Les nouveaux MOSFET SiC canal-N 900V et 1200V d’ON Semiconductor assurent une commutation plus rapide et offrent une fiabilit\u00e9 accrue par rapport \u00e0 leurs homologues silicium. Une diode intrins\u00e8que rapide \u00e0 faible charge de r\u00e9cup\u00e9ration inverse permet de r\u00e9duire consid\u00e9rablement les pertes, d’augmenter la fr\u00e9quence op\u00e9rationnelle maximale, et aussi d’augmenter la densit\u00e9 de puissance dans son ensemble. <\/p>\n
Le fonctionnement aux fr\u00e9quences \u00e9lev\u00e9es est encore am\u00e9lior\u00e9 par la petite taille de la puce, qui entra\u00eene une r\u00e9duction de la capacit\u00e9 du dispositif et aussi de la charge de grille Qg (seulement 220 nC), qui r\u00e9duit \u00e0 son tour les pertes de commutation aux fr\u00e9quences \u00e9lev\u00e9es. Tous ces facteurs am\u00e9liorent le rendement, r\u00e9duisent les perturbations \u00e9lectromagn\u00e9tiques par rapport aux MOSFET \u00e0 base Si, et permettent d\u2019utiliser des composants passifs \u00e0 la fois plus petits et en moindre nombre. Ces MOSFET SiC tr\u00e8s robustes peuvent encaisser des surtensions plus \u00e9lev\u00e9es, autorisent un courant d’avalanche plus fort, et r\u00e9sistent mieux aux courts-circuits que les dispositifs Si. Ceci leur conf\u00e8re une plus grande fiabilit\u00e9 et une dur\u00e9e de vie plus longue, qui sont extr\u00eamement int\u00e9ressantes pour les applications de puissance modernes les plus exigeantes. La tension directe inf\u00e9rieure permet un allumage sans seuil, qui r\u00e9duit les pertes statiques se produisant quand le dispositif est passant.<\/p>\n
Les MOSFET SiC 1200 V pr\u00e9sentent un courant maximal (ID max) de 103 A, contre 118 A pour les mod\u00e8les 900 V. Pour les applications n\u00e9cessitant des courants plus \u00e9lev\u00e9s, ces MOSFET ON Semiconductor peuvent facilement \u00eatre mont\u00e9s en parall\u00e8le, gr\u00e2ce \u00e0 leur coefficient de temp\u00e9rature positif qui les rend relativement insensibles \u00e0 la temp\u00e9rature.<\/p>\n