{"id":475549,"date":"2025-03-18T17:20:13","date_gmt":"2025-03-18T16:20:13","guid":{"rendered":"https:\/\/www.ecinews.fr\/?p=475549"},"modified":"2025-04-10T09:34:58","modified_gmt":"2025-04-10T07:34:58","slug":"fames-grenoble-lance-son-appel-ouvert-pour-le-fd-soi-10nm-7nm","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/fames-grenoble-lance-son-appel-ouvert-pour-le-fd-soi-10nm-7nm\/","title":{"rendered":"FAMES Grenoble lance son appel ouvert pour le FD-SOI 10nm, 7nm"},"content":{"rendered":"<p>L&rsquo;une des principales lignes pilotes technologiques d&rsquo;Europe lance un appel \u00e0 projets pour la prochaine g\u00e9n\u00e9ration de conceptions 10 nm et 7 nm sur la technologie FD-SOI (silicium sur isolant enti\u00e8rement appauvri).<\/p>\n<p>Le FD-SOI est un domaine dans lequel l&rsquo;Europe dispose d&rsquo;une <a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/fd-soi-breakthrough-boosts-performance\/\">technologie de pointe<\/a>, avec une capacit\u00e9 de consommation ultra-faible pour les conceptions num\u00e9riques, analogiques et RF. Le passage de la technologie actuelle de 22 nm \u00e0 10 nm sur des wafers de 300 mm \u00e0 haut volume au cours des deux prochaines ann\u00e9es, puis \u00e0 7 nm, peut consid\u00e9rablement stimuler la comp\u00e9titivit\u00e9 des entreprises europ\u00e9ennes de semi-conducteurs.<\/p>\n<p>Un appel ouvert aux entreprises pour l&rsquo;utilisation des technologies de la ligne pilote FD-SOI de FAMES a \u00e9t\u00e9 lanc\u00e9 cet apr\u00e8s-midi. 50 personnes sont pr\u00e9sentes en personne et 100 \u00e0 distance, avec des start-ups et des multinationales participant aux c\u00f4t\u00e9s des partenaires de la ligne pilote.<\/p>\n<p>Nick Flaherty de ECInews s&rsquo;entretient avec les coordinateurs du <a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/cea-leti-launches-e830m-fames-pilot-line-project\/\">projet FAMES au CEA-Leti \u00e0 Grenoble, en France,<\/a> au sujet des 90 \u00e9quipements de la cha\u00eene et des technologies de m\u00e9moire embarqu\u00e9e requises pour les microcontr\u00f4leurs (MCU) de faible puissance, les unit\u00e9s multiprocesseurs (MPU), les dispositifs d&rsquo;IA et d&rsquo;apprentissage automatique de pointe, ainsi que les processeurs de fusion de donn\u00e9es intelligents, les dispositifs RF, les puces pour la 5G\/6G, les puces pour les march\u00e9s automobiles, les capteurs et les imageurs intelligents, les puces de confiance et les nouveaux composants spatiaux.<\/p>\n<ul>\n<li><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/all-systems-go-for-7nm-fdsoi\/\">Tous les syst\u00e8mes sont pr\u00eats pour le FD-SOI \u00e0 7 nm<\/a><\/li>\n<li><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/leti-details-move-to-10nm-fd-soi-process-in-europe\/\">Le Leti d\u00e9taille le passage \u00e0 10nm, 7nm FD-SOI<\/a><\/li>\n<\/ul>\n<p>\u00ab\u00a0Ce qui est tr\u00e8s r\u00e9v\u00e9lateur, c&rsquo;est qu&rsquo;il y a 18 pays participants, dont la plupart sont europ\u00e9ens et quelques-uns sont internationaux, et que les parties prenantes de l&rsquo;industrie repr\u00e9sentent un v\u00e9ritable \u00e9quilibre entre l&rsquo;industrie et le monde universitaire, ce qui nous rassure\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Susana Bonnetier, pr\u00e9sidente de la FAMES Pilot Line Open Access au CEA-Leti.<\/p>\n<p>Les puces d&rsquo;essai sont attendues en 2027 pour le processus FD-SOI de 10 nm.<\/p>\n<p>\u00ab\u00a0Nous proposons un portefeuille d&rsquo;\u00e9l\u00e9ments diff\u00e9rents, non seulement des technologies, mais aussi des PDK gratuits pour la recherche de solutions et des PDK pour la simulation et la formation qui pourraient \u00eatre plus int\u00e9ressants pour le monde universitaire\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Dominique Noguet, coordinateur du projet de ligne pilote de la FAMES.