{"id":6863,"date":"2021-08-05T08:01:09","date_gmt":"2021-08-05T08:01:09","guid":{"rendered":"https:\/\/\/remplacez-les-igbt-silicium-par-les-dispositifs-de-puissance-au-carbure-de-silicium\/"},"modified":"2021-08-05T08:01:09","modified_gmt":"2021-08-05T08:01:09","slug":"remplacez-les-igbt-silicium-par-les-dispositifs-de-puissance-au-carbure-de-silicium","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/remplacez-les-igbt-silicium-par-les-dispositifs-de-puissance-au-carbure-de-silicium\/","title":{"rendered":"Remplacez les IGBT silicium par les dispositifs de puissance au carbure de silicium"},"content":{"rendered":"<p>La technologie carbure de silicium 1&nbsp;700&nbsp;V de Microchip est une alternative aux IGBT silicium. La technologie pr\u00e9c\u00e9dente obligeait les concepteurs \u00e0 faire des compromis sur les performances, et \u00e0 mettre en \u0153uvre des topologies complexes, compte tenu des limites de fr\u00e9quence de commutation des IGBT dues aux pertes. Par ailleurs, la taille et le poids des syst\u00e8mes \u00e9lectroniques de puissance \u00e9taient p\u00e9nalis\u00e9s par les transformateurs, dont la taille ne pouvait \u00eatre r\u00e9duite qu&rsquo;en augmentant la fr\u00e9quence de commutation.<\/p>\n<p>Cette nouvelle famille de produits \u00e0 base de carbure de silicium permet aux concepteurs de d\u00e9passer les IGBT, et d&rsquo;utiliser des topologies \u00e0 deux niveaux, avec un nombre de composants r\u00e9duit, un meilleur rendement, et des circuits de commande plus simples. Sans limite de fr\u00e9quence de commutation, les convertisseurs de puissance peuvent \u00eatre consid\u00e9rablement r\u00e9duits en taille et en poids, et lib\u00e8rent ainsi de la place pour d\u2019autres bornes de recharge, pour des places passager payantes ou pour de la capacit\u00e9 de chargement suppl\u00e9mentaire &#8211; ou peuvent aussi permettre d\u2019\u00e9tendre l&rsquo;autonomie des v\u00e9hicules lourds, des bus \u00e9lectriques et autres v\u00e9hicules commerciaux aliment\u00e9s par batterie &#8211; le tout pour un co\u00fbt global inf\u00e9rieur.<\/p>\n<p>\u00ab&nbsp;Les d\u00e9veloppeurs du secteur des transports sont constamment sollicit\u00e9s pour faire entrer davantage de personnes et de marchandises dans des v\u00e9hicules qui ne peuvent \u00eatre agrandis,&nbsp;\u00bb d\u00e9clare Leon Gross, Vice-Pr\u00e9sident de la division Produits Discrets de Microchip. \u00ab&nbsp;L&rsquo;une des meilleures fa\u00e7ons d&rsquo;y parvenir est de r\u00e9duire la taille et le poids des \u00e9quipements de conversion d&rsquo;\u00e9nergie, gr\u00e2ce \u00e0 des dispositifs de puissance haute tension en carbure de silicium. Les avantages que cette technologie procure pour le transport sont tout aussi int\u00e9ressants pour de nombreuses autres applications industrielles.&nbsp;\u00bb<\/p>\n<p>Parmi les caract\u00e9ristiques int\u00e9ressantes, citons la stabilit\u00e9 de l&rsquo;oxyde de grille, Microchip n&rsquo;ayant observ\u00e9 aucune d\u00e9rive de tension de seuil, m\u00eame apr\u00e8s 100&nbsp;000&nbsp;impulsions lors de tests r\u00e9p\u00e9titifs de commutation inductive sans bridage (R-UIS). Les tests R-UIS ont \u00e9galement montr\u00e9 une excellente robustesse aux ph\u00e9nom\u00e8nes d\u2019avalanche, et une grande stabilit\u00e9 param\u00e9trique, qui, associ\u00e9es \u00e0 la stabilit\u00e9 de l&rsquo;oxyde de grille, ont permis de d\u00e9montrer une grande fiabilit\u00e9 de fonctionnement pendant toute la dur\u00e9e de vie. En outre, l\u2019absence de d\u00e9gradation de la diode intrins\u00e8que permet d\u2019\u00e9viter le recours \u00e0 une diode externe dans le cas du MOSFET au carbure de silicium. La r\u00e9sistance aux courts-circuits comparable \u00e0 celle des IGBT permet de survivre \u00e0 des transitoires \u00e9lectriques dangereux. La courbe de RDS(on) plus plate en fonction de la temp\u00e9rature de jonction (entre 0\u00b0C et 175\u00b0C) permet au syst\u00e8me de fonctionner avec une stabilit\u00e9 sup\u00e9rieure \u00e0 celle d\u2019autres MOSFET au carbure de silicium, qui sont plus sensibles \u00e0 la temp\u00e9rature.