{"id":57793,"date":"2020-04-21T10:21:02","date_gmt":"2020-04-21T10:21:02","guid":{"rendered":"https:\/\/\/les-memoires-nram-de-nantero-pretes-a-remplacer-drams-et-flash\/"},"modified":"2020-04-21T10:21:02","modified_gmt":"2020-04-21T10:21:02","slug":"les-memoires-nram-de-nantero-pretes-a-remplacer-drams-et-flash","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/les-memoires-nram-de-nantero-pretes-a-remplacer-drams-et-flash\/","title":{"rendered":"Les m\u00e9moires NRAM de Nantero pr\u00eates \u00e0 remplacer DRAMs et Flash?"},"content":{"rendered":"

Bill Gervasi, architecte principal des syst\u00e8mes chez Nantero (Woburn, MA, USA) a d\u00e9clar\u00e9 que la soci\u00e9t\u00e9 est \u00e9galement en train d’aider \u00e0 l’installation de sa technologie dans une cha\u00eene de production de m\u00e9moire d’un titulaire de licence. Gervasi a d\u00e9clar\u00e9 qu’il s’attend \u00e0 ce que des m\u00e9moires \u00e0 haute capacit\u00e9 sortent de cette installation en 2021.<\/span><\/p>\n

L’int\u00e9r\u00eat durable pour la technologie NRAM – malgr\u00e9 une commercialisation report\u00e9e longuement – est d\u00fb au fait que la technologie est compacte, offre une non-volatilit\u00e9 avec la vitesse de la DRAM, avec un potentiel d’\u00e9volutivit\u00e9 au-del\u00e0 de la DRAM et une endurance sup\u00e9rieure \u00e0 la technologie flash. Il est plus proche d’une m\u00e9moire universelle que la quasi-totalit\u00e9 du riche domaine des technologies de m\u00e9moire \u00e9mergentes – PCM, MRAM, ReRAM. Alors que ces technologies de m\u00e9moire sont g\u00e9n\u00e9ralement con\u00e7ues pour remplacer la m\u00e9moire flash, NRAM pourrait th\u00e9oriquement trouver des utilisations \u00e0 la fois comme remplacement de DRAM et comme m\u00e9moire de remplacement de m\u00e9moire flash. NRAM a \u00e9t\u00e9 contrecarr\u00e9 \u00e0 ce jour en grande partie par les aspects \u00e9conomiques du remplacement des technologies en place qui sont diponibles \u00e0 faible co\u00fbt en raison de leur volume de fabrication.<\/span><\/p>\n

D\u00e9sormais, les premiers produits sont attendus du licenci\u00e9 de Nantero, Fujitsu Semiconductor en partenariat avec USJC – une filiale de la fonderie United Microelectronics Corp. Fujitsu a achet\u00e9 sa licence en 2016 et a pr\u00e9sent\u00e9 la Nano-RAM (NRAM) comme une technologie de remplacement appropri\u00e9e pour sa RAM ferro\u00e9lectrique qu’il utilise \u00e0 la fois comme composant discret et int\u00e9gr\u00e9 aux c\u00f4t\u00e9s de microcontr\u00f4leurs.<\/span><\/p>\n

Gervasi a ajout\u00e9: \u00ab\u00a0Les composants Fujitsu sont en voie de production de masse cette ann\u00e9e.\u00a0\u00bb Il a dit que selon ses informations, l’un des produits serait un composant m\u00e9moire et un autre serait un composant int\u00e9grant de la logique avec NRAM.<\/span><\/p>\n

\u00e0 suivre: un tapis de CNTs<\/strong><\/em><\/p>\n

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Le <\/strong>tapis de CNTs<\/strong><\/em><\/p>\n

