Cette perc\u00e9e contribuera \u00e0 stimuler consid\u00e9rablement le march\u00e9 des semi-conducteurs de puissance \u00e0 base de GaN. La production de puces sur des plaquettes de 300 mm est technologiquement plus avanc\u00e9e et nettement plus efficace que sur des plaquettes de 200 mm, puisque le diam\u00e8tre plus grand des plaquettes permet de produire 2,3 fois plus de puces par plaquette.<\/p>\n
Les semi-conducteurs de puissance \u00e0 base de GaN sont rapidement adopt\u00e9s dans les applications industrielles, automobiles, grand public, informatiques et de communication, y compris les alimentations pour les syst\u00e8mes d’intelligence artificielle, les onduleurs solaires, les chargeurs et les adaptateurs, et les syst\u00e8mes de commande de moteur. Les processus de fabrication de pointe du GaN permettent d’am\u00e9liorer les performances des composants, ce qui se traduit par des avantages pour les applications finales, car ils permettent d’am\u00e9liorer l’efficacit\u00e9, de r\u00e9duire la taille et le poids, et de diminuer le co\u00fbt global. En outre, la fabrication en 300 mm garantit une stabilit\u00e9 sup\u00e9rieure de l’approvisionnement des clients gr\u00e2ce \u00e0 l’\u00e9volutivit\u00e9.<\/p>\n
\u00ab\u00a0Ce succ\u00e8s remarquable est le r\u00e9sultat de notre force d’innovation et du travail d\u00e9vou\u00e9 de notre \u00e9quipe mondiale pour d\u00e9montrer notre position de leader de l’innovation dans le domaine du GaN et des syst\u00e8mes de puissance\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Jochen Hanebeck, PDG d’Infineon Technologies AG. \u00ab\u00a0Cette avanc\u00e9e technologique changera la donne dans l’industrie et nous permettra de lib\u00e9rer tout le potentiel du nitrure de gallium. Pr\u00e8s d’un an apr\u00e8s l’acquisition de GaN Systems, nous d\u00e9montrons une fois de plus que nous sommes d\u00e9termin\u00e9s \u00e0 \u00eatre un leader sur le march\u00e9 en forte croissance du GaN. En tant que leader des syst\u00e8mes de puissance, Infineon ma\u00eetrise les trois mat\u00e9riaux concern\u00e9s : le silicium, le carbure de silicium et le nitrure de gallium\u00a0\u00bb.<\/p>\n
Infineon a r\u00e9ussi \u00e0 fabriquer des wafers de GaN de 300 mm sur une ligne pilote int\u00e9gr\u00e9e \u00e0 la production existante de silicium de 300 mm dans son usine de production de composants de puissance de Villach (Autriche), et tire parti de ses comp\u00e9tences bien \u00e9tablies dans la production existante de silicium de 300 mm et de GaN de 200 mm. Infineon continuera d’augmenter la capacit\u00e9 de production de GaN en fonction des besoins du march\u00e9.<\/p>\n