Avec la production \u00e0 Dallas, au Texas, cela quadruplera la capacit\u00e9 de fabrication GaN de TI et lui permettra de r\u00e9duire sa d\u00e9pendance \u00e0 l’\u00e9gard de l’approvisionnement externalis\u00e9. TI a d\u00e9clar\u00e9 qu’elle pr\u00e9voyait de pouvoir fabriquer 95 % de ses puces GaN en interne d’ici \u00e0 2030.<\/p>\n
TI dispose d’un processus de fabrication propri\u00e9taire de GaN-on-Si et a port\u00e9 la fabrication de composants de puissance GaN sur des wafers de 300 mm, bien qu’\u00e0 Aizu la production se fasse sur des plaquettes de 200 mm de diam\u00e8tre. Les processus \u00e9largis de fabrication de GaN de TI sont transf\u00e9rables \u00e0 la technologie 300 mm, ce qui permet \u00e0 l’entreprise de passer \u00e0 la technologie 300 mm \u00e0 l’avenir.<\/p>\n
Infineon shows its first 300m GaN wafer<\/a><\/p><\/blockquote>\n