L\u2019essor de l\u2019intelligence artificielle, des centres de donn\u00e9es et de l\u2019automatisation industrielle entra\u00eene une demande croissante en solutions de conversion d\u2019\u00e9nergie plus performantes. Pour r\u00e9pondre \u00e0 ces besoins, onsemi enrichit son offre avec les nouveaux transistors GaNEXUS au nitrure de gallium (GaN FETs), d\u00e9sormais disponibles chez Mouser Electronics. Ces composants sont con\u00e7us pour am\u00e9liorer l\u2019efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique tout en r\u00e9duisant l\u2019encombrement des syst\u00e8mes de puissance.<\/p>\n
Les transistors GaNEXUS exploitent les propri\u00e9t\u00e9s du nitrure de gallium, un mat\u00e9riau \u00e0 large bande interdite reconnu pour ses excellentes performances de commutation. Cette technologie permet d\u2019atteindre des fr\u00e9quences de fonctionnement plus \u00e9lev\u00e9es, de r\u00e9duire les pertes \u00e9nerg\u00e9tiques et d\u2019optimiser la densit\u00e9 de puissance dans de nombreuses applications, notamment les infrastructures d\u2019intelligence artificielle, les centres de donn\u00e9es, les syst\u00e8mes robotiques et les \u00e9quipements industriels.<\/p>\n
La gamme GaNEXUS couvre des tensions comprises entre 40 et 650 volts gr\u00e2ce \u00e0 des transistors HEMT en mode enrichissement. Les mod\u00e8les Smart GaN de 650 V int\u00e8grent des m\u00e9canismes de protection avanc\u00e9s qui renforcent la fiabilit\u00e9 des syst\u00e8mes et simplifient leur int\u00e9gration dans les architectures d\u2019alimentation modernes.<\/p>\n
Cette approche permet aux concepteurs de r\u00e9duire la complexit\u00e9 des d\u00e9veloppements, d\u2019acc\u00e9l\u00e9rer les phases de validation et de qualification, tout en limitant les besoins en refroidissement et en am\u00e9liorant les performances globales du syst\u00e8me.<\/p>\n
Dans les applications basse et moyenne tension, comme les serveurs d\u2019IA, les convertisseurs interm\u00e9diaires 48 V, les syst\u00e8mes de secours sur batterie ou les variateurs de moteurs, les composants GaNEXUS contribuent \u00e0 diminuer la taille des composants magn\u00e9tiques tout en augmentant l\u2019efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique et la stabilit\u00e9 du contr\u00f4le.<\/p>\n
Pour les applications haute tension, notamment les \u00e9tag\u00e8res d\u2019alimentation destin\u00e9es \u00e0 l\u2019IA, les convertisseurs DC-DC haute tension, les \u00e9tages PFC ou LLC, cette technologie permet une r\u00e9duction pouvant atteindre 60 % de la taille des composants magn\u00e9tiques. Les b\u00e9n\u00e9fices se traduisent \u00e9galement par une meilleure densit\u00e9 de puissance et une r\u00e9duction des co\u00fbts d\u2019exploitation li\u00e9s \u00e0 la gestion thermique.<\/p>\n
Les technologies d\u2019alimentation jouent un r\u00f4le essentiel dans l\u2019\u00e9volution des infrastructures num\u00e9riques et industrielles. L\u2019arriv\u00e9e des transistors GaNEXUS offre aux ing\u00e9nieurs une solution capable de r\u00e9pondre aux d\u00e9fis de performance, d\u2019efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique et de miniaturisation impos\u00e9s par l\u2019intelligence artificielle, la robotique et les syst\u00e8mes \u00e9lectriques de nouvelle g\u00e9n\u00e9ration.<\/em><\/p>\n Mouser Electronics<\/a> | onsemi<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":" L\u2019essor de l\u2019intelligence artificielle, des centres de donn\u00e9es et de l\u2019automatisation industrielle entra\u00eene une demande croissante en solutions de conversion d\u2019\u00e9nergie plus performantes. Pour r\u00e9pondre \u00e0 ces besoins, onsemi enrichit son offre avec les nouveaux transistors GaNEXUS au nitrure de gallium (GaN FETs), d\u00e9sormais disponibles chez Mouser Electronics. Ces composants sont con\u00e7us pour am\u00e9liorer l\u2019efficacit\u00e9 […]<\/p>\n","protected":false},"author":39,"featured_media":499829,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[881],"tags":[3897,6697,1103,10553],"domains":[47],"ppma_author":[6113],"class_list":["post-499824","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-nouveaux-produits","tag-gan-fr-2","tag-nitrure-de-gallium","tag-transistor","tag-transistors-fr","domains-electronique-eci"],"acf":[],"yoast_head":"