La technologie est bas\u00e9e sur une suspension de nanotubes de carbone organis\u00e9s de mani\u00e8re al\u00e9atoire dispos\u00e9s dans une couche mince entre des pointes d’\u00e9lectrodes. Lorsqu’une tension est appliqu\u00e9e, les Cellules de Carbone Nanotubes CNT sont regroup\u00e9es  et un nombre accru de points de contact r\u00e9duit le chemin de r\u00e9sistance entre les \u00e9lectrodes. La connexion est maintenue par les forces de Van der Waals au niveau atomique. Pour r\u00e9initialiser la cellule m\u00e9moire, une impulsion de tension provoque une vibration thermique pour rompre ces connexions.<\/span><\/p>\n

La m\u00e9moire r\u00e9sultante offre des vitesses de commutation de l’ordre de 20 picosecondes \u00e0 basse \u00e9nergie ainsi qu’une vitesse d’\u00e9criture en pratique de 5ns avec une endurance de l’ordre de 10^11 cycles. Cela laisse escompter que la NRAM bas\u00e9e sur des CNT pourrait \u00eatre sup\u00e9rieure aux technologies concurrentes telles que la ReRAM et la m\u00e9moire \u00e0 changement de phase et pourrait mieux \u00e9voluer en g\u00e9om\u00e9trie physique pour devenir une m\u00e9moire universelle pour remplacer \u00e0 la fois les m\u00e9moires DRAM et flash NAND.<\/span><\/p>\n

Une sophistication relativement r\u00e9cente est l’ajout d’une couche de CNTs align\u00e9s au-dessus du \u00ab\u00a0tapis\u00a0\u00bb organis\u00e9 de fa\u00e7on al\u00e9atoire de CNTs commutables. Ceux-ci servent \u00e0 prot\u00e9ger la couche inf\u00e9rieure de nanotubes de commutation de la migration des m\u00e9taux du m\u00e9tal pulv\u00e9ris\u00e9 au-dessus.<\/span><\/p>\n

Gervasi n’a pas dit exactement comment les CNTs se comportent contre la formation de filaments apr\u00e8s de nombreux cycles de commutation. \u00ab\u00a0Nous n’utilisons pas de m\u00e9tal comme l’argent qui favoriserait la formation de filaments. Nous avons une couche barri\u00e8re en nitrure de titane entre l’\u00e9lectrode de cuivre et le sommet de la cellule CNT. Il pourrait tout aussi bien s’agir d’\u00e9lectrode en aluminium.\u00a0\u00bb<\/span><\/p>\n

Nantero a \u00e9t\u00e9 fond\u00e9e en 2001 et son chemin a \u00e9t\u00e9 difficile et la soci\u00e9t\u00e9 a souvent affirm\u00e9 \u00eatre proche de mettre ses produits en production. Elle a n\u00e9anmoins progressivement acquis des investisseurs et des preneurs de licences. Gervasi a d\u00e9clar\u00e9 que la soci\u00e9t\u00e9 venait de cl\u00f4turer un cycle H de financement par actions qui porte la soci\u00e9t\u00e9 au-dessus de 140 millions de dollars en termes de fonds collect\u00e9s.<\/span><\/p>\n

Les investisseurs de longue date comprennent Dell, Cisco, Kingston Technologies et Schlumberger. Un autre investisseur est CFT Capital, une soci\u00e9t\u00e9 chinoise de capital-risque constitu\u00e9e par SMIC, la fonderie de semi-conducteurs la plus avanc\u00e9e de Chine continentale. Plus r\u00e9cemment, la soci\u00e9t\u00e9 a ajout\u00e9 Globespan Capital, CRV, Draper Fisher Jurvetson et Stata Venture Partners.<\/span><\/p>\n

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\u00e0 suivre: empilement 3-D<\/strong><\/em><\/p>\n

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Empilement 3-D<\/strong><\/em><\/p>\n

Cependant, pour concurrencer les DRAM et flash \u00e0 la pointe de la technologie, Nantero devra peut-\u00eatre ajouter un empilement 3D, qui heureusement est quelque chose que notre technologie peut facilement faire. \u00ab\u00a0Nous faisons d\u00e9j\u00e0 de l’empilage 3D\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Gervasi, indiquant qu’un partenaire de m\u00e9moire anonyme travaille sur un composant 16 Gbit \u00e0 4 couches sur un processus entre 22 nm et 18 nm.<\/span><\/p>\n

