{"id":477489,"date":"2025-04-14T10:19:16","date_gmt":"2025-04-14T08:19:16","guid":{"rendered":"https:\/\/www.ecinews.fr\/?p=477489"},"modified":"2025-04-14T09:19:02","modified_gmt":"2025-04-14T07:19:02","slug":"sandisk-relance-la-memoire-a-changement-de-phase","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/sandisk-relance-la-memoire-a-changement-de-phase\/","title":{"rendered":"Sandisk relance la m\u00e9moire \u00e0 changement de phase"},"content":{"rendered":"<h3><span style=\"font-size: 16px;\">Il semblerait que Sandisk travaille sur une m\u00e9moire non volatile \u00e0 changement de phase sous la direction d&rsquo;un cadre qui a g\u00e9r\u00e9 l&rsquo;activit\u00e9 de m\u00e9moire Optane bas\u00e9e sur 3D XPoint d&rsquo;Intel.<\/span><\/h3>\n<p>Lorsque Sandisk a \u00e9t\u00e9 s\u00e9par\u00e9e de la soci\u00e9t\u00e9 de stockage de donn\u00e9es Western Digital en f\u00e9vrier 2025, l&rsquo;entreprise a d\u00e9clar\u00e9 qu&rsquo;elle avait l&rsquo;intention de fournir des produits de m\u00e9moire flash tout en poursuivant le d\u00e9veloppement de technologies de m\u00e9moire \u00e9mergentes et perturbatrices.<\/p>\n<blockquote class=\"wp-embedded-content\" data-secret=\"s4vQ5d3uNE\"><p><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/sandisk-to-pursue-emerging-memory-technology-after-split\/\">Sandisk to pursue emerging memory technology after split<\/a><\/p><\/blockquote>\n<p><iframe class=\"wp-embedded-content lazyload\" sandbox=\"allow-scripts\" security=\"restricted\" style=\"position: absolute; visibility: hidden;\" title=\"\u00ab\u00a0Sandisk to pursue emerging memory technology after split\u00a0\u00bb &#8212; EENewsEurope\" data-src=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/sandisk-to-pursue-emerging-memory-technology-after-split\/embed\/#?secret=HPFjaLiss2#?secret=s4vQ5d3uNE\" data-secret=\"s4vQ5d3uNE\" width=\"500\" height=\"282\" frameborder=\"0\" marginwidth=\"0\" marginheight=\"0\" scrolling=\"no\" src=\"data:image\/svg+xml;base64,PHN2ZyB3aWR0aD0iMSIgaGVpZ2h0PSIxIiB4bWxucz0iaHR0cDovL3d3dy53My5vcmcvMjAwMC9zdmciPjwvc3ZnPg==\" data-load-mode=\"1\"><\/iframe><\/p>\n<p>Lors de la journ\u00e9e des investisseurs de Sandisk qui s&rsquo;est tenue le 11 f\u00e9vrier, peu avant la scission, Alper Ilkbahar, le nouveau vice-pr\u00e9sident senior de la technologie de la m\u00e9moire, a d\u00e9crit ce qu&rsquo;il a appel\u00e9 la m\u00e9moire matricielle 3D comme un d\u00e9veloppement futur pour l&rsquo;entreprise. Avant de rejoindre Western Digital\/Sandisk en f\u00e9vrier 2022, Ilkbahar travaillait chez Intel depuis septembre 2016, d&rsquo;abord en tant que directeur g\u00e9n\u00e9ral de la m\u00e9moire pour centres de donn\u00e9es et, depuis octobre 2020, en tant que directeur de l&rsquo;activit\u00e9 m\u00e9moire Optane.