{"id":454892,"date":"2024-06-30T19:58:26","date_gmt":"2024-06-30T17:58:26","guid":{"rendered":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/?p=454892"},"modified":"2024-06-30T19:58:26","modified_gmt":"2024-06-30T17:58:26","slug":"184-millions-deuros-pour-le-gan-et-le-sic-de-200-mm-a-hambourg","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/184-millions-deuros-pour-le-gan-et-le-sic-de-200-mm-a-hambourg\/","title":{"rendered":"184 millions d’Euros pour le GaN et le SiC de 200 mm \u00e0 Hambourg"},"content":{"rendered":"

Nexperia va investir 184 millions d’euros sur son site de Hambourg, afin de stimuler la R&D et le d\u00e9veloppement de proc\u00e9d\u00e9s pour les technologies de puissance \u00e0 base de nitrure de gallium (GaN) et de carbure de silicium (SiC) utilisant des plaquettes de 200 mm.<\/span><\/h3>\n

Dans le m\u00eame temps, Nexperia pr\u00e9voit d’augmenter la capacit\u00e9 de production de tranches de silicium de 200 mm pour les diodes et les transistors de puissance discrets \u00e9galement \u00e0 Hambourg.\u00a0Les trois technologies (SiC, GaN et Si) seront d\u00e9velopp\u00e9es et produites en Allemagne \u00e0 partir pour l’alimentation des centres de donn\u00e9es. Les premi\u00e8res lignes de production de transistors \u00e0 mode D en GaN \u00e0 haute tension et de diodes en SiC viennent de d\u00e9marrer.<\/p>\n

Nexperia avait d\u00e9j\u00e0 annonc\u00e9 un investissement important dans des r\u00e9acteurs GaN pour Hambourg en 2021, dans le cadre d’un programme de 700 millions de dollars.<\/p>\n

 <\/p>\n

La prochaine \u00e9tape sera la mise en place dans l’usine de Hambourg, au cours des deux prochaines ann\u00e9es, de lignes de production modernes et rentables de 200 mm pour les MOSFET SiC et les HEMT GaN. ST, Infineon Wolfspeed, Mitsubishi et onsemi se concentrent tous sur la production de plaquettes de SiC de 200 mm et de dispositifs de puissance.<\/p>\n

Parall\u00e8lement, l’investissement de Nexperia, dont le si\u00e8ge est aux Pays-Bas mais qui appartient \u00e0 Wingtech Chine<\/a>, permettra de poursuivre l’automatisation de l’infrastructure existante sur le site de Hambourg et d’accro\u00eetre la capacit\u00e9 de production de silicium en passant syst\u00e9matiquement \u00e0 des plaquettes de 200 mm. Apr\u00e8s l’agrandissement des salles blanches, de nouveaux laboratoires de R&D sont en cours de construction afin de continuer \u00e0 assurer une transition douce de la recherche \u00e0 la production.<\/p>\n

\u00ab\u00a0Cet investissement renforce notre position en tant que fournisseur de premier plan de semiconducteurs \u00e0 haut rendement \u00e9nerg\u00e9tique et nous permet d’utiliser l’\u00e9nergie \u00e9lectrique disponible de mani\u00e8re plus responsable\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Achim Kempe, directeur de l’exploitation et directeur g\u00e9n\u00e9ral de Nexperia Allemagne.<\/p>\n

\u00ab\u00a0\u00c0 l’avenir, notre usine de Hambourg couvrira la gamme compl\u00e8te des semi-conducteurs de WBG tout en restant la plus grande usine de diodes et de transistors pour petits signaux. Nous restons fid\u00e8les \u00e0 notre strat\u00e9gie qui consiste \u00e0 produire des semi-conducteurs de haute qualit\u00e9 et rentables pour les applications standard et les applications \u00e0 forte consommation d’\u00e9nergie, tout en relevant l’un des plus grands d\u00e9fis de notre g\u00e9n\u00e9ration : r\u00e9pondre \u00e0 la demande croissante d’\u00e9nergie tout en r\u00e9duisant l’empreinte \u00e9cologique\u00a0\u00bb.<\/p>\n

Nexperia travaille en \u00e9troite collaboration avec des universit\u00e9s et des instituts de recherche afin de b\u00e9n\u00e9ficier de l’expertise de chacun et de promouvoir la formation d’employ\u00e9s hautement qualifi\u00e9s. Elle s’appuie sur un solide \u00e9cosyst\u00e8me de recherche et de d\u00e9veloppement \u00e0 Hambourg et sur le programme d’affiliation industrielle (IIAP) du centre de recherche en nano\u00e9lectronique de l’imec en Belgique.<\/p>\n

\u00ab\u00a0L’investissement pr\u00e9vu nous permet d’implanter \u00e0 Hambourg la conception et la production des puces WBG. Cependant, le SiC et le GaN ne sont en aucun cas des nouveaux domaines\u00a0 pour Nexperia. Les FET GaN font partie de notre portefeuille depuis 2019 et, en 2023, nous avons \u00e9largi notre gamme de produits aux diodes SiC et aux MOSFET SiC, ces derniers en collaboration avec Mitsubishi Electric. Nexperia est l’un des rares fournisseurs \u00e0 proposer une gamme compl\u00e8te de technologies de semi-conducteurs, y compris Si, SiC et GaN en mode e et d. Cela signifie que nous offrons \u00e0 nos clients un portefeuille unique pour tous leurs besoins en mati\u00e8re de semiconducteurs\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Stefan Tilger, directeur financier et directeur g\u00e9n\u00e9ral de Nexperia Allemagne.<\/p>\n

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