{"id":61731,"date":"2020-03-23T09:20:20","date_gmt":"2020-03-23T09:20:20","guid":{"rendered":"https:\/\/\/module-de-puissance-intelligent-cissoid-sic-triphase\/"},"modified":"2020-03-23T09:20:20","modified_gmt":"2020-03-23T09:20:20","slug":"module-de-puissance-intelligent-cissoid-sic-triphase","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/module-de-puissance-intelligent-cissoid-sic-triphase\/","title":{"rendered":"Module de puissance intelligent Cissoid SiC triphas\u00e9"},"content":{"rendered":"

Le premier produit bas\u00e9 sur cette nouvelle plateforme, un module de puissance intelligent triphas\u00e9 1200V\/450A int\u00e9grant des transistors MOSFET SiC, offre de faibles pertes de conduction, avec une r\u00e9sistance On de 3.25mOhms, et de faibles \u00e9nergies de commutation, respectivement 8.3mJ au turn-on et 11.2mJ au turn-off \u00e0 600V\/300A. Les pertes sont ainsi r\u00e9duites d’au moins un facteur 3 par rapport \u00e0 un module IGBT \u00e9quivalent. Ce nouveau module de puissance est refroidi par eau au travers d’une semelle ultra-l\u00e9g\u00e8re en AlSiC avec pin fin offrant une r\u00e9sistance thermique jonction-fluide de 0.15\u00b0C\/W. Le module de puissance est sp\u00e9cifi\u00e9 pour une temp\u00e9rature de jonction maximum de 175\u00b0C. Le module r\u00e9siste \u00e0 des tensions sup\u00e9rieures \u00e0 3600V (50Hz, 1min).<\/p>\n

Le gate driver int\u00e9gr\u00e9 au module inclut 3 alimentations isol\u00e9es (une par phase) d\u00e9livrant chacune jusqu’\u00e0 5W et permettant de piloter ais\u00e9ment le module de puissance jusque 25KHz \u00e0 de temp\u00e9ratures ambientes jusque 125\u00b0C. Avec un courant de grille en pointe de 10A et une tr\u00e8s bonne immunit\u00e9 aux dV\/dt (>50KV\/\u00b5s), le gate driver permet une commutation rapide du module de puissance et de faibles pertes de commutation.  Des fonctions de protection telles que l’Undervoltage Lockout (UVLO), l’Active Miller Clamping (AMC), la d\u00e9tection de d\u00e9saturation ou le Soft-Shut-Down (SSD) permettent d’assurer une commande sure et fiable du module de puissance m\u00eame en cas d’\u00e9venements non d\u00e9sir\u00e9s. <\/p>\n

\u00ab Le d\u00e9veloppement de modules de puissance SiC \u00e0 commutation rapide int\u00e9grant une commande rapproch\u00e9e sure et fiable reste un d\u00e9fi \u00bb commente Dave Hutton, CEO de Cissoid. \u00ab Avec ce nouveau module de puissance intelligent bas\u00e9 sur la technologie SiC, fruit d’ann\u00e9es d’exp\u00e9rience dans le d\u00e9veloppement de modules de puissance et de gate drivers pour les environnements les plus extr\u00eames, nous sommes heureux d’\u00e9chantillonner nos premiers modules aux utilisateurs pr\u00eats \u00e0 adopter la technologie SiC et de contribuer ainsi \u00e0 la transition de l’industrie automobile vers des solutions de mobilit\u00e9 \u00e9lectrique plus efficaces \u00bb.<\/p>\n

www.cissoid.com<\/a><\/p>\n

Circuits int\u00e9gr\u00e9s Cissoid haute temp\u00e9rature pour l\u00b4automobile<\/a><\/h3>\n

Carte gate driver Cissoid<\/a><\/h3>\n

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Cissoid annonce une nouvelle plateforme de modules de puissance intelligents triphas\u00e9s bas\u00e9s sur des transistors en Carbure de Silicium (SiC) pour la mobilit\u00e9 \u00e9lectrique. Cette nouvelle technologie offre une solution int\u00e9gr\u00e9e incluant un module de puissance triphas\u00e9 bas\u00e9 sur des transistors SiC MOSFET et leurs gate drivers.Gr\u00e2ce \u00e0 un co-design \u00e9lectrique, m\u00e9canique et thermique du module de puissance et de la commande de proximit\u00e9, cette plateforme configurable acc\u00e9lerera l’adoption par les fabricants automobiles ou de moteurs \u00e9lectriques d’onduleurs SiC afin de gagner en efficacit\u00e9 et en compacit \u00e9. Avec ce module de puissance intelligent bas\u00e9 sur la technologie SiC, CISSOID maintient son focus sur des solutions innovantes adressant les d\u00e9fis des march\u00e9s automobiles et industriels. <\/p>\n","protected":false},"author":9,"featured_media":61732,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[881],"tags":[],"domains":[47],"ppma_author":[1141],"class_list":["post-61731","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-nouveaux-produits","domains-electronique-eci"],"acf":[],"yoast_head":"Module de puissance intelligent Cissoid SiC triphas\u00e9 ...<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Cissoid annonce une nouvelle plateforme de modules de puissance intelligents triphas\u00e9s bas\u00e9s sur des transistors en Carbure de Silicium (SiC) pour la...\" \/>\n<meta name=\"robots\" content=\"index, follow, max-snippet:-1, max-image-preview:large, max-video-preview:-1\" \/>\n<link rel=\"canonical\" href=\"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/61731\/\" \/>\n<meta property=\"og:locale\" content=\"fr_FR\" \/>\n<meta property=\"og:type\" content=\"article\" \/>\n<meta property=\"og:title\" content=\"Module de puissance intelligent Cissoid SiC triphas\u00e9\" \/>\n<meta property=\"og:description\" content=\"Cissoid annonce une nouvelle plateforme de modules de puissance intelligents triphas\u00e9s bas\u00e9s sur des transistors en Carbure de Silicium (SiC) pour la mobilit\u00e9 \u00e9lectrique. 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