{"id":466884,"date":"2024-12-03T09:56:29","date_gmt":"2024-12-03T08:56:29","guid":{"rendered":"https:\/\/www.ecinews.fr\/?p=466884"},"modified":"2024-12-02T10:26:40","modified_gmt":"2024-12-02T09:26:40","slug":"le-processus-de-fixation-des-matrices-multiplie-par-15-le-transfert-thermique","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/le-processus-de-fixation-des-matrices-multiplie-par-15-le-transfert-thermique\/","title":{"rendered":"Le processus de fixation des matrices multiplie par 15 le transfert thermique"},"content":{"rendered":"

En \u00e9lectronique de puissance, la jeune entreprise britannique QPT a mis au point un proc\u00e9d\u00e9 de fixation des puces qui permet de multiplier par 15 le transfert thermique\u00a0<\/span><\/h3>\n

Comme les mat\u00e9riaux \u00e0 large bande passante et les fr\u00e9quences plus \u00e9lev\u00e9es permettent d’atteindre des niveaux de puissance plus importants, la n\u00e9cessit\u00e9 d’augmenter l’\u00e9vacuation de la chaleur \u00e0 travers le boitier devient de plus en plus importante.<\/p>\n

Le processus de fixation des puces mis au point par QPT \u00e0 Cambridge am\u00e9liore la connexion thermique avec les r\u00e9partiteurs de chaleur ou les substrats qui sont g\u00e9n\u00e9ralement en nitrure d’aluminium (AlN). L’am\u00e9lioration du transfert thermique du processus qAttach accro\u00eet \u00e9galement la fiabilit\u00e9, car le processus d’assemblage exerce moins de contraintes sur ces substrats.<\/p>\n

QPT a mis au point le processus qAttach pour les transistors en nitrure de gallium (GaN) qu’elle utilise dans sa topologie de commande de moteur \u00e9lectrique \u00e0 haute fr\u00e9quence et \u00e0 haute tension. Les transistors au nitrure de gallium \u00e9tant d\u00e9sormais con\u00e7us pour des tensions plus \u00e9lev\u00e9es, mais avec des matrices de taille relativement petite, il y a moins de surface pour \u00e9vacuer la chaleur. De ce fait, leur puissance est souvent r\u00e9duite pour \u00e9viter la surchauffe, ce qui a pos\u00e9 des probl\u00e8mes \u00e0 QGT lors de la mise au point de ses architectures de contr\u00f4le d\u00e9velopp\u00e9es par l’IA pour les moteurs automobiles et industriels. qAttach ouvre la voie au GaN pour la prochaine g\u00e9n\u00e9ration d’applications \u00e0 haute puissance et \u00e0 haute tension.<\/p>\n

Cette technologie peut \u00e9galement \u00eatre utilis\u00e9e avec des dispositifs en carbure de silicium (SiC).<\/p>\n

R\u00e9duction importante de l’\u00e9paisseur de la barri\u00e8re thermique<\/strong><\/p>\n

\u00ab\u00a0Le probl\u00e8me de l’approche actuelle en mati\u00e8re de fixation est que la couche de frittage, qui fixe la puce au substrat, a g\u00e9n\u00e9ralement une \u00e9paisseur de 30 \u00e0 60 microns, ce qui forme une barri\u00e8re thermique qui emp\u00eache le transfert de chaleur hors de la puce\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Rob Gwynne, directeur de la technologie chez QPT. \u00ab\u00a0Nous utilisons des technologies fiables et bien \u00e9tablies dans d’autres domaines d’une mani\u00e8re novatrice pour nous permettre de cr\u00e9er la couche de fixation qAttach dont l’\u00e9paisseur peut \u00eatre r\u00e9duite \u00e0 une fraction de micron. Cette r\u00e9duction importante de l’\u00e9paisseur de la barri\u00e8re thermique fait que notre solution est jusqu’\u00e0 dix fois plus efficace pour \u00e9carter la chaleur r\u00e9siduelle de la puce. Au fur et \u00e0 mesure que nous affinons le processus, nous nous attendons \u00e0 des taux de transmission thermique encore meilleurs \u00e0 travers cette couche\u00a0\u00bb.<\/p>\n

