![\"\"](\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/wp-content\/uploads\/2024\/12\/Screenshot-2024-12-04-190350-1024x323.png\")
<\/p>\nLes transistors HEMT en mode d’am\u00e9lioration GaN-sur-silicium de 100 \u00e0 150 V du nouveau bo\u00eetier de refroidissement par le dessus En-FCQFN d’Innoscience am\u00e9liorent les performances thermiques. Par exemple, \u00e0 30A, la temp\u00e9rature de jonction dans le bo\u00eetier \u00e0 refroidissement par le dessus est r\u00e9duite de 52,2\u00b0C par rapport aux 39,6\u00b0C,\u00a0 bo\u00eetiers \u00e0 refroidissement par le dessous, soit une am\u00e9lioration de 25%.<\/p>\n
Les brochages des bo\u00eetiers INN100EQ 016A\/1,8m\u03a9 et 025A\/2,8m\u03a9 de 100V, ainsi que les dispositifs INN150EQ 032A\/3,9m\u03a9 et 070A\/7,0m\u03a9 de 150V sont compatibles avec les composants en bo\u00eetier \u00e0 refroidissement par le desssous. Les transistors conservent \u00e9galement les caract\u00e9ristiques de toutes les produits Innoscience : faible r\u00e9sistance, faible charge de grille, faible perte de commutation et faible charge de r\u00e9cup\u00e9ration inverse.<\/p>\n
\u00ab\u00a0Gr\u00e2ce \u00e0 leurs excellentes propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectriques et \u00e0 leur conditionnement ultra-miniaturis\u00e9, nos composants GaN moyenne et basse tension ont trouv\u00e9 un large \u00e9cho, notamment dans les centres de donn\u00e9es, les syst\u00e8mes photovolta\u00efques et de stockage d’\u00e9nergie, les entra\u00eenements de moteurs et les alimentations pour les communications. Le bo\u00eetier En-FCQFN \u00e0 refroidissement par le dessus optimise la gestion thermique, limite encore l’augmentation de la temp\u00e9rature du syst\u00e8me et \u00e9largit le march\u00e9 potentiel\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Denis Marcon, directeur g\u00e9n\u00e9ral d’Innoscience Europe.<\/p>\n
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Les s\u00e9ries GaN 100V~150V sont \u00e9galement disponibles en WLCSP, FCQFN, LGA et autres types de bo\u00eetiers, couvrant diff\u00e9rentes r\u00e9sistances \u00e0 l’enclenchement et diff\u00e9rents domaines d’application. Avec ces dispositifs, le nouveau bo\u00eetier de refroidissement sup\u00e9rieur En-FCQFN est disponible dans des volumes de production de masse.<\/p>\n