Gervasi a d\u00e9clar\u00e9 que Nantero sait \u00e9galement faire une cellule \u00e0 plusieurs niveaux au moins jusqu’\u00e0 deux ou trois bits par cellule. \u00ab\u00a0En termes de tension, nous sommes \u00e0 30x entre les tensions \u00ab\u00a0set\u00a0\u00bb et \u00ab\u00a0reset\u00a0\u00bb. C’est une relation lin\u00e9aire mais nous sommes stochastiques\u00a0\u00bb, a-t-il ajout\u00e9. Cela signifie que des niveaux pr\u00e9cis varieraient d’une cellule \u00e0 l’autre, ce qui rend difficile d’aller plus loin sans calibrer chaque cellule de m\u00e9moire. Gervasi a d\u00e9clar\u00e9 qu’il serait possible d’aller plus loin avec une forme d’\u00e9criture cellulaire it\u00e9rative. \u00ab\u00a0L’\u00e9criture s\u00e9quentielle co\u00fbte du temps mais avec une vitesse d’\u00e9criture de 5 ns, c’est quelque chose que nous pouvons faire\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Gervasi.<\/span><\/p>\n

Gervasi souligne que l’\u00e9conomie et l’entr\u00e9e sur le march\u00e9 sont au moins aussi importantes que la technologie. Le co\u00fbt extr\u00eamement faible du flash NAND en fait un march\u00e9 difficile \u00e0 aborder initialement, a-t-il d\u00e9clar\u00e9. Pour le DRAM cependant la loi de Moore \u00e0 cal\u00e9 <\/span><\/p>\n

\u00abIl y a trois ans, les utilisateurs finaux ne poussaient pas [pour des DRAM de plus grande capacit\u00e9]. Ensuite, l’intelligence artificielle et l’apprentissage automatique ont fait irruption dans le cloud. <\/span><\/span>Il y a beaucoup de r\u00e9-architecture avec un demande pour des m\u00e9moires de haute capacit\u00e9 et non-volatile.<\/span><\/span><\/p>\n

Lire aussi:<\/strong><\/p>\n

Microprocessor RISC-V \u00e0 base de transistors nanotubes CNT<\/a><\/h3>\n

Voitures, smartphones, IA. des applications qui  attendent les NRAM<\/a><\/h3>\n

ST \u00e9chantillonne le premier MCU avec m\u00e9moire \u00e0 changement de phase <\/a><\/h3>\n

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Related links and articles: <\/strong><\/p>\n

www.nantero.com<\/a><\/p>\n

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News articles: <\/strong><\/p>\n

Fujitsu is licensee of Nantero’s carbon-nanotube RAM<\/a><\/p>\n

CEO interview: Nantero’s Schmergel says NRAM production is close<\/a><\/p>\n

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This 8Mbit ReRAM from Fujitsu doubles capacity<\/a><\/p>\n

Embedded MRAM available on 22nm FDSOI <\/a><\/p>\n

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Nantero Inc., une entreprise qui a pass\u00e9 pr\u00e8s de deux d\u00e9cennies \u00e0 explorer l’utilisation des nanotubes de carbone en tant que technologie de m\u00e9moires semiconducteurs, \u00e0 pr\u00e9vu l’\u00e9mergence des premiers produits plus tard cette ann\u00e9e.<\/p>\n","protected":false},"author":22,"featured_media":57794,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[883],"tags":[889,913,905],"domains":[47],"ppma_author":[1149],"class_list":["post-57793","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-technologies","tag-analog-fr","tag-materials-processes-fr","tag-memory-data-storage-fr","domains-electronique-eci"],"acf":[],"yoast_head":"Les m\u00e9moires NRAM de Nantero pr\u00eates \u00e0 remplacer DRAMs et Fla...<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Nantero Inc., une entreprise qui a pass\u00e9 pr\u00e8s 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