L’utilisation de la technologie SiC offre la faible \u00e9nergie de recouvrement inverse et la commutation rapide n\u00e9cessaires pour atteindre les rendements \u00e9nerg\u00e9tiques \u00e9lev\u00e9s que n\u00e9cessitent certaines applications telles que les onduleurs PV. <\/p>\n
\u00ab La technologie carbure de silicium (SiC) a le potentiel de r\u00e9volutionner le march\u00e9 de l’\u00e9nergie, \u00bb affirme Asif Jakwani, Vice-Pr\u00e9sident Senior de la division Advanced Power chez ON Semiconductor. \u00ab Les modules de puissance int\u00e9gr\u00e9s \u00e0 base de-SiC d\u00e9velopp\u00e9s par ON Semiconductor d\u00e9montrent la maturit\u00e9 de la technologie SiC tout en r\u00e9pondant au besoin de rendement \u00e9lev\u00e9 des syst\u00e8mes tels que les onduleurs photovolta\u00efques qui fonctionnent \u00e0 des niveaux de puissance \u00e9lev\u00e9s. \u00bb <\/p>\n
\u00ab Dans le cadre de nos efforts pour proposer des solutions innovantes, propres et \u00e0 haut rendement \u00e9nerg\u00e9tique pour un avenir meilleur, nous cherchons toujours \u00e0 nous engager avec des fournisseurs qui peuvent nous aider \u00e0 atteindre les plus hauts rendements, \u00e0 r\u00e9duire le volume et le poids des produits, et \u00e0 r\u00e9pondre aux besoins du march\u00e9 mondial du photovolta\u00efque solaire, \u00bb d\u00e9clare Raymond Lee, Directeur de la division Onduleurs PV chez Delta. Il ajoute : \u00ab Les modules de puissance \u00e0 base de-SiC d’ON Semiconductor ont \u00e9t\u00e9 retenus pour notre onduleur triphas\u00e9 de cha\u00eenes PV, M70A de 70 kW, car ils offrent les meilleures performances de leur cat\u00e9gorie, ce qui, combin\u00e9 \u00e0 notre savoir-faire unique en mati\u00e8re d’\u00e9lectronique de puissance \u00e0 haut rendement, permet \u00e0 nos produits d’atteindre un rendement de conversion \u00e9nerg\u00e9tique pouvant atteindre 98,8%. \u00bb <\/p>\n
Dans le cadre du d\u00e9veloppement par ON Semiconductor de son offre produits de modules de puissance int\u00e9gr\u00e9s (PIM) bas\u00e9s sur , le NXH40B120MNQ offre un haut niveau d’int\u00e9gration et un brochage optimis\u00e9 pour la conception d’onduleurs. Gr\u00e2ce aux composants\u00e0 base de SiC, ce module de puissance pr\u00e9sente de faibles pertes de conduction et de commutation, ce qui permet d\u2019avoir des fr\u00e9quences de commutation plus \u00e9lev\u00e9es, et contribue \u00e0 un meilleur rendement de conversion. Les modules sont faciles \u00e0 utiliser, avec des connexions \u00ab press-fit \u00bb sans soudure, et des options d’interface thermique au choix du client, en fonction de ses pr\u00e9f\u00e9rences.<\/p>\n
Le module de puissance \u00e0 base de -SiC, NXH40B120MNQ, est disponible en variantes 2 ou 3 canaux, et il est compl\u00e9t\u00e9 par le NXH80B120MNQ0, un module 2 canaux int\u00e9grant un MOSFET SiC 1 200 V, 80 m\u03a9 et une diode SiC 1 200 V, 20 A. <\/p>\n