Ces diodes offrent aux concepteurs de syst\u00e8mes \u00e9lectroniques de puissance une vaste palette d\u2019avantages en termes de performances, notamment un courant de recouvrement inverse n\u00e9gligeable, une r\u00e9sistance \u00e9lev\u00e9e aux surtensions et une temp\u00e9rature de jonction maximale en fonctionnement de 175\u00b0C, ce qui en fait des solutions id\u00e9ales pour les applications exigeant un rendement, une fiabilit\u00e9 et une gestion thermique \u00e9lev\u00e9s.
\n\u00ab L’utilisation de diodes SiC dans les syst\u00e8mes d’alimentation \u00e0 la place de diodes reposant sur la technologie silicium propri\u00e9taire aide les concepteurs \u00e0 d\u00e9velopper des convertisseurs de puissance plus efficaces afin d’\u00e9conomiser l’\u00e9nergie et de r\u00e9duire les co\u00fbts li\u00e9s au refroidissement des composants \u00e9lectroniques de puissance \u00bb, d\u00e9clare Francois Perraud, Product Marketing Manager, SiC Products chez Littelfuse. \u00ab Elles permettent de concevoir des composants \u00e9lectroniques de puissance \u00e0 commutation plus rapide dans les convertisseurs, lesquels peuvent gagner en compacit\u00e9 \u00e0 puissance de sortie \u00e9gale ou embarquer plus de puissance dans un volume \u00e9gal. \u00bb
\nDisponibles en bo\u00eetiers TO-247-2L, les diodes Schottky SiC LSIC2SD170Bxx offrent un coefficient thermique positif de la tension de passage pour un fonctionnement s\u00fbr et un montage en parall\u00e8le facilit\u00e9. Leur commutation extr\u00eamement rapide est ind\u00e9pendamment de la temp\u00e9rature. Par ailleurs, les pertes de commutation sont r\u00e9duites par rapport aux diodes Si bipolaires.<\/p>\n