{"id":497195,"date":"2026-07-10T17:52:15","date_gmt":"2026-07-10T15:52:15","guid":{"rendered":"https:\/\/www.ecinews.fr\/?p=497195"},"modified":"2026-07-10T17:52:15","modified_gmt":"2026-07-10T15:52:15","slug":"toshiba-etend-sa-gamme-de-mosfet-de-puissance-pour-les-alimentations-industrielles-24-v-et-48-v","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/toshiba-etend-sa-gamme-de-mosfet-de-puissance-pour-les-alimentations-industrielles-24-v-et-48-v\/","title":{"rendered":"Toshiba \u00e9tend sa gamme de MOSFET de puissance pour les alimentations industrielles 24 V et 48 V"},"content":{"rendered":"<p>Toshiba Electronics Europe enrichit son portefeuille de MOSFET de puissance \u00e0 canal N avec une nouvelle famille de composants con\u00e7us pour am\u00e9liorer le rendement \u00e9nerg\u00e9tique des alimentations industrielles. Cette gamme comprend neuf r\u00e9f\u00e9rences disponibles en versions 60 V et 100 V, destin\u00e9es respectivement aux architectures 24 V et 48 V de plus en plus r\u00e9pandues dans les \u00e9quipements industriels modernes.<\/p>\n<p>Alors que les infrastructures industrielles \u00e9voluent vers des tensions d\u2019alimentation plus \u00e9lev\u00e9es afin de r\u00e9duire les pertes \u00e9nerg\u00e9tiques, les composants de commutation doivent offrir une meilleure efficacit\u00e9 tout en conservant un encombrement r\u00e9duit. Cette nouvelle s\u00e9rie r\u00e9pond pr\u00e9cis\u00e9ment \u00e0 ces exigences en combinant faibles pertes, compacit\u00e9 et performances thermiques optimis\u00e9es.<\/p>\n<h4>Une r\u00e9ponse \u00e0 l\u2019\u00e9volution des architectures d\u2019alimentation industrielles<\/h4>\n<p>Le passage progressif des syst\u00e8mes traditionnels vers des alimentations 48 V constitue l\u2019une des principales \u00e9volutions du secteur industriel. Cette architecture permet de r\u00e9duire les courants circulant dans les \u00e9quipements et d\u2019am\u00e9liorer le rendement global des syst\u00e8mes.<\/p>\n<p>Cependant, les surtensions et courants d\u2019appel pr\u00e9sents sur ces lignes n\u00e9cessitent des composants capables de supporter des marges importantes en tension. Les nouveaux MOSFET 100 V d\u00e9velopp\u00e9s par Toshiba r\u00e9pondent \u00e0 ces contraintes tout en maintenant une faible r\u00e9sistance \u00e0 l\u2019\u00e9tat passant.<\/p>\n<p>Pour les applications fonctionnant sur des r\u00e9seaux 24 V, la soci\u00e9t\u00e9 propose \u00e9galement plusieurs d\u00e9clinaisons 60 V optimis\u00e9es pour diff\u00e9rents niveaux de performances.<\/p>\n<h4>Trois bo\u00eetiers pour r\u00e9pondre \u00e0 des besoins vari\u00e9s<\/h4>\n<p>Cette nouvelle g\u00e9n\u00e9ration de composants est propos\u00e9e dans trois formats diff\u00e9rents afin de s\u2019adapter \u00e0 un large \u00e9ventail de conceptions \u00e9lectroniques.<\/p>\n<p>Le bo\u00eetier SOT\u201123F vise les applications recherchant simplicit\u00e9 d\u2019int\u00e9gration et polyvalence. Le TSOP6F privil\u00e9gie quant \u00e0 lui la dissipation thermique afin de supporter des niveaux de puissance plus \u00e9lev\u00e9s. Enfin, le format UDFN6B r\u00e9pond aux contraintes de miniaturisation gr\u00e2ce \u00e0 une empreinte particuli\u00e8rement compacte.<\/p>\n<p>Cette diversit\u00e9 permet aux ing\u00e9nieurs de s\u00e9lectionner la solution la plus adapt\u00e9e \u00e0 leurs contraintes de densit\u00e9, de refroidissement et de surface de carte.<\/p>\n<h4>Une r\u00e9duction des pertes pour am\u00e9liorer l\u2019efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique<\/h4>\n<p>Malgr\u00e9 leur format r\u00e9duit, les nouveaux composants affichent des valeurs de RDS(on) particuli\u00e8rement faibles. Cette caract\u00e9ristique permet de diminuer les pertes de conduction et de limiter l\u2019\u00e9chauffement des circuits de puissance.<\/p>\n<p>Les versions optimis\u00e9es pour les architectures 24 V atteignent notamment une r\u00e9sistance \u00e0 l\u2019\u00e9tat passant de seulement 99 m\u03a9, tandis que les mod\u00e8les destin\u00e9s aux syst\u00e8mes 48 V offrent des performances adapt\u00e9es aux environnements industriels les plus exigeants.<\/p>\n<p>Cette am\u00e9lioration contribue directement \u00e0 la r\u00e9duction de la consommation \u00e9nerg\u00e9tique globale des \u00e9quipements.<\/p>\n<h4>Des applications de plus en plus diversifi\u00e9es<\/h4>\n<p>Les nouveaux MOSFET s\u2019adressent aussi bien aux syst\u00e8mes industriels qu\u2019aux \u00e9quipements \u00e9lectroniques grand public. Ils peuvent \u00eatre utilis\u00e9s dans les automates programmables, les variateurs de vitesse, les servomoteurs ou encore l\u2019\u00e9lectronique des serveurs.<\/p>\n<p>Leur faible encombrement et leur rendement \u00e9lev\u00e9 les rendent \u00e9galement adapt\u00e9s \u00e0 des applications domestiques telles que les \u00e9clairages LED, les appareils de traitement de l\u2019eau ou encore les robots de service.<\/p>\n<p><em>Pour les concepteurs de syst\u00e8mes d\u2019alimentation, cette nouvelle g\u00e9n\u00e9ration de MOSFET montre que l\u2019am\u00e9lioration de l\u2019efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique passe autant par l\u2019optimisation des architectures que par celle des composants. La possibilit\u00e9 de combiner faible RDS(on), haut rendement, dissipation thermique optimis\u00e9e et miniaturisation devient essentielle pour les alimentations industrielles modernes.<\/em><\/p>\n<p><a href=\"http:\/\/toshiba.semicon-storage.com\/eu\/top.html\">Toshiba Electronics Europe GmbH<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Toshiba Electronics Europe enrichit son portefeuille de MOSFET de puissance \u00e0 canal N avec une nouvelle famille de composants con\u00e7us pour am\u00e9liorer le rendement \u00e9nerg\u00e9tique des alimentations industrielles. 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