{"id":482525,"date":"2025-07-02T21:59:10","date_gmt":"2025-07-02T19:59:10","guid":{"rendered":"https:\/\/www.ecinews.fr\/?p=482525"},"modified":"2025-07-02T21:59:10","modified_gmt":"2025-07-02T19:59:10","slug":"renesas-redouble-defforts-dans-le-domaine-du-gan","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/renesas-redouble-defforts-dans-le-domaine-du-gan\/","title":{"rendered":"Renesas redouble d&rsquo;efforts dans le domaine du GaN"},"content":{"rendered":"<p>Renesas Electronics affirme qu&rsquo;elle redouble d&rsquo;efforts dans le domaine des dispositifs de puissance au nitrure de gallium (GaN) en passant \u00e0 des plaquettes de 200 mm avec des composants en mode 650 V, alors que le march\u00e9 s&rsquo;\u00e9chauffe.<\/p>\n<p>Navitas Semiconductor passe \u00e9galement aux plaquettes de 200 mm dans le cadre d&rsquo;un accord avec Powerchip et Infineon Technologies pr\u00e9pare la production sur des plaquettes encore plus grandes de 300 mm.<\/p>\n<p>Cette d\u00e9cision de Renesas s&rsquo;appuie sur un r\u00e9cent accord de partenariat avec <a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/polar-licenses-renesas-gan-on-si-technology-for-us-production\/\">Polar Semiconductor aux \u00c9tats-Unis<\/a>, ainsi que sur la production au Japon d&rsquo;une deuxi\u00e8me usine de 200 mm \u00e0 partir de 2027. La soci\u00e9t\u00e9 a annonc\u00e9 qu&rsquo;elle avait interrompu le d\u00e9veloppement des composants de puissance en carbure de silicium (SiC) et en silicium IGBT pour se concentrer sur le GaN.<\/p>\n<ul>\n<li><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/renesas-holds-fire-on-sic\/\">Renesas maintient le cap sur la production de SiC<\/a><\/li>\n<li><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/wolfspeed-to-file-for-chapter-11-bankruptcy\/\">Renesas b\u00e9n\u00e9ficie de l&rsquo;accord de Wolfspeed au titre du chapitre 11<\/a><\/li>\n<\/ul>\n<p>\u00ab\u00a0Renesas redouble d&rsquo;efforts dans les domaines du GaN et des MOSFET o\u00f9 la demande est soutenue\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Primit Parikh, directeur g\u00e9n\u00e9ral de la division GaN. Cette division a regroup\u00e9 le d\u00e9veloppeur de puces GaN Transphorm, dont M. Parikh \u00e9tait cofondateur, et les puces de contr\u00f4le et de pilotage de Dialog Semiconductor.<\/p>\n<p>Les dispositifs bidirectionnels \u00e0 mode de d\u00e9pl\u00e9tion (mode d) ont une structure plus simple et une r\u00e9sistance plus faible par zone, ce qui permet d&rsquo;obtenir des dispositifs moins co\u00fbteux. L&rsquo;accent est mis sur les composants 650V pour les centres de donn\u00e9es, et la capacit\u00e9 bidirectionnelle peut prendre en charge +-400V pour les r\u00e9seaux de distribution d&rsquo;\u00e9nergie 800V tels que le <a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/nvidia-consortium-pushes-800v-power-distribution-for-ai-datacentres\/\">consortium promu par Nvidia<\/a>.<\/p>\n<p>En revanche, il n&rsquo;y a pas de projet pour les <a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/transphorm-takes-on-sic-with-simulation-model-of-first-1200v-gan-on-sapphire-device\/\">composants \u00e0 plus haute tension 1200V<\/a> qui \u00e9taient en cours de d\u00e9veloppement chez Transphorm. \u00ab\u00a0La tension de 1200 V est en suspens, car nous surveillons le march\u00e9 et discutons avec les clients\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 M. Parikh.<\/p>\n<ul>\n<li><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/taking-gan-over-1200v\/\">Faire passer le GaN \u00e0 plus de 1200V<\/a><\/li>\n<li><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/infineon-shows-its-first-300m-gan-wafer\/\">Infineon pr\u00e9sente sa premi\u00e8re plaquette de 300 mm en GaN<\/a><\/li>\n<\/ul>\n<p>Les analystes du march\u00e9 s&rsquo;attendent \u00e0 ce que le chiffre d&rsquo;affaires du GaN pour les applications de puissance augmente de 36 % par an pour atteindre environ 2,5 milliards de dollars am\u00e9ricains d&rsquo;ici 2030, bien que ce chiffre puisse \u00eatre sous-estim\u00e9 \u00e9tant donn\u00e9 que la technologie est utilis\u00e9e dans les centres de donn\u00e9es d&rsquo;intelligence artificielle pour am\u00e9liorer l&rsquo;efficacit\u00e9.<\/p>\n<h4>L&rsquo;accord GaN de Navitas<\/h4>\n<p>Navitas Semiconductor a annonc\u00e9 aujourd&rsquo;hui un partenariat strat\u00e9gique avec Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC ou Powerchip), afin de lancer la production et de poursuivre le d\u00e9veloppement de la technologie GaN sur silicium de 200 mm.<\/p>\n<p>Navitas pr\u00e9voit d&rsquo;utiliser la puce\u00a0 de Powerchip dans la Fab 8B, situ\u00e9e dans le parc scientifique de Zhunan, \u00e0 Ta\u00efwan, qui offre un processus de 180 nm permettant d&rsquo;am\u00e9liorer les performances, l&rsquo;efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique, l&rsquo;int\u00e9gration et le co\u00fbt.