<\/p>\n<p>Dans sa pr\u00e9sentation, Ilkbahar a indiqu\u00e9 que Sandisk travaillait sur la technologie 3D Matrix Memory depuis 2017 et qu&rsquo;elle \u00e9tait entr\u00e9e dans une \u00ab\u00a0phase de production\u00a0\u00bb gr\u00e2ce \u00e0 un partenariat avec l&rsquo;IMEC (Louvain, Belgique) qui a d\u00e9but\u00e9 en 2024 sous le titre Project Neo. Ce partenariat se poursuit et vise \u00e0 combler le \u00ab\u00a0foss\u00e9 entre le laboratoire et la fabrication\u00a0\u00bb, ce qui, selon Ilkbahar, est particuli\u00e8rement n\u00e9cessaire lorsque l&rsquo;on travaille avec de \u00ab\u00a0nouveaux ensembles de mat\u00e9riaux.\u00a0\u00bb<\/p>\n<p>Dans sa pr\u00e9sentation, Ilkbahar n&rsquo;a pas divulgu\u00e9 l&rsquo;ensemble des mat\u00e9riaux ou la base op\u00e9rationnelle de la m\u00e9moire matricielle 3D. Il n&rsquo;a m\u00eame pas indiqu\u00e9 qu&rsquo;il s&rsquo;agissait d&rsquo;une m\u00e9moire non volatile, mais compte tenu de son propre pass\u00e9 chez Intel et du fait qu&rsquo;il a r\u00e9v\u00e9l\u00e9 que la technologie \u00e9tait utilis\u00e9e dans le cadre d&rsquo;un contrat de d\u00e9veloppement du gouvernement am\u00e9ricain pour une m\u00e9moire strat\u00e9gique non volatile et r\u00e9sistante aux radiations, le changement de phase est manifestement une technologie en lice.<\/p>\n<p>En outre, deux des diagrammes auxquels Ilkbahar a fait r\u00e9f\u00e9rence lors de la r\u00e9union montrent que la m\u00e9moire matricielle 3D pr\u00e9sente des similitudes frappantes avec la m\u00e9moire 3D XPoint d&rsquo;Intel, qui \u00e9tait non volatile et largement suppos\u00e9e \u00eatre bas\u00e9e sur la technologie de changement de phase des chalcog\u00e9nures.<\/p>\n<div id=\"attachment_477459\" style=\"width: 610px\" class=\"wp-caption alignleft\"><img decoding=\"async\" aria-describedby=\"caption-attachment-477459\" class=\"wp-image-477459 size-full lazyload\" data-src=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/wp-content\/uploads\/2025\/04\/Sandisk3Dmatrix600.jpg\" alt=\"\" width=\"600\" height=\"469\" data-srcset=\"https:\/\/www.ecinews.fr\/wp-content\/uploads\/2025\/04\/Sandisk3Dmatrix600.jpg 600w, https:\/\/www.ecinews.fr\/wp-content\/uploads\/2025\/04\/Sandisk3Dmatrix600-300x235.jpg 300w\" data-sizes=\"(max-width: 600px) 100vw, 600px\" src=\"data:image\/svg+xml;base64,PHN2ZyB3aWR0aD0iMSIgaGVpZ2h0PSIxIiB4bWxucz0iaHR0cDovL3d3dy53My5vcmcvMjAwMC9zdmciPjwvc3ZnPg==\" style=\"--smush-placeholder-width: 600px; --smush-placeholder-aspect-ratio: 600\/469;\" \/><p id=\"caption-attachment-477459\" class=\"wp-caption-text\"><em>Projection isom\u00e9trique et vue en coupe de la m\u00e9moire matricielle 3D de Sandisk : Source : Sandisk via Youtube.