Serveurs d\u2019intelligence artificielle, centres de donn\u00e9es, robotique, infrastructures \u00e9nerg\u00e9tiques : dans tous ces domaines, la cha\u00eene de conversion de puissance doit d\u00e9livrer davantage d\u2019\u00e9nergie dans un volume contraint, avec des pertes et une dissipation thermique ma\u00eetris\u00e9es. Les semi-conducteurs \u00e0 large bande interdite comme le nitrure de gallium r\u00e9pondent \u00e0 cette \u00e9quation en autorisant des fr\u00e9quences de commutation plus \u00e9lev\u00e9es. Dans ce contexte, Mouser Electronics r\u00e9f\u00e9rence d\u00e9sormais la famille de transistors GaN GaNEXUS d\u2019onsemi, une gamme de GaN FET qui s\u2019\u00e9tend de la basse \u00e0 la tr\u00e8s haute tension et vise aussi bien l\u2019IA et les data centers que l\u2019automatisation industrielle, la robotique et les infrastructures d\u2019\u00e9nergie.<\/p>\n
Les GaNEXUS sont des transistors GaN discrets \u00e0 haute mobilit\u00e9 \u00e9lectronique (HEMT), fonctionnant en mode enrichissement, sur une plage de tension allant de 40 \u00e0 650 V. onsemi y exploite les propri\u00e9t\u00e9s du nitrure de gallium pour obtenir une commutation rapide associ\u00e9e \u00e0 une faible charge de grille et de sortie, deux param\u00e8tres qui conditionnent directement les pertes dynamiques d\u2019un \u00e9tage de puissance.<\/p>\n
Pour le concepteur, l\u2019int\u00e9r\u00eat se traduit par trois leviers : monter en fr\u00e9quence de fonctionnement, accro\u00eetre la densit\u00e9 de puissance et r\u00e9duire la taille des composants magn\u00e9tiques, inductances et transformateurs, qui p\u00e8sent souvent lourd dans l\u2019encombrement d\u2019un convertisseur. La gamme est pr\u00e9sent\u00e9e comme couvrant l\u2019ensemble de la cha\u00eene de distribution d\u2019\u00e9nergie des syst\u00e8mes d\u2019alimentation modernes.<\/p>\n
Au sein de la famille, les GaN FET GaNEXUS Smart 650 V embarquent des fonctions de protection directement dans le composant. L\u2019objectif affich\u00e9 par onsemi est double : renforcer la fiabilit\u00e9 de l\u2019\u00e9tage de puissance et simplifier l\u2019int\u00e9gration au niveau syst\u00e8me.<\/p>\n
Plus largement, le fabricant met en avant une conception simplifi\u00e9e, des phases de d\u00e9veloppement et de qualification raccourcies, ainsi qu\u2019une r\u00e9duction des contraintes thermiques et des besoins de refroidissement. Ces arguments concernent directement les \u00e9quipes charg\u00e9es de dimensionner dissipateurs et ventilation dans des baies et des armoires toujours plus denses.<\/p>\n
Sur les plages basse et moyenne tension, onsemi cible les serveurs IA, les convertisseurs de bus interm\u00e9diaire (IBC) 48 V, les unit\u00e9s de secours sur batterie (BBU) et la commande de moteurs. Dans ces architectures, les transistors GaNEXUS doivent permettre de r\u00e9duire les \u00e9l\u00e9ments magn\u00e9tiques, d\u2019augmenter la densit\u00e9 de puissance et d\u2019am\u00e9liorer \u00e0 la fois le rendement et le comportement thermique.<\/p>\n
Le fabricant mentionne \u00e9galement une meilleure stabilit\u00e9 de la commande et une diminution des pertes par commutation. En commande de moteurs, utilis\u00e9e notamment en robotique et en automatisation industrielle, ces caract\u00e9ristiques s\u2019ajoutent \u00e0 l\u2019argument de compacit\u00e9 ; pour les convertisseurs 48 V des serveurs IA, c\u2019est d\u2019abord le compromis entre rendement et densit\u00e9 qui est en jeu.<\/p>\n
C\u00f4t\u00e9 haute tension, la gamme vise les tiroirs d\u2019alimentation des syst\u00e8mes d\u2019IA, la conversion CC-CC haute tension ainsi que les \u00e9tages PFC et LLC. onsemi annonce dans ce cas une r\u00e9duction pouvant atteindre 60 % de la taille des \u00e9l\u00e9ments magn\u00e9tiques dans les \u00e9tages CA-CC haute fr\u00e9quence et les \u00e9tages r\u00e9sonants, ainsi qu\u2019une densit\u00e9 de puissance accrue dans les architectures PFC, LLC et CC-CC haute tension.<\/p>\n
Les gains de rendement attendus se r\u00e9percutent sur les co\u00fbts thermiques et d\u2019exploitation, un poste surveill\u00e9 de pr\u00e8s dans les centres de donn\u00e9es. Les transistors GaN GaNEXUS sont disponibles d\u00e8s \u00e0 pr\u00e9sent aupr\u00e8s de Mouser Electronics.<\/p>\n
Si vous concevez des alimentations pour serveurs IA, des convertisseurs 48 V ou des \u00e9tages PFC et LLC, la gamme GaNEXUS d\u2019onsemi vous offre une couverture de 40 \u00e0 650 V au sein d\u2019une m\u00eame famille de GaN FET. Les versions Smart 650 V m\u00e9ritent votre attention si l\u2019int\u00e9gration des protections p\u00e8se dans votre choix de composants.<\/em><\/p>\n Mouser Electronics<\/a> | onsemi<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":" Serveurs d\u2019intelligence artificielle, centres de donn\u00e9es, robotique, infrastructures \u00e9nerg\u00e9tiques : dans tous ces domaines, la cha\u00eene de conversion de puissance doit d\u00e9livrer davantage d\u2019\u00e9nergie dans un volume contraint, avec des pertes et une dissipation thermique ma\u00eetris\u00e9es. Les semi-conducteurs \u00e0 large bande interdite comme le nitrure de gallium r\u00e9pondent \u00e0 cette \u00e9quation en autorisant des fr\u00e9quences […]<\/p>\n","protected":false},"author":39,"featured_media":500493,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":"","_ppma_block_editor_authors":""},"categories":[881],"tags":[11903,11904,3897,11905,6697,10856,1103,10553,11902],"domains":[47],"ppma_author":[6113],"class_list":["post-500486","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-nouveaux-produits","tag-conversion-de-puissance","tag-convertisseur-48-v","tag-gan-fr-2","tag-hemt-fr","tag-nitrure-de-gallium","tag-serveurs-ia","tag-transistor","tag-transistors-fr","tag-transistors-gan","domains-electronique-eci"],"acf":[],"yoast_head":"