<\/p>\n<p>\u00ab\u00a0La production de GaN sur silicium de 200 mm sur un n\u0153ud de processus de 180 nm nous permet de continuer \u00e0 innover des dispositifs \u00e0 densit\u00e9 de puissance plus \u00e9lev\u00e9e, plus rapides et plus efficaces, tout en am\u00e9liorant simultan\u00e9ment les co\u00fbts, l&rsquo;\u00e9chelle et les rendements de fabrication\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 le Dr Sid Sundaresan, SVP des plates-formes technologiques WBG chez Navitas.<\/p>\n<p>Powerchip devrait fabriquer le portefeuille Navitas avec des tensions nominales de 100V \u00e0 650V, pour r\u00e9pondre \u00e0 la demande croissante de GaN pour les infrastructures 48V, y compris les centres de donn\u00e9es d&rsquo;IA \u00e0 grande \u00e9chelle et les VE. La qualification des premiers dispositifs est pr\u00e9vue pour le quatri\u00e8me trimestre 2025.<\/p>\n<p>La famille 100V devrait commencer \u00e0 \u00eatre produite par Powerchip au premier semestre 26, tandis que l&rsquo;entreprise pr\u00e9voit que les dispositifs 650V passeront du fournisseur actuel de Navitas, TSMC, \u00e0 Powerchip au cours des 12 \u00e0 24 prochains mois.<\/p>\n<p>\u00ab\u00a0Nous sommes fiers de nous associer \u00e0 Powerchip pour faire progresser la production en grand volume de GaN sur silicium de 200 mm et nous nous r\u00e9jouissons de poursuivre l&rsquo;innovation ensemble dans les ann\u00e9es \u00e0 venir\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Gene Sheridan, PDG et cofondateur de Navitas. \u00ab\u00a0Gr\u00e2ce \u00e0 notre partenariat avec Powerchip, nous sommes bien plac\u00e9s pour r\u00e9aliser des progr\u00e8s soutenus en mati\u00e8re de performance des produits, d&rsquo;\u00e9volution technologique et de rentabilit\u00e9.\u00a0\u00bb<\/p>\n<p>\u00ab\u00a0Powerchip collabore depuis des ann\u00e9es avec Navitas sur la technologie GaN-on-Si, et nous sommes ravis d&rsquo;annoncer que la qualification du produit est presque termin\u00e9e, ce qui nous rapproche de la production de masse\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Martin Chu, pr\u00e9sident de Powerchip.<\/p>\n<h4>Plaquettes de 300 mm<\/h4>\n<p>Infineon pr\u00e9voit \u00e9galement que les premiers \u00e9chantillons de dispositifs GaN provenant de plaquettes de 300 mm seront disponibles pour les clients d&rsquo;ici la fin de l&rsquo;ann\u00e9e.<\/p>\n<p>\u00ab\u00a0Notre fabrication GaN 300 mm \u00e0 pleine \u00e9chelle nous permettra d&rsquo;offrir encore plus rapidement la plus grande valeur \u00e0 nos clients tout en progressant vers la parit\u00e9 des co\u00fbts pour des produits comparables en silicium et en GaN\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Johannes Schoiswohl, responsable de la ligne d&rsquo;activit\u00e9 GaN chez Infineon. \u00ab\u00a0Pr\u00e8s d&rsquo;un an apr\u00e8s l&rsquo;annonce de la perc\u00e9e d&rsquo;Infineon dans la technologie des plaquettes GaN de 300 millim\u00e8tres, nous sommes heureux de constater que notre processus de transition est en bonne voie et que l&rsquo;industrie a reconnu l&rsquo;importance de la technologie GaN d&rsquo;Infineon gr\u00e2ce \u00e0 la force de notre strat\u00e9gie IDM.<\/p>\n<p>Le diam\u00e8tre plus important des plaquettes permet de produire 2,3 fois plus de puces par plaquette, mais n\u00e9cessite \u00e9galement un r\u00e9acteur \u00e9pitaxial \u00e0 plaquette unique, au lieu de traiter plusieurs plaquettes de 200 mm, explique M. Parikh, de Renesas.<\/p>\n<p>\u00ab\u00a0La mise \u00e0 l&rsquo;\u00e9chelle des plaquettes d&rsquo;\u00e9pi est tr\u00e8s diff\u00e9rente pour 300 mm, car vous passez de r\u00e9acteurs multiplaquettes \u00e0 des r\u00e9acteurs \u00e0 plaquette unique, mais l&rsquo;impact r\u00e9el doit \u00eatre \u00e9tudi\u00e9\u00a0\u00bb, a-t-il d\u00e9clar\u00e9. \u00ab\u00a0Nous pensons que 8 pouces suffiront pendant un certain nombre d&rsquo;ann\u00e9es, quatre \u00e0 cinq, car les pi\u00e8ces \u00e0 faible tension avec des couches d&rsquo;\u00e9pi plus fines passeront d&rsquo;abord \u00e0 12 pouces.<\/p>\n<p>www.renesas.com <a href=\"http:\/\/www.renesas.com\">;<\/a> <a href=\"http:\/\/www.navitassemi.com\">www.navitassemi.com ;<\/a> <a href=\"http:\/\/www.infineon.com\">www.infineon.com<\/a><\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Renesas Electronics affirme qu&rsquo;elle redouble d&rsquo;efforts dans le domaine des dispositifs de puissance au nitrure de gallium (GaN) en passant \u00e0 des plaquettes de 200 mm avec des composants en mode 650 V, alors que le march\u00e9 s&rsquo;\u00e9chauffe. 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