Tout en r\u00e9pondant aux besoins des march\u00e9s automobile et industriel, la nouvelle technologie est particuli\u00e8rement optimis\u00e9e pour les onduleurs de traction, l’\u00e9l\u00e9ment cl\u00e9 des groupes motopropulseurs des v\u00e9hicules \u00e9lectriques. L’entreprise pr\u00e9voit d’introduire d’autres innovations technologiques SiC avanc\u00e9es jusqu’en 2027 dans le cadre de son engagement en faveur de l’innovation.<\/p>\n
Les MOSFET de la g\u00e9n\u00e9ration 4 pr\u00e9sentent une r\u00e9sistance \u00e0 l’enclenchement – RDS(on) – nettement inf\u00e9rieure \u00e0 celle des g\u00e9n\u00e9rations pr\u00e9c\u00e9dentes, ce qui minimise les pertes par conduction et am\u00e9liore l’efficacit\u00e9 globale du syst\u00e8me. Ils offrent des vitesses de commutation plus rapides, ce qui se traduit par des pertes de commutation plus faibles, cruciales pour les applications \u00e0 haute fr\u00e9quence et permettant des convertisseurs de puissance plus compacts et plus efficaces. La technologie de g\u00e9n\u00e9ration 4 offre une robustesse accrue dans les conditions de polarisation inverse dynamique (DRB), d\u00e9passant la norme automobile AQG324, ce qui garantit un fonctionnement fiable dans des conditions difficiles.<\/p>\n
Avec la G\u00e9n\u00e9ration 4, ST continue d’offrir un chiffre de m\u00e9rite RDS(on) x surface de la puce exceptionnel afin de garantir une capacit\u00e9 de traitement de courant \u00e9lev\u00e9e avec des pertes minimales. La taille moyenne des composants de la g\u00e9n\u00e9ration 4 est inf\u00e9rieure de 12 \u00e0 15 % \u00e0 celle des composants de la g\u00e9n\u00e9ration 3, si l’on consid\u00e8re un RDS(on) \u00e0 25 degr\u00e9s Celsius, ce qui permet de concevoir des convertisseurs de puissance plus compacts, d’\u00e9conomiser de l’espace et de r\u00e9duire les co\u00fbts des syst\u00e8mes.<\/p>\n
Les nouveaux dispositifs MOSFET SiC, qui seront disponibles dans les classes 750-V et 1200-V, am\u00e9lioreront l’efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique et les performances des onduleurs de traction de bus EV 400-V et 800-V, apportant les avantages du SiC aux EV de taille moyenne et compacts – des segments cl\u00e9s pour aider \u00e0 l’adoption du march\u00e9 de masse. La nouvelle g\u00e9n\u00e9ration de technologie SiC convient \u00e9galement \u00e0 une vari\u00e9t\u00e9 d’applications industrielles de haute puissance, notamment les onduleurs solaires, les solutions de stockage d’\u00e9nergie et les centres de donn\u00e9es, am\u00e9liorant ainsi de mani\u00e8re significative l’efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique de ces applications en plein essor.<\/p>\n
ST a achev\u00e9 la qualification de la classe 750-V de la plate-forme technologique SiC de quatri\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration et pr\u00e9voit d’achever la qualification de la classe 1200-V au cours du premier trimestre 2025. La disponibilit\u00e9 commerciale de dispositifs pr\u00e9sentant des tensions nominales de 750 V et 1200 V suivra, ce qui permettra aux concepteurs de traiter des applications fonctionnant \u00e0 partir de tensions de ligne CA standard jusqu’\u00e0 des batteries et chargeurs de VE \u00e0 haute tension.<\/p>\n
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Les MOSFET SiC de g\u00e9n\u00e9ration 4 offrent un rendement plus \u00e9lev\u00e9, des composants plus petits, un poids r\u00e9duit et une autonomie accrue par rapport aux produits \u00e0 base de silicium. Ces avantages sont essentiels \u00e0 l’adoption g\u00e9n\u00e9ralis\u00e9e des VE et les principaux fabricants de VE se sont engag\u00e9s avec ST \u00e0 introduire la technologie SiC de g\u00e9n\u00e9ration 4 dans leurs v\u00e9hicules, afin d’en am\u00e9liorer les performances et l’efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique. Si les onduleurs de traction des v\u00e9hicules \u00e9lectriques constituent la principale application, les