<\/em><\/p><\/div>\n<p>La pile de m\u00e9moire \u00e0 double \u00e9tage x-y-x \u00e0 points crois\u00e9s est l&rsquo;une des similitudes. Une autre est l&rsquo;ombre limit\u00e9e en hauteur ou en forme de d\u00f4me tronqu\u00e9 dans la cellule de m\u00e9moire, une caract\u00e9ristique potentielle d&rsquo;un dispositif \u00e0 changement de phase entra\u00een\u00e9 par la chaleur, bien que la faible r\u00e9solution de l&rsquo;image ne permette pas de conclusion. La m\u00e9moire vive magn\u00e9tor\u00e9sistive (MRAM) est \u00e9galement utilis\u00e9e pour les m\u00e9moires r\u00e9sistantes aux rayonnements, mais la vue en coupe n&rsquo;a pas l&rsquo;apparence d&rsquo;un dispositif MRAM. La combinaison des facteurs indique que la m\u00e9moire matricielle 3D est la continuation de la ligne de d\u00e9veloppement PCM et 3D XPoint.<\/p>\n<h4>Optane<\/h4>\n<p>La technologie 3D XPoint a \u00e9t\u00e9 d\u00e9velopp\u00e9e conjointement par Intel et Micron \u00e0 partir de 2006 et a \u00e9t\u00e9 officiellement annonc\u00e9e en 2015. Elle \u00e9tait \u00e0 la base de l&rsquo;activit\u00e9 m\u00e9moire Optane d&rsquo;Intel, qui a \u00e9t\u00e9 officiellement arr\u00eat\u00e9e en juillet 2022 apr\u00e8s des ann\u00e9es de pertes financi\u00e8res et une adoption limit\u00e9e par le march\u00e9.<\/p>\n<p>L&rsquo;activit\u00e9 Optane a entra\u00een\u00e9 une perte de 576 millions de dollars pour Intel sur des ventes de 392 millions de dollars en 2020, selon les documents financiers du 4e trimestre 21 de l&rsquo;entreprise. Sur l&rsquo;ensemble de la dur\u00e9e de vie du produit, de 2017 \u00e0 2022, et sans compter les nombreuses ann\u00e9es de R&amp;D, l&rsquo;activit\u00e9 Optane pourrait avoir fait perdre \u00e0 Intel plus d&rsquo;un milliard de dollars. Optane a \u00e9t\u00e9 sp\u00e9cifiquement exclu de l&rsquo;accord conclu par Intel pour vendre ses activit\u00e9s de m\u00e9moire non volatile et de disques durs \u00e0 \u00e9tat solide (SSD) \u00e0 SK Hynix pour 9 milliards de dollars, annonc\u00e9 en octobre 2020.<\/p>\n<p>Dans sa pr\u00e9sentation de Sandisk, Ilkbahar a d\u00e9clar\u00e9 : \u00ab\u00a0En tant qu&rsquo;inventeurs de la m\u00e9moire 3D XPoint, nous sommes tr\u00e8s fiers de vous pr\u00e9senter une nouvelle architecture 3D innovante et \u00e9volutive visant \u00e0 offrir des performances comparables \u00e0 celles de la DRAM, avec une capacit\u00e9 quatre fois sup\u00e9rieure et un co\u00fbt par bits deux fois moins \u00e9lev\u00e9.\u00a0\u00bb<\/p>\n<p>Ilkbahar n&rsquo;a pas pr\u00e9cis\u00e9 sa r\u00e9f\u00e9rence \u00e0 3D XPoint. Il a poursuivi : \u00ab\u00a0Au c\u0153ur de cette technologie, nous disposons d&rsquo;une nouvelle cellule de m\u00e9moire qui nous permet d&rsquo;\u00e9voluer vers des architectures de r\u00e9seaux denses. Au niveau du produit, nous avons l&rsquo;intention d&rsquo;attacher la m\u00e9moire \u00e0 des points d&rsquo;attache standard tels que les bus CXL.\u00a0\u00bb<\/p>\n<p>Ilkbahar a montr\u00e9 \u00e0 l&rsquo;auditoire que le v\u00e9hicule de d\u00e9veloppement avec l&rsquo;IMEC est une plate-forme de m\u00e9moire de 4 et 8 Gbits et un plan pour \u00e9chantillonner les clients commerciaux avec des m\u00e9moires de 32 et 64 Gbits. Toutefois, aucun calendrier n&rsquo;a \u00e9t\u00e9 pr\u00e9sent\u00e9 pour ces d\u00e9veloppements.