{"id":459603,"date":"2024-09-03T10:00:52","date_gmt":"2024-09-03T08:00:52","guid":{"rendered":"https:\/\/www.ecinews.fr\/?p=459603"},"modified":"2024-09-02T18:31:25","modified_gmt":"2024-09-02T16:31:25","slug":"mosfet-de-puissance-pour-des-applications-hautes-temperatures","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/mosfet-de-puissance-pour-des-applications-hautes-temperatures\/","title":{"rendered":"MOSFET de puissance pour des applications hautes temp\u00e9ratures"},"content":{"rendered":"

Les MOSFETs haute performance de puissance de la s\u00e9rie E de Vishay, mod\u00e8le SIHD180N60ET4-GE3, disponibles chez Rutronik, se caract\u00e9risent par leur faible r\u00e9sistance \u00e0 l\u2019\u00e9tat passant drain-source (RDS(on)) de 0,17 \u03a9, ainsi qu\u2019une faible capacit\u00e9 d\u2019entr\u00e9e (CISS) de 1 080 pF et des pertes de commutation et de puissance r\u00e9duites.<\/h3>\n

Les composants sont robustes et adapt\u00e9s aux applications \u00e0 haute temp\u00e9rature de fonctionnement dans les secteurs industriel, de l\u2019alimentation \u00e9lectrique, des \u00e9nergies renouvelables, de l\u2019\u00e9clairage et des t\u00e9l\u00e9communications, entre autres.<\/p>\n

Les composants int\u00e8grent la technologie de la 4\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration des MOSFETs de puissance de la s\u00e9rie E de Vishay. Ils se distinguent \u00e9galement par une faible capacit\u00e9 de sortie effective de 39 pF et un faible facteur de m\u00e9rite (FOM) Ron x Qg.<\/p>\n

Les composants sont particuli\u00e8rement adapt\u00e9s aux applications \u00e0 haute temp\u00e9rature, telles que les alimentations \u00e0 d\u00e9coupage, les chargeurs de batterie, les onduleurs photovolta\u00efques ou les lampes fluorescentes avec ballasts.<\/p>\n

Ils sont sans plomb et conformes \u00e0 la directive RoHS.<\/p>\n

Caract\u00e9ristiques<\/strong> :<\/p>\n