<\/p>\n<p>\u00ab\u00a0Nous sommes dans une phase de R&amp;D et nous pouvons conseiller les gens sur les moyens d&rsquo;augmenter les performances et les aider \u00e0 identifier des cas d&rsquo;utilisation int\u00e9ressants, et ce sont des options gratuites. Nous recevons \u00e9galement l&rsquo;int\u00e9r\u00eat d&rsquo;entreprises en d\u00e9marrage qui souhaitent planifier le processus \u00e0 l&rsquo;avenir.\u00a0\u00bb<\/p>\n<p>La ligne pilote comprendra 110 \u00e9quipements r\u00e9partis sur les quatre sites du Leti, en tant que chef de file, ainsi que de Tyndall en Irlande, de Silicon Austria Labs et de VTT en Finlande, pour la lithographie, la diffusion et la gravure, ainsi que le packaging.<\/p>\n<blockquote class=\"wp-embedded-content\" data-secret=\"plvCILCW7N\"><p><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/leti-details-move-to-10nm-fd-soi-process-in-europe\/\">Leti details move to 10nm, 7nm FD-SOI process in Europe<\/a><\/p><\/blockquote>\n<p><iframe class=\"wp-embedded-content lazyload\" sandbox=\"allow-scripts\" security=\"restricted\" style=\"position: absolute; visibility: hidden;\" title=\"\u00ab\u00a0Leti details move to 10nm, 7nm FD-SOI process in Europe\u00a0\u00bb &#8212; EENewsEurope\" data-src=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/leti-details-move-to-10nm-fd-soi-process-in-europe\/embed\/#?secret=i5Z9oSUBuu#?secret=plvCILCW7N\" data-secret=\"plvCILCW7N\" width=\"500\" height=\"282\" frameborder=\"0\" marginwidth=\"0\" marginheight=\"0\" scrolling=\"no\" src=\"data:image\/svg+xml;base64,PHN2ZyB3aWR0aD0iMSIgaGVpZ2h0PSIxIiB4bWxucz0iaHR0cDovL3d3dy53My5vcmcvMjAwMC9zdmciPjwvc3ZnPg==\" data-load-mode=\"1\"><\/iframe><\/p>\n<p>La ligne du Leti comprendra un total de 90 \u00e9quipements pour la ligne de production de plaquettes de 300 mm, dont 30 sont d\u00e9j\u00e0 en place. Au c\u0153ur de la ligne se trouve un outil de lithographie par immersion de 193 m destin\u00e9 \u00e0 ces n\u0153uds avanc\u00e9s, qui fonctionne depuis d\u00e9cembre 2023 et qui utilisera le self aligned dual patterning (SAPD) pour atteindre 10 nm.<\/p>\n<p>\u00ab\u00a0C&rsquo;est ce que les gens utilisent dans l&rsquo;industrie lorsqu&rsquo;ils veulent repousser la limite entre l&rsquo;immersion et l&rsquo;EUV\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 M. Noguet. \u00ab\u00a0Il ne s&rsquo;agit pas vraiment d&rsquo;un \u00e9quipement, mais d&rsquo;une astuce du c\u00f4t\u00e9 du processus pour repousser les limites de ce que l&rsquo;on peut faire avec la DUV.<\/p>\n<p>\u00ab\u00a0Nous disposons d&rsquo;une trentaine de syst\u00e8mes sur la ligne pilote qui sont surtout n\u00e9cessaires pour la partie frontale. Le prochain lot d&rsquo;\u00e9quipements sera davantage consacr\u00e9 au milieu et \u00e0 l&rsquo;arri\u00e8re de la ligne (BEOL) pour la gravure et le d\u00e9p\u00f4t. Il ne s&rsquo;agira pas d&rsquo;une pile compl\u00e8te de BEOL, mais du minimum pour effectuer les tests \u00e9lectriques des composants et, si nous devons les transf\u00e9rer \u00e0 l&rsquo;industrie, ils pourront \u00eatre pris en charge par une tierce partie\u00a0\u00bb, a-t-il d\u00e9clar\u00e9.<\/p>\n<p>La technologie 10nm est d\u00e9j\u00e0 bien avanc\u00e9e, et le FAMES fournira des PDKs pour l&rsquo;\u00e9valuation des performances des n\u0153uds avanc\u00e9s FD-SOI, ainsi que des PDKs pour les wafers multi-projets (MPW) afin de tester les conceptions.<\/p>\n<p>Des \u00e9tapes de processus sp\u00e9cifiques, des modules, des flux d&rsquo;int\u00e9gration et des r\u00e9sultats de d\u00e9monstrations seront \u00e9galement d\u00e9velopp\u00e9s, de m\u00eame que l&rsquo;\u00e9ducation et la formation aux technologies FAMES.