{"id":486763,"date":"2025-10-10T18:10:16","date_gmt":"2025-10-10T16:10:16","guid":{"rendered":"https:\/\/www.ecinews.fr\/?p=486763"},"modified":"2025-10-10T18:10:16","modified_gmt":"2025-10-10T16:10:16","slug":"imec-lance-un-programme-gan-300-mm-pour-composants-de-puissance","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/imec-lance-un-programme-gan-300-mm-pour-composants-de-puissance\/","title":{"rendered":"Imec lance un programme GaN 300 mm pour composants de puissance"},"content":{"rendered":"

Imec a lanc\u00e9<\/a> un nouveau programme d’innovation ouverte ax\u00e9 sur la technologie GaN<\/a> 300 mm pour l’\u00e9lectronique de puissance \u00e0 basse et haute tension<\/a>. Cette initiative vise \u00e0 am\u00e9liorer les performances des composants GaN tout en r\u00e9duisant les co\u00fbts de fabrication, ce qui constitue une avanc\u00e9e majeure pour l’industrie des semi-conducteurs<\/a> de puissance.<\/p>\n

Pour les lecteurs d’ECInews – en particulier ceux des \u00e9cosyst\u00e8mes de l’\u00e9lectronique de puissance, des semi-conducteurs et des fonderies – ce d\u00e9veloppement met en \u00e9vidence un changement cl\u00e9 vers le traitement des wafers GaN de 300 mm ( actuellement les composants GaN sont fabriqu\u00e9s sur des wafers de 200 mm et 150mm ) qui pourrait acc\u00e9l\u00e9rer l’adoption du GaN dans l’automobile, les centres de donn\u00e9es et les applications d’\u00e9nergie renouvelable.<\/p>\n

Extension du GaN \u00e0 300 mm pour des raisons de performance et de rentabilit\u00e9<\/h2>\n

Le programme GaN 300 mm, qui fait partie du programme d’affiliation industrielle (IIAP) de l’imec sur l’\u00e9lectronique de puissance GaN, r\u00e9unit des acteurs majeurs comme AIXTRON, GlobalFoundries, KLA Corporation, Synopsys et Veeco en tant que premiers partenaires. La collaboration se concentrera sur le d\u00e9veloppement de la croissance \u00e9pitaxiale du GaN et des flux de processus des transistors \u00e0 haute mobilit\u00e9 \u00e9lectronique (HEMT) compatibles avec les plaquettes de 300 mm.<\/p>\n

\"Imec

Plaquette de 300 mm de GaN-sur-Si d’AIXTRON inspect\u00e9e sur l’outil 8 Series \/ CIRCLTM de KLA Corporation, apr\u00e8s gravure de p-GaN par imec (Source : Imec<\/a>).<\/em><\/p><\/div>\n

\u00ab\u00a0Les avantages du passage aux plaquettes de 300 mm vont au-del\u00e0 de l’augmentation de la production et de la r\u00e9duction des co\u00fbts de fabrication\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Stefaan Decoutere, membre et directeur du programme d’\u00e9lectronique de puissance GaN de l’imec. \u00ab\u00a0Notre technologie GaN compatible CMOS a d\u00e9sormais acc\u00e8s \u00e0 un \u00e9quipement de pointe de 300 mm qui nous permettra de d\u00e9velopper des composants de puissance plus avanc\u00e9s \u00e0 base de GaN. Par exemple, les HEMT \u00e0 grille p-GaN \u00e0 faible tension \u00e0 \u00e9chelle agressive sont utilis\u00e9s dans les convertisseurs de point de charge, ce qui permet une distribution d’\u00e9nergie efficace pour les CPU et les GPU.\u00a0\u00bb<\/p>\n

Le passage des plaques de 200 mm \u00e0 celles de 300 mm permet d’augmenter la production, d’am\u00e9liorer l’uniformit\u00e9 et la compatibilit\u00e9 avec l’infrastructure CMOS existante, ce qui est essentiel pour r\u00e9duire les co\u00fbts et permettre l’int\u00e9gration avec d’autres technologies. La nouvelle piste s’appuie sur l’expertise de l’imec en mati\u00e8re de GaN \u00e0 200 mm et vise \u00e0 \u00e9tablir une plate-forme de r\u00e9f\u00e9rence \u00e0 300 mm pour les applications \u00e0 basse et \u00e0 haute tension.<\/p>\n

Construire l’\u00e9cosyst\u00e8me du GaN \u00e0 300 mm<\/h2>\n

Les premiers travaux se concentreront sur le d\u00e9veloppement de la technologie HEMT p-GaN lat\u00e9rale sur des substrats Si(111) de 300 mm pour les composants de puissance \u00e0 faible tension (100 V et plus), en abordant les \u00e9tapes du processus telles que la gravure du p-GaN et la formation de contacts ohmiques. La phase suivante vise les d\u00e9veloppements GaN-on-QST\u00ae \u00e0 haute tension (650 V et au-del\u00e0) en utilisant des substrats techniques compatibles CMOS avec un noyau AlN polycristallin.<\/p>\n

Par ailleurs, le contr\u00f4le de l’arc et de la r\u00e9sistance m\u00e9canique des plaquettes est une pr\u00e9occupation majeure \u00e0 mesure que le programme s’\u00e9tend \u00e0 300 mm. Imec pr\u00e9voit de disposer de capacit\u00e9s GaN de 300 mm dans sa salle blanche d’ici \u00e0 la fin de 2025.<\/p>\n

\"Jeu

Jeu de masques de d\u00e9veloppement pour les HEMT GaN sur des substrats de 300 mm (Source : Imec<\/a>).<\/em><\/p><\/div>\n

\u00ab\u00a0Le succ\u00e8s du d\u00e9veloppement du GaN \u00e0 300 mm d\u00e9pend \u00e9galement de la capacit\u00e9 \u00e0 \u00e9tablir un \u00e9cosyst\u00e8me solide et \u00e0 stimuler conjointement l’innovation, depuis la croissance du GaN \u00e0 300 mm et l’int\u00e9gration des processus jusqu’aux solutions de packaging\u00a0\u00bb, a ajout\u00e9 M. Decoutere. \u00ab\u00a0Nous sommes donc heureux d’annoncer qu’AIXTRON, GlobalFoundries, KLA Corporation, Synopsys et Veeco sont les premiers partenaires de notre programme ouvert de R&D sur le GaN \u00e0 300 mm et nous esp\u00e9rons accueillir d’autres partenaires prochainement.\u00a0\u00bb<\/p>\n

En r\u00e9unissant les principales soci\u00e9t\u00e9s d’\u00e9quipement et de conception, l’imec vise \u00e0 acc\u00e9l\u00e9rer la transition des composants de puissance GaN vers une fabrication \u00e0 grande \u00e9chelle et rentable, ouvrant ainsi la voie \u00e0 une \u00e9lectronique plus efficace, plus compacte et plus durable dans tous les secteurs d’activit\u00e9.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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