<\/p>\n<h4>Projet ANGSTRM<\/h4>\n<p>Le fait que la m\u00e9moire matricielle 3D soit une forme de m\u00e9moire \u00e0 changement de phase est corrobor\u00e9 par le fait qu&rsquo;en 2023, Western Digital\/Sandisk a remport\u00e9 un prix de 35 millions de dollars am\u00e9ricains d\u00e9cern\u00e9 par le laboratoire de recherche de l&rsquo;arm\u00e9e de l&rsquo;air pour d\u00e9velopper une m\u00e9moire strat\u00e9gique avanc\u00e9e de nouvelle g\u00e9n\u00e9ration r\u00e9sistante aux radiations dans le cadre du projet ANGSTRM. Le projet ANGSTRM a une dur\u00e9e de 54 mois et les travaux doivent \u00eatre achev\u00e9s en novembre 2028. Western Digital\/Sandisk a \u00e9t\u00e9 le seul laur\u00e9at parmi dix candidats.<\/p>\n<p>Le projet ANGSTRM est charg\u00e9 de d\u00e9velopper une m\u00e9moire strat\u00e9gique non volatile r\u00e9sistante aux radiations, avec une capacit\u00e9 de m\u00e9moire monolithique de 4 \u00e0 16 Gbits, une endurance de 10^9 \u00e0 10^12 cycles de lecture\/\u00e9criture et une conservation des donn\u00e9es de 10 \u00e0 15 ans.<\/p>\n<p>Il est g\u00e9n\u00e9ralement admis que la PCM est l&rsquo;une des meilleures technologies \u00e9mergentes de m\u00e9moire non volatile pour d\u00e9montrer la r\u00e9sistance aux rayonnements, car son fonctionnement est bas\u00e9 sur le changement de la phase du mat\u00e9riau plut\u00f4t que sur le stockage de charges plus facilement impact\u00e9. La MRAM convient \u00e9galement aux applications r\u00e9sistantes aux rayonnements, en particulier dans les environnements spatiaux, en raison de sa r\u00e9sistance inh\u00e9rente aux rayonnements ionisants et \u00e0 d&rsquo;autres risques li\u00e9s \u00e0 l&rsquo;espace.<\/p>\n<h4>Questions<\/h4>\n<p>Intel a renonc\u00e9 \u00e0 vendre Optane en raison des pertes subies, qui pourraient \u00eatre li\u00e9es aux co\u00fbts de fabrication et au faible rendement, ainsi qu&rsquo;aux am\u00e9liorations des technologies concurrentes, telles que la 3D-NAND et la DRAM empil\u00e9e, sous la forme de m\u00e9moire \u00e0 large bande passante (HBM). 3D XPoint a eu du mal \u00e0 aller au-del\u00e0 d&rsquo;une configuration \u00e0 deux \u00e9tages, bien qu&rsquo;un composant de deuxi\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration \u00e0 quatre couches ait \u00e9t\u00e9 annonc\u00e9 en ao\u00fbt 2020.<\/p>\n<p>Si la cellule de m\u00e9moire non volatile de la m\u00e9moire matricielle 3D est bas\u00e9e sur un mat\u00e9riau \u00e0 changement de phase, un certain nombre de questions se posent :<\/p>\n<ul>\n<li>Quel est l&rsquo;ensemble des mat\u00e9riaux ?<\/li>\n<li>Intel, Micron et\/ou d&rsquo;autres ont-ils conc\u00e9d\u00e9 \u00e0 Sandisk une licence de d\u00e9veloppement de la technologie ?<\/li>\n<li>La m\u00e9moire 3D Matrix diff\u00e8re-t-elle de la m\u00e9moire 3D XPoint et, dans l&rsquo;affirmative, comment ?