<\/p>\n<p>\u00ab\u00a0Nous travaillons depuis 2022 sur les modules pour 10 nm et il y a un va-et-vient entre le processus et le PDK\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 M. Noguet. \u00ab\u00a0Nous augmenterons progressivement les fonctionnalit\u00e9s que nous ajoutons au PDK, car c&rsquo;est ce que nous faisons avec le processus de silicium.<\/p>\n<p>L&rsquo;un des principaux domaines d&rsquo;int\u00e9r\u00eat est la m\u00e9moire non volatile int\u00e9gr\u00e9e. La m\u00e9moire flash n&rsquo;est pas extensible \u00e0 22 nm, et encore moins \u00e0 10 nm et 7 nm, c&rsquo;est pourquoi de nouvelles technologies de m\u00e9moire ont \u00e9t\u00e9 d\u00e9velopp\u00e9es.<\/p>\n<p>La premi\u00e8re \u00e0 \u00eatre utilis\u00e9e est la m\u00e9moire OXRAM, qui est la plus mature, et le Leti dispose d\u00e9j\u00e0 d&rsquo;\u00e9chantillons de cette technologie.<\/p>\n<p>\u00ab\u00a0Nous nous concentrons \u00e0 pr\u00e9sent sur la FRAM et sur un FET ferro\u00e9lectrique avec tout ce qu&rsquo;il faut dans un seul transistor avec le mat\u00e9riau ferro\u00e9lectrique sur la grille du transistor pour l&rsquo;avenir, ce qui peut \u00eatre fait en fin de ligne. Il s&rsquo;agira d&rsquo;un ajout au PDK, pr\u00e9cise-t-il.<\/p>\n<p>Alors que les entreprises commerciales utilisent d\u00e9j\u00e0 la MRAM dans les micro-contr\u00f4leurs, les lignes pilotes de FAMES visent \u00e0 l&rsquo;utiliser pour les applications de s\u00e9curit\u00e9 et le calcul en m\u00e9moire pour l&rsquo;IA \u00e0 tr\u00e8s faible consommation d&rsquo;\u00e9nergie.<\/p>\n<p>\u00ab\u00a0Nous disposons de m\u00e9moires plus avanc\u00e9es avec la MRAM\u00a0\u00bb, a-t-il d\u00e9clar\u00e9. \u00ab\u00a0Nous travaillons avec d&rsquo;autres partenaires et la technologie est partag\u00e9e au sein du consortium ; nous devons rassembler les pi\u00e8ces du puzzle pour y parvenir\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 M. Noguet.<\/p>\n<p>Ici, les deux principales applications vis\u00e9es sont la cybers\u00e9curit\u00e9, avec l&rsquo;utilisation de dispositifs spin MRAM sMTJ pour la conception de g\u00e9n\u00e9rateurs de nombres al\u00e9atoires vrais (TRNG), et l&rsquo;IA probabiliste.<\/p>\n<p>Cependant, le premier domaine disponible sera la simulation num\u00e9rique du processus, suivi par la RF et l&rsquo;analogique. La version suivante concernera le n\u0153ud de 7 nm. \u00ab\u00a0Nous les rendons donc disponibles au fur et \u00e0 mesure que nous arrivons \u00e0 maturit\u00e9\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 M. Bonnetier. Certains modules autonomes sont disponibles, avec des structures en 3D dont les couches centrale et finale comportent des vias en silicium traversant et des pastilles de cuivre pour les chiplets. La quatri\u00e8me offre est une formation sur le FDSOI pour les concepteurs, dit-elle.<\/p>\n<p>\u00ab\u00a0Je dirais qu&rsquo;il faudra attendre 2027 pour les puces de test\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 M. Noguet. \u00ab\u00a0Nous disposons d&rsquo;ensembles de masques sp\u00e9cifiques pour des dispositifs sp\u00e9cifiques avec le 10FD avec le num\u00e9rique et la RF, de sorte que nous aurons des indications sur les performances de la RF, les biblioth\u00e8ques sur l&rsquo;ensemble de masques sont plus riches pour le num\u00e9rique. Pour le 7nm, la question reste ouverte, \u00e0 savoir si nous pouvons pousser la technologie plus loin.<\/p>\n<p>\u00ab\u00a0Il est essentiel que ces nouvelles technologies puissent \u00eatre adopt\u00e9es par les acteurs europ\u00e9ens du secteur des puces. C&rsquo;est pourquoi FAMES a \u00e9t\u00e9 strat\u00e9giquement structur\u00e9 pour les exploiter, afin de soutenir tous les secteurs de la cha\u00eene de valeur des semi-conducteurs de l&rsquo;UE\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 S\u00e9bastien Dauv\u00e9, directeur g\u00e9n\u00e9ral du CEA-Leti.