00bb de 55 um \u00e0 45 um.<\/p>\n La technologie d’empilement Foveros 3D utilisera un pas de \u00ab\u00a0bumps\u00a0\u00bb de 36 um, avec des tuiles couvrant plusieurs n\u0153uds technologiques et une plage de puissance de conception thermique de 5 \u00e0 125 W. Ceci sera suivi par Foveros Omni qui permet la d\u00e9sagr\u00e9gation des matrices, m\u00e9langeant plusieurs tuiles de \u00ab\u00a0dies\u00a0\u00bb (puces nues) sup\u00e9rieures avec plusieurs tuiles de base sur des n\u0153uds de fabrication mixtes et devrait \u00eatre pr\u00eat pour la fabrication en volume en 2023.<\/p>\n Foveros Direct passe \u00e0 la liaison directe cuivre-\u00e0-cuivre pour des interconnexions \u00e0 faible r\u00e9sistance avec des pas de \u00ab\u00a0bumps\u00a0\u00bb inf\u00e9rieurs \u00e0 10 microns et brouille la fronti\u00e8re entre la fin de la puce et le d\u00e9but du bo\u00eetier. Foveros Direct permettra de multiplier par 10 la densit\u00e9 d’interconnexion pour l’empilement 3D, ouvrant de nouveaux concepts pour le partitionnement fonctionnel des puces aux c\u00f4t\u00e9s de Foveros Omni et devrait \u00e9galement \u00eatre pr\u00eat en 2023.<\/p>\n Intel tient \u00e9galement \u00e0 souligner que la technologie a \u00e9t\u00e9 d\u00e9velopp\u00e9e en Oregon et en Arizona, en collaboration avec le centre de recherches imec en Belgique, plut\u00f4t qu’\u00e0 Taipei, dans le cadre du mouvement croissant vers la souverainet\u00e9 dans la production de puces.<\/p>\n <\/p>\n<\/p>\n <\/p>\n Lire aussi:<\/strong><\/p>\n Intel va proposer un coeur RISC-V dans sa fonderie 7nm<\/strong><\/a><\/p>\n IBM d\u00e9voile une puce en technologie 2nm nanosheet<\/strong><\/a><\/p>\n La fonderie Samsung Foundry finalise le tapeout d’une puce 3nm GAA<\/strong><\/a><\/p>\n www.intel.com<\/a><\/p>\n Related articles <\/strong><\/p>\n Other articles on eeNews Europe<\/strong><\/p>\n <\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":" Intel a pour la premi\u00e8re fois indiqu\u00e9 comment il compte atteindre l’\u00e9quivalent d’un process 1 nm avec le RibbonFET et donn\u00e9 une \u00e9chelle de temps approximative. <\/p>\n","protected":false},"author":7,"featured_media":7028,"comment_status":"open","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[883],"tags":[920,913,906],"domains":[47],"ppma_author":[1139],"class_list":["post-7027","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-technologies","tag-artificialintelligence-fr","tag-materials-processes-fr","tag-mpus-mcus-fr","domains-electronique-eci"],"acf":[],"yoast_head":"\n
\n\n
\n