Infineon a r\u00e9duit de moiti\u00e9 l’\u00e9paisseur de ses wafers de puissance en silicium, la ramenant \u00e0 20 \u00b5m, ce qui a permis de r\u00e9duire la r\u00e9sistance \u00e0 l’enclenchement RDS-on de 40 % et les pertes de puissance globales de 15 %.<\/p>\n
\u00ab\u00a0Il s’agit d’une avanc\u00e9e technologique importante de la part d’Infineon, le wafer de puissance le plus fin avec une \u00e9paisseur stup\u00e9fiante de 20 microns\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Adam White, r\u00e9sident de la division des syst\u00e8mes de puissance et de capteurs d’Infineon. \u00ab\u00a0Cela permet de r\u00e9duire la r\u00e9sistance du substrat de la plaquette de 50 % et les pertes de puissance de 15 %. En r\u00e9duisant l’\u00e9paisseur de la plaquette, vous obtenez des pertes de puissance r\u00e9duites dans le syst\u00e8me.<\/p>\n
Le processus, d\u00e9velopp\u00e9 \u00e0 Villach en Autriche, sera utilis\u00e9 pour les composantys 12V pour la conversion d’\u00e9nergie locale pour la prochaine g\u00e9n\u00e9ration de GPU, TPU et CPU d’IA. Ces composants n\u00e9cessitent des courants \u00e9lev\u00e9s de 1 000 \u00e0 2 000 A \u00e0 des tensions de 0,8 V \u00e0 partir d’un rail d’alimentation de 5 V, 12 V ou 48 V, et il existe de multiples topologies pour y parvenir, explique M. White.<\/p>\n
\u00ab\u00a0Pour les transistors de 10 \u00e0 12 V, cela permet de r\u00e9duire le RDSon de 40 %, ce qui est in\u00e9gal\u00e9, et nous pensons donc que l’industrie s’int\u00e9ressera beaucoup aux transistors de 40 V et moins. Nous avons d\u00e9j\u00e0 pris contact avec des clients dans le domaine de l’intelligence artificielle. Parmi les autres applications, citons les produits grand public, la commande de moteurs et l’informatique.<\/p>\n
Infineon opens \u20ac2bn Kulim power fab<\/a><\/p><\/blockquote>\n