Les onduleurs ferroviaires, transformateurs \u00e0 semi-conducteurs, alimentations sans coupure, syst\u00e8mes de stockage d\u2019\u00e9nergie et commandes de moteurs industriels exigent des composants de puissance \u00e0 la fois efficaces et capables de r\u00e9sister aux surintensit\u00e9s en cas de fonctionnement anormal. Toshiba Electronics Europe \u00e9largit sa gamme avec l\u2019IX800FXF2YMS4, un module \u00e0 double MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 3300 V et 800 A. Il associe une forte capacit\u00e9 de tenue au courant de surtension \u00e0 de faibles pertes par conduction et par commutation.<\/p>\n
Le module s\u2019appuie sur les MOSFET SiC de troisi\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration am\u00e9lior\u00e9s de Toshiba. Il pr\u00e9sente une tension drain-source nominale de 3300 V et un courant de drain continu nominal de 800 A.<\/p>\n
Toshiba met en avant la conception optimis\u00e9e de ses puces SiC pour expliquer \u00e0 la fois la robustesse du module face aux surintensit\u00e9s et le niveau r\u00e9duit de ses pertes. Le module contribue ainsi \u00e0 la fois \u00e0 la fiabilit\u00e9 des \u00e9quipements, en cas de r\u00e9gime anormal, et \u00e0 leur rendement, en fonctionnement normal, deux crit\u00e8res souvent difficiles \u00e0 concilier sur ce niveau de tension.<\/p>\n
La diode du module affiche une valeur I\u00b2t nominale de 300 kA\u00b2s, mesur\u00e9e \u00e0 une temp\u00e9rature initiale de canal de 175 \u00b0C, avec VGS = -6 V, une impulsion demi-sinuso\u00efdale unique de 10 ms et un rapport de fr\u00e9quence de 1 %. Ce param\u00e8tre traduit la capacit\u00e9 de la diode \u00e0 supporter un courant de surtension en conditions anormales.<\/p>\n
Cette robustesse contribue directement \u00e0 la fiabilit\u00e9 des \u00e9quipements, en particulier dans les applications ferroviaires et de conversion d\u2019\u00e9nergie o\u00f9 les r\u00e9gimes de d\u00e9faut doivent \u00eatre ma\u00eetris\u00e9s.<\/p>\n
La tension drain-source \u00e0 l\u2019\u00e9tat passant est de 1,4 V pour ID = 800 A, VGS = +20 V et une temp\u00e9rature de canal de 25 \u00b0C. Les pertes typiques \u00e0 l\u2019activation et \u00e0 la d\u00e9sactivation s\u2019\u00e9tablissent respectivement \u00e0 185 mJ et 175 mJ, pour VDD = 1800 V, ID = 800 A et une temp\u00e9rature de canal de 175 \u00b0C.<\/p>\n
Ces faibles pertes par conduction et par commutation am\u00e9liorent le rendement des \u00e9quipements et permettent de r\u00e9duire les besoins en refroidissement, avec \u00e0 la cl\u00e9 des conceptions potentiellement plus compactes.<\/p>\n
Le module est log\u00e9 dans le bo\u00eetier iXPLV (Intelligent Flexible Package Low Voltage), qui utilise une fixation de puce par frittage d\u2019argent pour am\u00e9liorer la r\u00e9sistance thermique et la fiabilit\u00e9. Il supporte une temp\u00e9rature de canal maximale de 175 \u00b0C.<\/p>\n
L\u2019IX800FXF2YMS4 porte \u00e0 quatre le nombre de modules MOSFET SiC en bo\u00eetier iXPLV chez Toshiba, qui pr\u00e9voit d\u2019\u00e9tendre encore cette gamme pour couvrir davantage de sp\u00e9cifications et d\u2019applications industrielles. Le fabricant affiche l\u2019objectif d\u2019am\u00e9liorer la fiabilit\u00e9 et le rendement des \u00e9quipements industriels tout en favorisant des conceptions plus compactes.<\/p>\n