Les mod\u00e8les TP65H030G4PRS, TP65H030G4PWS et TP65H030G4PQS sont optimis\u00e9s pour les applications multi-kilowatts, notamment les architectures HVDC 800 V, les onduleurs solaires, les syst\u00e8mes UPS et le stockage d\u2019\u00e9nergie. Gr\u00e2ce \u00e0 une conception en mode de d\u00e9pl\u00e9tion (d-mode) normalement d\u00e9sactiv\u00e9e, ces FET offrent une compatibilit\u00e9 avec les pilotes standards en silicium, simplifiant ainsi leur int\u00e9gration dans les conceptions existantes.<\/p>\n
Avec une puce 14 % plus petite que la g\u00e9n\u00e9ration pr\u00e9c\u00e9dente, ces nouveaux FET atteignent une RDS(on) de seulement 30 m\u2126, tout en am\u00e9liorant de 20 % le produit figure de m\u00e9rite (FOM). Disponibles dans des bo\u00eetiers TOLT, TO-247 et TOLL, ils permettent une gestion thermique optimis\u00e9e et une densit\u00e9 de puissance accrue, jusqu\u2019\u00e0 10 kW et plus gr\u00e2ce au parall\u00e9lisme.Avec plus de 20 millions de composants GaN d\u00e9j\u00e0 livr\u00e9s, Renesas confirme son engagement \u00e0 fournir des solutions de puissance compl\u00e8tes, fiables et pr\u00eates pour les d\u00e9fis de demain. Ces nouveaux FET Gen IV Plus marquent une \u00e9tape cl\u00e9 vers des syst\u00e8mes plus compacts, plus efficaces et plus durables.<\/p>\n