<\/p>\n<p>\u00ab\u00a0Nous consid\u00e9rons cette initiative, qui devrait aller au-del\u00e0 d&rsquo;une simple ligne pilote, comme la vision d&rsquo;une Europe durable, r\u00e9siliente et innovante. Elle r\u00e9unira l&rsquo;industrie, les PME, les jeunes pousses et les instituts de recherche, et cr\u00e9era un \u00e9cosyst\u00e8me ouvert qui transformera les id\u00e9es en solutions efficaces, en encourageant la collaboration et l&rsquo;innovation \u00e0 tous les niveaux\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Jari Kinaret, directeur ex\u00e9cutif de l&rsquo;entreprise commune Chips, qui soutient \u00e9galement six autres lignes pilotes en Europe, dont la ligne pilote sub-1nm \u00e0 l&rsquo;imec en Belgique.<\/p>\n<blockquote class=\"wp-embedded-content\" data-secret=\"2TIMst6KvT\"><p><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/fames-details-fd-soi-pilot-line-commercial-partners\/\">FAMES details FD-SOI pilot line commercial partners<\/a><\/p><\/blockquote>\n<p><iframe class=\"wp-embedded-content lazyload\" sandbox=\"allow-scripts\" security=\"restricted\" style=\"position: absolute; visibility: hidden;\" title=\"\u00ab\u00a0FAMES details FD-SOI pilot line commercial partners\u00a0\u00bb &#8212; EENewsEurope\" data-src=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/fames-details-fd-soi-pilot-line-commercial-partners\/embed\/#?secret=LuhCFcUoRv#?secret=2TIMst6KvT\" data-secret=\"2TIMst6KvT\" width=\"500\" height=\"282\" frameborder=\"0\" marginwidth=\"0\" marginheight=\"0\" scrolling=\"no\" src=\"data:image\/svg+xml;base64,PHN2ZyB3aWR0aD0iMSIgaGVpZ2h0PSIxIiB4bWxucz0iaHR0cDovL3d3dy53My5vcmcvMjAwMC9zdmciPjwvc3ZnPg==\" data-load-mode=\"1\"><\/iframe><\/p>\n<p>Le g\u00e9ant des r\u00e9seaux Nokia est membre du Conseil consultatif industriel externe de FAMES et un partenaire industriel cl\u00e9.<\/p>\n<p>\u00ab\u00a0Les progr\u00e8s de la ligne pilote seront essentiels pour le programme de recherche PiCo de Nokia sur les syst\u00e8mes sur puce (SoC)\u00a0\u00bb, a ajout\u00e9 Derek Urbaniak, responsable du d\u00e9veloppement SoC pour les r\u00e9seaux mobiles chez Nokia. \u00ab\u00a0Le groupe de recherche PiCo de Nokia est impatient de recevoir les r\u00e9sultats et les rapports du consortium FAMES, et \u00e9ventuellement d&rsquo;utiliser leurs lignes pilotes et leurs services pour notre propre travail de validation et de d\u00e9veloppement de produits.<\/p>\n<p>Antonio Fuganti, responsable des programmes crois\u00e9s dans le domaine de l&rsquo;\u00e9lectronique avanc\u00e9e et des semi-conducteurs chez le constructeur automobile Stellantis, qui est \u00e9galement membre du comit\u00e9 consultatif industriel externe de la FAMES, a d\u00e9clar\u00e9 : \u00ab\u00a0Cette initiative aura un impact significatif sur le d\u00e9veloppement des puces et des applications en Europe. En r\u00e9unissant l&rsquo;industrie, les PME et les instituts de recherche, elle permet d&rsquo;acc\u00e9l\u00e9rer le passage de la recherche \u00e0 l&rsquo;application industrielle et d&rsquo;am\u00e9liorer la comp\u00e9titivit\u00e9.\u00a0\u00bb<\/p>\n<p>Pour en savoir plus sur les partenaires de FAMES, <a href=\"https:\/\/fames-pilot-line.eu\/partners\/\">cliquez ici<\/a>.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>L&rsquo;une des principales lignes pilotes technologiques d&rsquo;Europe lance un appel \u00e0 projets pour la prochaine g\u00e9n\u00e9ration de conceptions 10 nm et 7 nm sur la technologie FD-SOI (silicium sur isolant enti\u00e8rement appauvri). 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