<\/p>\n<p>Microchip rationalise l&rsquo;adoption de sa technologie avec sa famille de <a href=\"https:\/\/www.microchip.com\/en-us\/products\/power-management\/silicon-carbide-sic-devices-and-power-modules\/digital-programmable-gate-drivers\">drivers de grille num\u00e9riques programmables AgileSwitch\u00ae<\/a> et sa large gamme de dispositifs discrets et de modules de puissance, disponibles en plusieurs formats standard et personnalisables. Ces pilotes de grille permettent d&rsquo;acc\u00e9l\u00e9rer le d\u00e9veloppement du carbure de silicium, du banc de test jusqu\u2019\u00e0 la production.<\/p>\n<p>Les autres produits en carbure de silicium de Microchip sont notamment des familles de MOSFET et de diodes Schottky 700&nbsp;V et 1&nbsp;200&nbsp;V, disponibles en puce nue et aussi sous forme de plusieurs types de dispositifs discrets et de modules de puissance. Microchip unifie la production interne de ses puces en carbure de silicium avec un bo\u00eetier \u00e0 faible inductance et des pilotes de grille num\u00e9riques programmables, pour permettre aux concepteurs d\u2019obtenir les produits les plus compacts et les plus fiables, offrant les meilleurs rendements.<\/p>\n<p><strong>Outils de d\u00e9veloppement<\/strong><\/p>\n<p>Les mod\u00e8les de simulation SPICE pour carbure de silicium, qui sont compatibles avec le simulateur analogique MPLAB Mindi de Microchip, fournissent aux d\u00e9veloppeurs, les ressources n\u00e9cessaires pour simuler les caract\u00e9ristiques de commutation, avant de s&rsquo;engager dans la conception mat\u00e9rielle. L&rsquo;outil de configuration intelligent (ICT) permet aux concepteurs de mod\u00e9liser les bons param\u00e8tres de drivers de grille en carbure de silicium pour la famille de pilotes de grille num\u00e9riques programmables AgileSwitch de Microchip.<\/p>\n<p><a href=\"http:\/\/www.microchip.com\">www.microchip.com<\/a><\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Les bornes \u00e9co\u00e9nerg\u00e9tiques d&rsquo;aujourd&rsquo;hui, qui servent \u00e0 recharger les v\u00e9hicules commerciaux, ainsi que les syst\u00e8mes d&rsquo;alimentation auxiliaires, les onduleurs photovolta\u00efques, les convertisseurs de tension et autres applications industrielles et de transport, font tous appel \u00e0 des dispositifs de puissance \u00e0 commutation haute tension. Pour r\u00e9pondre \u00e0 ces exigences, Microchip Technology Inc. a annonc\u00e9 l\u2019extension de son catalogue, avec une famille de puces, dispositifs discrets et modules de puissance \u00e0 base de MOSFET carbure de silicium (SiC) 1 700 V.<\/p>\n","protected":false},"author":9,"featured_media":6864,"comment_status":"open","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[],"tags":[],"domains":[47],"ppma_author":[1141],"class_list":["post-6863","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","domains-electronique-eci"],"acf":[],"yoast_head":"<title>Remplacez les IGBT silicium par les dispositifs de puissance au...<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Les bornes \u00e9co\u00e9nerg\u00e9tiques d&#039;aujourd&#039;hui, qui servent \u00e0 recharger les v\u00e9hicules commerciaux, ainsi que les syst\u00e8mes d&#039;alimentation auxiliaires, les...\" \/>\n<meta name=\"robots\" content=\"index, follow, max-snippet:-1, max-image-preview:large, max-video-preview:-1\" \/>\n<link rel=\"canonical\" href=\"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/6863\/\" \/>\n<meta property=\"og:locale\" content=\"fr_FR\" \/>\n<meta property=\"og:type\" content=\"article\" \/>\n<meta property=\"og:title\" content=\"Remplacez les IGBT silicium par les dispositifs de puissance au carbure de silicium\" \/>\n<meta property=\"og:description\" content=\"Les bornes \u00e9co\u00e9nerg\u00e9tiques d&#039;aujourd&#039;hui, qui servent \u00e0 recharger les v\u00e9hicules commerciaux, ainsi que les syst\u00e8mes d&#039;alimentation auxiliaires, les onduleurs photovolta\u00efques, les convertisseurs de tension et autres applications industrielles et de transport, font tous appel \u00e0 des dispositifs de puissance \u00e0 commutation haute tension. 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