{"id":498636,"date":"2026-08-24T16:45:43","date_gmt":"2026-08-24T14:45:43","guid":{"rendered":"https:\/\/www.ecinews.fr\/?p=498636"},"modified":"2026-08-24T16:45:43","modified_gmt":"2026-08-24T14:45:43","slug":"toshiba-elargit-sa-gamme-de-mosfet-automobiles-40-v-avec-le-nouveau-xpj1r504pb","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/toshiba-elargit-sa-gamme-de-mosfet-automobiles-40-v-avec-le-nouveau-xpj1r504pb\/","title":{"rendered":"Toshiba \u00e9largit sa gamme de MOSFET automobiles 40 V avec le nouveau XPJ1R504PB"},"content":{"rendered":"<p>Toshiba Electronics Europe annonce le lancement du XPJ1R504PB, un nouveau MOSFET de puissance \u00e0 canal N de 40 V et 120 A conforme \u00e0 la norme automobile AEC-Q101. Ce composant compl\u00e8te la gamme de MOSFET Toshiba en bo\u00eetier S-TOGL et r\u00e9pond aux besoins croissants des syst\u00e8mes automobiles 12 V n\u00e9cessitant des performances \u00e9lev\u00e9es, une faible dissipation thermique et un encombrement r\u00e9duit.<\/p>\n<p>Avec l\u2019acc\u00e9l\u00e9ration de l\u2019\u00e9lectrification des v\u00e9hicules, les concepteurs d\u2019\u00e9quipements automobiles doivent relever un double d\u00e9fi : g\u00e9rer des courants toujours plus \u00e9lev\u00e9s tout en am\u00e9liorant l\u2019efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique et l\u2019int\u00e9gration des syst\u00e8mes. Le XPJ1R504PB a \u00e9t\u00e9 d\u00e9velopp\u00e9 pour r\u00e9pondre pr\u00e9cis\u00e9ment \u00e0 ces nouvelles exigences.<\/p>\n<h3>L\u2019\u00e9lectrification accro\u00eet les besoins en \u00e9lectronique de puissance<\/h3>\n<p>Les architectures automobiles modernes int\u00e8grent un nombre croissant de syst\u00e8mes \u00e9lectroniques de commande.<\/p>\n<p>Pilotes de moteurs, onduleurs, relais statiques et commutateurs de puissance sont d\u00e9sormais pr\u00e9sents dans de nombreuses fonctions du v\u00e9hicule. Ces applications exigent des composants capables de supporter des courants \u00e9lev\u00e9s tout en limitant les pertes \u00e9nerg\u00e9tiques.<\/p>\n<p>Les MOSFET de puissance jouent un r\u00f4le central dans cette \u00e9volution en assurant la conversion et le contr\u00f4le efficaces de l\u2019\u00e9nergie \u00e9lectrique.<\/p>\n<h3>Un bo\u00eetier compact con\u00e7u pour les applications \u00e0 forte densit\u00e9<\/h3>\n<p>Le XPJ1R504PB est log\u00e9 dans le bo\u00eetier S-TOGL, d\u00e9velopp\u00e9 pour r\u00e9pondre aux exigences de miniaturisation des syst\u00e8mes automobiles.<\/p>\n<p>Cette conception permet l\u2019int\u00e9gration de solutions de puissance dans des espaces r\u00e9duits tout en favorisant une densit\u00e9 de montage \u00e9lev\u00e9e. Les constructeurs peuvent ainsi optimiser l\u2019encombrement des calculateurs et des modules \u00e9lectroniques embarqu\u00e9s sans compromettre les performances.<\/p>\n<p>Cette r\u00e9duction de taille contribue directement \u00e0 l\u2019all\u00e8gement et \u00e0 la compacit\u00e9 des \u00e9quipements.<\/p>\n<h3>Une faible r\u00e9sistance pour r\u00e9duire les pertes \u00e9nerg\u00e9tiques<\/h3>\n<p>L\u2019efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique est devenue un crit\u00e8re essentiel dans les syst\u00e8mes de puissance automobiles.