Toshiba Electronics Europe renforce son portefeuille de semi-conducteurs de puissance avec le lancement du TPM1R408RH, un MOSFET canal N de 80 V con\u00e7u pour les applications industrielles \u00e0 haut rendement. Bas\u00e9 sur la technologie de fabrication U-MOS11-H, ce nouveau composant vise les alimentations \u00e0 d\u00e9coupage utilis\u00e9es dans les centres de donn\u00e9es, les infrastructures de t\u00e9l\u00e9communications et les syst\u00e8mes industriels \u00e0 forte densit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique.<\/p>\n
Alors que la consommation \u00e9lectrique des \u00e9quipements num\u00e9riques continue d\u2019augmenter, l\u2019am\u00e9lioration du rendement des \u00e9tages de conversion de puissance devient un enjeu majeur. Les pertes \u00e9lectriques, m\u00eame faibles, peuvent avoir un impact significatif sur la consommation \u00e9nerg\u00e9tique globale d\u2019une installation.<\/p>\n
L\u2019un des principaux objectifs des concepteurs d\u2019alimentations consiste \u00e0 limiter les pertes par conduction et par commutation. Le nouveau TPM1R408RH r\u00e9pond \u00e0 cette exigence gr\u00e2ce \u00e0 une r\u00e9sistance \u00e0 l\u2019\u00e9tat passant particuli\u00e8rement faible.<\/p>\n
Cette caract\u00e9ristique permet de r\u00e9duire les dissipations thermiques et d\u2019am\u00e9liorer l\u2019efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique des syst\u00e8mes fonctionnant sous fortes charges. Dans les alimentations de centres de donn\u00e9es ou les \u00e9quipements de t\u00e9l\u00e9communication, ces gains contribuent directement \u00e0 r\u00e9duire la consommation \u00e9lectrique et les besoins en refroidissement.<\/p>\n
La ma\u00eetrise des pertes \u00e9nerg\u00e9tiques devient un \u00e9l\u00e9ment essentiel dans les infrastructures num\u00e9riques modernes.<\/p>\n
Dans les applications de conversion de puissance, les ing\u00e9nieurs doivent g\u00e9n\u00e9ralement trouver un \u00e9quilibre entre r\u00e9sistance \u00e0 l\u2019\u00e9tat passant et rapidit\u00e9 de commutation.<\/p>\n
Le nouveau MOSFET de Toshiba am\u00e9liore ce compromis gr\u00e2ce \u00e0 une optimisation de la charge de grille associ\u00e9e \u00e0 sa faible r\u00e9sistance interne. Cette combinaison r\u00e9duit les pertes de commutation tout en limitant les ph\u00e9nom\u00e8nes parasites susceptibles de d\u00e9grader les performances du syst\u00e8me.<\/p>\n
Les alimentations peuvent ainsi fonctionner \u00e0 des fr\u00e9quences plus \u00e9lev\u00e9es tout en conservant un excellent rendement.<\/p>\n
Les performances d\u2019un composant de puissance ne se mesurent pas uniquement \u00e0 son rendement \u00e9nerg\u00e9tique. Les ph\u00e9nom\u00e8nes de commutation influencent \u00e9galement la qualit\u00e9 \u00e9lectromagn\u00e9tique des syst\u00e8mes.<\/p>\n
La conception du TPM1R408RH contribue \u00e0 limiter les surtensions parasites g\u00e9n\u00e9r\u00e9es lors des transitions entre l\u2019\u00e9tat passant et l\u2019\u00e9tat bloqu\u00e9. Cette r\u00e9duction des perturbations \u00e9lectromagn\u00e9tiques facilite la conformit\u00e9 aux exigences CEM et simplifie le d\u00e9veloppement des alimentations haute fr\u00e9quence.<\/p>\n
Cet avantage devient particuli\u00e8rement important dans les environnements o\u00f9 la densit\u00e9 \u00e9lectronique est \u00e9lev\u00e9e.<\/p>\n
Avec sa capacit\u00e9 \u00e0 supporter des courants importants, ce MOSFET cible les applications n\u00e9cessitant une forte densit\u00e9 de puissance.<\/p>\n
Les alimentations destin\u00e9es aux centres de donn\u00e9es, aux \u00e9quipements r\u00e9seau et aux infrastructures industrielles peuvent b\u00e9n\u00e9ficier de ses caract\u00e9ristiques pour am\u00e9liorer \u00e0 la fois leur rendement et leur compacit\u00e9.<\/p>\n
Son nouveau bo\u00eetier contribue \u00e9galement \u00e0 optimiser la dissipation thermique, permettant aux concepteurs de d\u00e9velopper des syst\u00e8mes plus denses sans compromettre leur fiabilit\u00e9.<\/p>\n
Afin de simplifier l\u2019int\u00e9gration de ses composants, Toshiba accompagne son offre de mod\u00e8les de simulation avanc\u00e9s permettant d\u2019\u00e9valuer pr\u00e9cis\u00e9ment le comportement des circuits avant leur r\u00e9alisation physique.<\/p>\n
Ces outils facilitent l\u2019analyse des ph\u00e9nom\u00e8nes transitoires et contribuent \u00e0 raccourcir les cycles de d\u00e9veloppement des nouvelles alimentations \u00e9lectroniques.<\/p>\n
Cette d\u00e9marche r\u00e9pond aux attentes des ing\u00e9nieurs confront\u00e9s \u00e0 des d\u00e9lais de mise sur le march\u00e9 toujours plus courts.<\/p>\n