MOSFET SiC de g\u00e9n\u00e9ration 4 peuvent \u00e9galement \u00eatre utilis\u00e9s dans les commandes de moteurs industriels de forte puissance, b\u00e9n\u00e9ficiant ainsi de l’am\u00e9lioration des performances de commutation et de la robustesse des dispositifs. Il en r\u00e9sulte une commande de moteur plus efficace et plus fiable, r\u00e9duisant la consommation d’\u00e9nergie et les co\u00fbts d’exploitation dans les environnements industriels. Dans les applications d’\u00e9nergie renouvelable, les MOSFET SiC de g\u00e9n\u00e9ration 4 am\u00e9liorent l’efficacit\u00e9 des onduleurs solaires et des syst\u00e8mes de stockage d’\u00e9nergie, contribuant ainsi \u00e0 des solutions \u00e9nerg\u00e9tiques plus durables et plus rentables. En outre, ces MOSFET SiC peuvent \u00eatre utilis\u00e9s dans les unit\u00e9s d’alimentation des centres de donn\u00e9es des serveurs pour l’IA, o\u00f9 leur haut rendement et leur taille compacte sont cruciaux pour les demandes de puissance importantes et les d\u00e9fis de gestion thermique.<\/p>\n
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Pour acc\u00e9l\u00e9rer le d\u00e9veloppement des dispositifs de puissance SiC gr\u00e2ce \u00e0 sa strat\u00e9gie de fabrication verticalement int\u00e9gr\u00e9e, ST met au point plusieurs innovations technologiques SiC en parall\u00e8le pour faire progresser les technologies des dispositifs de puissance au cours des trois prochaines ann\u00e9es. La cinqui\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration de dispositifs de puissance SiC de ST sera dot\u00e9e d’une technologie innovante de densit\u00e9 de puissance \u00e9lev\u00e9e bas\u00e9e sur une structure planaire. Dans le m\u00eame temps, ST d\u00e9veloppe une innovation radicale qui promet une valeur de r\u00e9sistance \u00e0 l’enclenchement RDS(on) exceptionnelle \u00e0 haute temp\u00e9rature et une r\u00e9duction suppl\u00e9mentaire de RDS(on) par rapport aux technologies SiC existantes.<\/p>\n
\u00ab\u00a0STMicroelectronics s’engage \u00e0 faire \u00e9voluer la mobilit\u00e9 \u00e9lectrique et l’efficacit\u00e9 industrielle gr\u00e2ce \u00e0 sa technologie de pointe en carbure de silicium. Nous continuons \u00e0 faire progresser la technologie SiC MOSFET avec des innovations au niveau des composants, des bo\u00eetiers avanc\u00e9s et des modules de puissance \u00ab\u00a0, d\u00e9clare Marco Cassis, Pr\u00e9sident de la division Analogique, Puissance et Discr\u00e8te, MEMS et Capteurs de STMicroelectronics. \u00ab\u00a0Avec notre strat\u00e9gie de fabrication int\u00e9gr\u00e9e verticalement, nous offrons des performances technologiques SiC de premier plan et une cha\u00eene d’approvisionnement r\u00e9siliente pour r\u00e9pondre aux besoins croissants de nos clients et contribuer \u00e0 un avenir plus durable.\u00a0\u00bb <\/p>\n
En tant que leader du march\u00e9 des MOSFET de puissance SiC, ST poursuit l’innovation afin d’exploiter le rendement sup\u00e9rieur et la densit\u00e9 de puissance plus importante du SiC par rapport aux dispositifs en silicium. Cette derni\u00e8re g\u00e9n\u00e9ration de dispositifs SiC est con\u00e7ue pour b\u00e9n\u00e9ficier aux futures plates-formes d’inverseurs de traction pour VE, avec de nouvelles avanc\u00e9es en termes de taille et de potentiel d’\u00e9conomie d’\u00e9nergie. Alors que le march\u00e9 des v\u00e9hicules \u00e9lectriques continue de cro\u00eetre, il reste des d\u00e9fis \u00e0 relever pour parvenir \u00e0 une adoption g\u00e9n\u00e9ralis\u00e9e et les constructeurs automobiles cherchent \u00e0 proposer des voitures \u00e9lectriques plus abordables. Les syst\u00e8mes d’entra\u00eenement de bus 800 V bas\u00e9s sur le SiC ont permis une recharge plus rapide et une r\u00e9duction du poids des v\u00e9hicules \u00e9lectriques, ce qui permet aux constructeurs automobiles de produire des v\u00e9hicules avec une plus grande autonomie pour les mod\u00e8les haut de gamme.<\/p>\n