<\/p>\n<p>Gr\u00e2ce \u00e0 une r\u00e9sistance \u00e0 l\u2019\u00e9tat passant RDS(ON) de seulement 1,54 m\u03a9 maximum, le XPJ1R504PB limite les pertes par conduction et r\u00e9duit la chaleur g\u00e9n\u00e9r\u00e9e pendant le fonctionnement. Cette caract\u00e9ristique am\u00e9liore le rendement global des syst\u00e8mes de commande de puissance et contribue \u00e0 r\u00e9duire la consommation \u00e9nerg\u00e9tique.<\/p>\n<p>Les performances du v\u00e9hicule b\u00e9n\u00e9ficient ainsi d\u2019une meilleure gestion de l\u2019\u00e9nergie.<\/p>\n<h3>Une dissipation thermique optimis\u00e9e<\/h3>\n<p>La gestion de la chaleur constitue l\u2019un des principaux d\u00e9fis des applications de puissance.<\/p>\n<p>Le bo\u00eetier S-TOGL int\u00e8gre un cadre en cuivre \u00e9pais qui am\u00e9liore consid\u00e9rablement l\u2019\u00e9vacuation thermique. Cette conception permet de r\u00e9duire l\u2019imp\u00e9dance thermique entre la puce et le bo\u00eetier, limitant la mont\u00e9e en temp\u00e9rature du composant lors des fortes sollicitations.<\/p>\n<p>Une meilleure dissipation thermique favorise la fiabilit\u00e9 et la dur\u00e9e de vie des syst\u00e8mes \u00e9lectroniques embarqu\u00e9s.<\/p>\n<h3>Une robustesse adapt\u00e9e aux contraintes automobiles<\/h3>\n<p>Les \u00e9quipements automobiles doivent fonctionner dans des conditions particuli\u00e8rement exigeantes.<\/p>\n<p>Les variations de temp\u00e9rature, les vibrations et les contraintes m\u00e9caniques peuvent affecter la fiabilit\u00e9 des composants. Afin de r\u00e9pondre \u00e0 ces exigences, le bo\u00eetier S-TOGL utilise des broches en aile de mouette qui r\u00e9duisent les contraintes appliqu\u00e9es aux soudures et am\u00e9liorent la fiabilit\u00e9 m\u00e9canique des connexions.<\/p>\n<p>Cette architecture contribue \u00e0 garantir un fonctionnement durable dans les environnements automobiles les plus s\u00e9v\u00e8res.<\/p>\n<h3>Une solution polyvalente pour les syst\u00e8mes 12 V<\/h3>\n<p>Le nouveau MOSFET cible de nombreuses applications de puissance pr\u00e9sentes dans les v\u00e9hicules modernes.<\/p>\n<p>Il peut \u00eatre utilis\u00e9 dans les onduleurs, les relais semi-conducteurs, les commutateurs de charge et les variateurs de vitesse. Son aptitude \u00e0 supporter des courants importants tout en conservant un excellent rendement \u00e9nerg\u00e9tique lui permet de r\u00e9pondre aux besoins d\u2019un large \u00e9ventail de syst\u00e8mes \u00e9lectroniques automobiles.<\/p>\n<p>Cette polyvalence renforce l\u2019offre de Toshiba dans le domaine des composants de puissance qualifi\u00e9s automobile.<\/p>\n<p><em>Pour les ing\u00e9nieurs en \u00e9lectronique automobile, cette innovation montre que les futurs composants de puissance devront combiner forte densit\u00e9 de courant, faible r\u00e9sistance \u00e0 l\u2019\u00e9tat passant, excellente dissipation thermique et robustesse m\u00e9canique, afin d\u2019accompagner l\u2019\u00e9volution des architectures \u00e9lectriques et \u00e9lectroniques des v\u00e9hicules de nouvelle g\u00e9n\u00e9ration.<\/em><\/p>\n<p><a href=\"http:\/\/toshiba.semicon-storage.com\/eu\/top.html\">Toshiba Electronics Europe GmbH<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Toshiba Electronics Europe annonce le lancement du XPJ1R504PB, un nouveau MOSFET de puissance \u00e0 canal N de 40 V et 120 A conforme \u00e0 la norme automobile AEC-Q101. 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