Avec un r\u00e9partiteur de chaleur conventionnel, la chaleur de la puce doit traverser l’\u00e9paisse couche de frittage pour atteindre le substrat et \u00eatre dissip\u00e9e par le dissipateur de chaleur. Dans les bo\u00eetiers int\u00e9gr\u00e9s, le circuit imprim\u00e9 est fix\u00e9 sur le dessus et autour du r\u00e9partiteur de chaleur, ce qui limite la dissipation de la chaleur.<\/p>\n

Un sandwich complexe<\/strong><\/p>\n

La structure de QPT est un sandwich compos\u00e9 d’un dissipateur thermique, d’un substrat, de la couche qAttach, matrice, couche qAttach, d’un substrat et d’un dissipateur thermique, le circuit imprim\u00e9 encadrant la structure sur les c\u00f4t\u00e9s. La couche qAttach \u00e9tant ultra-mince, la chaleur peut \u00eatre transf\u00e9r\u00e9e et \u00e9vacu\u00e9e beaucoup plus rapidement. De plus, ce transfert peut d\u00e9sormais s’effectuer par le haut de la puce, ce qui multiplie par 15 le taux total d’\u00e9vacuation de la chaleur.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

Cette technologie pr\u00e9sente d’autres am\u00e9liorations par rapport au processus de frittage actuel. Tout d’abord, le substrat peut \u00eatre beaucoup plus fin car il n’est pas n\u00e9cessaire d’appliquer la force importante requise par le frittage. Le substrat plus fin r\u00e9duit consid\u00e9rablement la r\u00e9sistance thermique, ce qui favorise le transfert de chaleur vers le dissipateur thermique.<\/p>\n

Deuxi\u00e8mement, la pression plus faible requise pour ce processus signifie que les contraintes de fabrication sur les matrices sont moindres. Cela r\u00e9duit le risque de d\u00e9faillance des dispositifs, un facteur particuli\u00e8rement int\u00e9ressant pour le secteur de l’automobile pour lesquelles la fiabilit\u00e9 est essentielle.<\/p>\n

La couche ultramince de qAttach n’est pas une feuille laminaire. Elle poss\u00e8de une g\u00e9om\u00e9trie exclusive qui limite l’expansion principalement dans l’axe Z, perpendiculaire \u00e0 la couche qAttach. Cela signifie qu’il n’y a pas de d\u00e9lamination de la couche de fixation par rapport \u00e0 la matrice et au substrat, qui constitue un probl\u00e8me majeur avec les m\u00e9thodes de fixation actuelles. En effet, la feuille continue conventionnelle de l’approche fritt\u00e9e a une dilatation thermique environ sept fois sup\u00e9rieure \u00e0 celle de la matrice et environ trois fois sup\u00e9rieure \u00e0 celle du substrat AlN.<\/p>\n

Ces diff\u00e9rents taux de dilatation cr\u00e9ent des contraintes consid\u00e9rables sur la longueur d’une grande matrice de puissance, ce qui peut entra\u00eener la rupture de la structure sous l’effet de la chaleur. Cette d\u00e9lamination est la principale cause de d\u00e9faillance des bo\u00eetiers de puissance. Cette nouvelle approche permet donc d’am\u00e9liorer la fiabilit\u00e9 du dispositif assembl\u00e9.<\/p>\n

\u00ab\u00a0qAttach est une solution universelle pour r\u00e9soudre le probl\u00e8me croissant de l’\u00e9limination de la chaleur r\u00e9siduelle qui, autrement, freinerait le d\u00e9veloppement de l’\u00e9lectronique de puissance de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 M. Gwynne, \u00ab\u00a0La capacit\u00e9 de qAttach \u00e0 am\u00e9liorer jusqu’\u00e0 15 fois le transfert de chaleur hors de la matrice peut \u00e9galement \u00eatre utilis\u00e9e pour r\u00e9soudre le probl\u00e8me de l’\u00e9limination de la chaleur r\u00e9siduelle de presque tous les autres types de transistors, tels que le SiC, afin de leur permettre de g\u00e9rer des charges de puissance plus \u00e9lev\u00e9es qu’ils ne peuvent le faire actuellement. Quelques grandes multinationales sont d\u00e9j\u00e0 int\u00e9ress\u00e9es par l’octroi d’une licence pour ce proc\u00e9d\u00e9, car elles per\u00e7oivent les avantages strat\u00e9giques que cette innovation apporterait \u00e0 leurs lignes de produits.<\/p>\n

www.q-p-t.com<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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