{"id":488576,"date":"2025-11-29T10:34:35","date_gmt":"2025-11-29T09:34:35","guid":{"rendered":"https:\/\/www.ecinews.fr\/?p=488576"},"modified":"2025-11-29T10:34:35","modified_gmt":"2025-11-29T09:34:35","slug":"hausse-des-matieres-premieres-sic-et-guerre-des-prix-pour-les-substrats-de-6-pouces","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/hausse-des-matieres-premieres-sic-et-guerre-des-prix-pour-les-substrats-de-6-pouces\/","title":{"rendered":"Hausse des mati\u00e8res premi\u00e8res SiC et guerre des prix pour les substrats de 6 pouces"},"content":{"rendered":"

La cha\u00eene d’approvisionnement en carbure de silicium (SiC) entre dans une phase de march\u00e9 divis\u00e9e, avec des mati\u00e8res premi\u00e8res SiC dont le prix augmente tandis que les substrats<\/a> pour machines de production de 6 pouces subissent une forte pression sur les prix. Pour les concepteurs de produits de puissance et pour l’automobiles, cette divergence pourrait potentiellement remodeler les structures de co\u00fbts des composants, au moment m\u00eame o\u00f9 le carbure de silicium est utilis\u00e9 dans les acc\u00e9l\u00e9rateurs d’intelligence artificielle et les plateformes de calcul haute performance.<\/p>\n

Tendances divergentes en mati\u00e8re de prix du SiC<\/h2>\n

Selon les donn\u00e9es du march\u00e9 cit\u00e9es par TrendForce<\/a>, les poudres et les grains de SiC en vrac, y compris les qualit\u00e9s noires et vertes, ont connu des augmentations de prix progressives. Les transactions r\u00e9centes sont signal\u00e9es \u00e0 environ 6 271 CNY par tonne m\u00e9trique, soit une augmentation d’environ 0,21 % d’une semaine \u00e0 l’autre. Cette \u00e9volution est attribu\u00e9e \u00e0 la fermet\u00e9 des co\u00fbts des mati\u00e8res premi\u00e8res, \u00e0 l’augmentation de la demande en aval et aux ajustements de l’offre li\u00e9s aux inspections environnementales et aux contraintes de capacit\u00e9, effets qui, ensemble, entra\u00eenent une augmentation des co\u00fbts dans la cha\u00eene de distribution.<\/p>\n

En revanche, les substrats de plaquettes SiC de 6 pouces destin\u00e9s aux composants de puissance sont entr\u00e9s dans ce qui est d\u00e9crit comme une guerre des prix. L’expansion rapide des capacit\u00e9s des principaux fournisseurs mondiaux a entra\u00een\u00e9 une surabondance de l’offre, et les prix seraient tomb\u00e9s sous la barre des 500 dollars am\u00e9ricains par plaquette de la mi-2024 au quatri\u00e8me trimestre, soit une baisse de plus de 20 %. Jusqu’en 2025, les cotations courantes devraient osciller autour de 400 dollars ou moins, certains fournisseurs proposant des prix proches du co\u00fbt de production, ce qui pourrait acc\u00e9l\u00e9rer la consolidation parmi les producteurs de substrats.<\/p>\n

L’IA et le HPC poussent les SiC \u00e0 jouer des r\u00f4les \u00e0 haute valeur ajout\u00e9e<\/h2>\n

Au-del\u00e0 de l’\u00e9lectronique de puissance, le SiC se positionne de plus en plus comme un mat\u00e9riau de gestion thermique pour les plateformes d’intelligence artificielle et de calcul \u00e0 haute performance (HPC). Avec l’augmentation des densit\u00e9s de puissance des GPU, les solutions thermiques conventionnelles peinent \u00e0 suivre, et le SiC, dont la conductivit\u00e9 thermique peut atteindre environ 500 W par m\u00e8tre Kelvin, appara\u00eet comme un candidat pour la diffusion de la chaleur et les structures porteuses.<\/p>\n

TrendForce rapporte que NVIDIA devrait int\u00e9grer le SiC dans sa plateforme Rubin AI vers 2025, en utilisant le packaging avanc\u00e9 CoWoS de TSMC pour remplacer les interposeurs en silicium conventionnels par du SiC afin de mieux g\u00e9rer les charges thermiques \u00e9lev\u00e9es. Parall\u00e8lement, TSMC travaille avec des fournisseurs sur des cartes porteuses SiC monocristallines de 12 pouces pour remplacer les c\u00e9ramiques traditionnelles dans les syst\u00e8mes HPC, le fournisseur chinois SICC \u00e9chantillonnant d\u00e9j\u00e0 une gamme compl\u00e8te de substrats SiC de 12 pouces pour r\u00e9pondre \u00e0 cette demande.<\/p>\n

Alors que les grands centres de donn\u00e9es s’orientent vers des architectures \u00e0 courant continu \u00e0 haute tension de 800 V, les composants d’alimentation en SiC devraient b\u00e9n\u00e9ficier d’un meilleur rendement et d’une r\u00e9duction des pertes au niveau du syst\u00e8me. Parall\u00e8lement, l’indice de r\u00e9fraction \u00e9lev\u00e9 du SiC, de l’ordre de 2,6 \u00e0 2,7, est \u00e9valu\u00e9 pour les optiques AR, MR et VR, o\u00f9 il pourrait potentiellement permettre des optiques plus fines et des champs de vision plus larges par rapport au verre conventionnel.<\/p>\n

Implications pour les fabricants europ\u00e9ens d’appareils \u00e9lectriques<\/h2>\n

Si les mati\u00e8res premi\u00e8res SiC continuent d’augmenter tandis que les substrats de 6 pouces restent sous pression, les IDM et les fabricants de modules europ\u00e9ens pourraient \u00e9ventuellement voir une fen\u00eatre pour verrouiller des contrats de wafers plus comp\u00e9titifs, en particulier pour les lignes qualifi\u00e9es pour l’automobile. Dans le m\u00eame temps, toute \u00e9volution structurelle vers des supports SiC de 12 pouces et des packaging avanc\u00e9s pour les acc\u00e9l\u00e9rateurs d’IA pourrait tirer le savoir-faire et les investissements en mati\u00e8re de processus vers le haut de la cha\u00eene de valeur, avec d’\u00e9ventuelles retomb\u00e9es pour les sp\u00e9cialistes europ\u00e9ens du packaging et des mat\u00e9riaux.<\/p>\n

\u00c0 court terme, le message pour les ing\u00e9nieurs et les \u00e9quipes d’approvisionnement est que le SiC n’est plus seulement une option \u00e0 large bande interdite pour les composants de puissance \u00e0 haute tension. Il se positionne de plus en plus comme un mat\u00e9riau strat\u00e9gique pour la gestion thermique de l’IA et l’optique avanc\u00e9e, tandis que sa propre base de co\u00fbts est remodel\u00e9e par la tarification des mati\u00e8res premi\u00e8res SiC d’un c\u00f4t\u00e9 et la concurrence des prix des substrats de l’autre.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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