Toshiba Electronics Europe annonce le d\u00e9but des livraisons d\u2019\u00e9chantillons de son nouveau MOSFET SiC \u00e0 grille en tranch\u00e9e de 1200\u202fV, r\u00e9f\u00e9rence TW007D120E, con\u00e7u pour r\u00e9pondre aux besoins des syst\u00e8mes d\u2019alimentation des data centers d\u00e9di\u00e9s \u00e0 l\u2019intelligence artificielle.<\/p>\n
Ce composant s\u2019inscrit dans un contexte marqu\u00e9 par l\u2019augmentation rapide des puissances n\u00e9cessaires aux applications IA et par la mont\u00e9e en puissance des architectures HVDC 800\u202fV, qui exigent des solutions de conversion plus efficaces et plus compactes.<\/p>\n
Avec l\u2019essor de l\u2019IA g\u00e9n\u00e9rative, les centres de donn\u00e9es connaissent une hausse significative de leur consommation \u00e9nerg\u00e9tique. Les syst\u00e8mes d\u2019alimentation doivent donc \u00e9voluer pour offrir un meilleur rendement de conversion tout en limitant les pertes.<\/p>\n
Le MOSFET TW007D120E r\u00e9pond \u00e0 ces enjeux en combinant de faibles pertes de conduction et de commutation, contribuant \u00e0 am\u00e9liorer l\u2019efficacit\u00e9 globale et \u00e0 r\u00e9duire la dissipation thermique.<\/p>\n
Le composant est propos\u00e9 dans un bo\u00eetier QDPAK \u00e0 refroidissement par le dessus, permettant une meilleure \u00e9vacuation de la chaleur et une int\u00e9gration plus dense des \u00e9tages de puissance.<\/p>\n
Cette approche favorise l\u2019augmentation de la densit\u00e9 de puissance, un crit\u00e8re essentiel pour les infrastructures modernes o\u00f9 l\u2019optimisation de l\u2019espace et des performances est d\u00e9terminante.<\/p>\n
Le TW007D120E repose sur une structure propri\u00e9taire \u00e0 grille en tranch\u00e9e, permettant d\u2019obtenir une r\u00e9sistance \u00e0 l\u2019\u00e9tat passant particuli\u00e8rement faible.<\/p>\n
Avec une RDS(on) typique de 7,0\u202fm\u03a9 et une charge grille\u2011drain r\u00e9duite, ce dispositif am\u00e9liore significativement le compromis entre pertes de conduction et pertes de commutation. Compar\u00e9 \u00e0 la g\u00e9n\u00e9ration pr\u00e9c\u00e9dente, il offre des gains importants en termes d\u2019efficacit\u00e9.<\/p>\n
Ces caract\u00e9ristiques permettent de concevoir des syst\u00e8mes plus performants, tout en limitant la production de chaleur et les contraintes thermiques.<\/p>\n
Bien que destin\u00e9 en priorit\u00e9 aux data centers IA, ce MOSFET convient \u00e9galement \u00e0 d\u2019autres applications exigeantes, telles que les onduleurs photovolta\u00efques, les syst\u00e8mes UPS, les infrastructures de recharge pour v\u00e9hicules \u00e9lectriques et les solutions de stockage d\u2019\u00e9nergie.<\/p>\n
Cette polyvalence en fait une brique technologique cl\u00e9 pour l\u2019\u00e9volution des syst\u00e8mes de conversion de puissance.<\/p>\n
Toshiba pr\u00e9voit une mise en production du composant au cours de l\u2019exercice 2026 et poursuit le d\u00e9veloppement de sa gamme, notamment en direction des applications automobiles.<\/p>\n
Cette strat\u00e9gie s\u2019inscrit dans un objectif plus large d\u2019am\u00e9lioration de l\u2019efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique et de r\u00e9duction des \u00e9missions de CO\u2082 dans les infrastructures num\u00e9riques et industrielles.<\/p>\n