<\/li>\n<li>Sandisk a-t-elle identifi\u00e9 les probl\u00e8mes technologiques\/de march\u00e9 qu&rsquo;Intel n&rsquo;a pas \u00e9t\u00e9 en mesure de r\u00e9soudre ?<\/li>\n<li>Sandisk peut-il d\u00e9montrer qu&rsquo;il a r\u00e9solu ces probl\u00e8mes ?<\/li>\n<\/ul>\n<p>Si la m\u00e9moire matricielle 3D est bas\u00e9e sur la RAM r\u00e9sistive, d&rsquo;autres questions se posent :<\/p>\n<ul>\n<li>Quel est l&rsquo;ensemble des mat\u00e9riaux ?<\/li>\n<li>Quel est le principe de fonctionnement ?<\/li>\n<li>Quels sont les modes de d\u00e9faillance, les sensibilit\u00e9s op\u00e9rationnelles et les probl\u00e8mes de fiabilit\u00e9 ?<\/li>\n<li>Comment une m\u00e9moire non volatile \u00e0 stockage de charge pourrait-elle \u00eatre rendue r\u00e9sistante aux radiations \u00e0 un niveau strat\u00e9gique ?<\/li>\n<\/ul>\n<p>Jusqu&rsquo;\u00e0 pr\u00e9sent, on pensait qu&rsquo;il n&rsquo;y avait plus de fabricants de puces qui s&rsquo;int\u00e9ressaient \u00e0 la m\u00e9moire \u00e0 changement de phase pour des composants discrets de grande capacit\u00e9, mais Sandisk pourrait bien \u00eatre le dernier champion de la grande capacit\u00e9 pour une technologie qui a 55 ans d&rsquo;histoire.<\/p>\n<p>De son c\u00f4t\u00e9, STMicroelectronics a d\u00e9ploy\u00e9 la PCM pour des applications int\u00e9gr\u00e9es et robustes telles que les microcontr\u00f4leurs automobiles . Elle pr\u00e9voit d&rsquo;offrir la PCM int\u00e9gr\u00e9e sur un processus de fabrication FDSOI de 18 nm fourni par Samsung Foundry.<\/p>\n<p>Sandisk a \u00e9t\u00e9 contact\u00e9 par <em>eeNews Europe:ECInews<\/em> pour confirmer ou infirmer que la m\u00e9moire 3D Matrix est une m\u00e9moire \u00e0 changement de phase, mais la soci\u00e9t\u00e9 n&rsquo;a pas r\u00e9pondu \u00e0 l&rsquo;heure o\u00f9 cet article a \u00e9t\u00e9 publi\u00e9.<\/p>\n<p><a href=\"http:\/\/www.sandisk.com\">www.sandisk.com<\/a><\/p>\n<h4>Autres articles:<\/h4>\n<p><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/intels-optane-memory-business-lost-more-than-500-million-in-2020\/\">Les activit\u00e9s d&rsquo;Intel dans le domaine des m\u00e9moires Optane ont perdu plus de 500 millions de dollars en 2020 <\/a><\/p>\n<p><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/3d-flash-memory-hits-4-8-gb-s-nand-interface-speed\/\">La m\u00e9moire flash 3D atteint une vitesse d&rsquo;interface NAND de 4,8 Gb\/s<\/a><\/p>\n<p><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/startup-neo-says-its-3d-dram-offers-8x-capacity\/\">La startup Neo affirme que sa DRAM 3D offre une capacit\u00e9 2D multipli\u00e9e par 8<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Il semblerait que Sandisk travaille sur une m\u00e9moire non volatile \u00e0 changement de phase sous la direction d&rsquo;un cadre qui a g\u00e9r\u00e9 l&rsquo;activit\u00e9 de m\u00e9moire Optane bas\u00e9e sur 3D XPoint d&rsquo;Intel. 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