{"id":453331,"date":"2024-06-11T09:30:48","date_gmt":"2024-06-11T07:30:48","guid":{"rendered":"https:\/\/www.ecinews.fr\/?p=453331"},"modified":"2024-06-10T19:06:32","modified_gmt":"2024-06-10T17:06:32","slug":"solution-dalimentation-complete-pour-ameliorer-lefficacite-energetique-des-centres-de-donnees","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/solution-dalimentation-complete-pour-ameliorer-lefficacite-energetique-des-centres-de-donnees\/","title":{"rendered":"Solution d&rsquo;alimentation compl\u00e8te pour am\u00e9liorer l&rsquo;efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique des centres de donn\u00e9es"},"content":{"rendered":"<p><strong>Avec l\u2019augmentation de la demande en puissance de calcul pour g\u00e9rer les t\u00e2ches de l\u2019intelligence artificielle (IA), les centres de donn\u00e9es sont devenus particuli\u00e8rement \u00e9nergivores. Par cons\u00e9quent, il est essentiel de renforcer l\u2019efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique des data centers.<\/strong><\/p>\n<p>La combinaison des produits de derni\u00e8re g\u00e9n\u00e9ration T10 PowerTrench et EliteSiC 650V MOSFETs d\u2019onsemi se pr\u00e9sente comme une solution qui offre un rendement in\u00e9gal\u00e9 et des performances thermiques sup\u00e9rieures avec une empreinte carbone r\u00e9duite pour les applications de data centers.<\/p>\n<p>Une requ\u00eate assist\u00e9e par l\u2019IA exige dix fois plus de puissance qu\u2019une requ\u00eate classique sur un moteur de recherche. Par cons\u00e9quent, la consommation \u00e9nerg\u00e9tique des data centers est la premi\u00e8re impact\u00e9e et devrait atteindre 1000 TWh (TerraWatt par heure) dans le monde d\u2019ici deux ans.<\/p>\n<p>Pour traiter une requ\u00eate assist\u00e9e par l\u2019IA, l\u2019\u00e9nergie est convertie en quatre \u00e9tapes entre le r\u00e9seau et le processeur, ce qui provoque une perte d\u2019\u00e9nergie d\u2019environ 12%. Gr\u00e2ce \u00e0 la gamme T10 PowerTrench et la solution EliteSiC 650V, les data centers sont en mesure de r\u00e9duire leurs consommations \u00e9nerg\u00e9tiques de 1%. Appliqu\u00e9es \u00e0 l\u2019ensemble des data centers, cette approche r\u00e9duirait de 10 TWh la consommation d\u2019\u00e9nergie annuelle, soit l\u2019\u00e9quivalent de l\u2019\u00e9nergie n\u00e9cessaire pour alimenter un million de maison par an.<\/p>\n<p><strong>Le transistor MOSFET<\/strong> <strong>EliteSiC 650V<\/strong> fournit des performances de commutation sup\u00e9rieures et ses capacit\u00e9s parasites sont plus faibles, am\u00e9liorant ainsi le rendement global des data centers et des syst\u00e8mes de stockage d&rsquo;\u00e9nergie. Compar\u00e9s \u00e0 la g\u00e9n\u00e9ration pr\u00e9c\u00e9dente, les nouveaux MOSFET en carbure de silicium (SiC) ont r\u00e9duit de moiti\u00e9 la charge de grille et diminu\u00e9 de 44% l&rsquo;\u00e9nergie stock\u00e9e dans la capacitance de sortie (Eoss) et la charge de sortie (Qoss). L&rsquo;absence de courant de trainage \u00e0 l&rsquo;arr\u00eat et les performances sup\u00e9rieures obtenues \u00e0 des temp\u00e9ratures \u00e9lev\u00e9es permettent de r\u00e9duire consid\u00e9rablement les pertes de commutation par rapport aux MOSFET superjonction (SJ). Cela permet aux clients de r\u00e9duire la taille des composants de leur syst\u00e8me tout en augmentant la fr\u00e9quence de d\u00e9coupage.<\/p>\n<p><strong>La gamme T10 PowerTrench<\/strong> est capable de g\u00e9rer des courants \u00e9lev\u00e9s tout en offrant une densit\u00e9 de puissance accrue et des performances thermiques sup\u00e9rieures. Cela repr\u00e9sente un point essentiel pour les \u00e9tages de conversion de puissance DC-DC. Ces performances sont obtenues gr\u00e2ce \u00e0 la structure dite \u00ab\u00a0Shielded Trench Gate\u00a0\u00bb. Qui est permet d\u2019obtenir d\u2019une charge de grille tr\u00e8s faible et d\u2019une r\u00e9sistance inf\u00e9rieure \u00e0 1 milliohm. De plus, la diode de structure ayant un recouvrement inverse plut\u00f4t lent et de faible amplitude minimisent efficacement les oscillations, les surtensions et le bruit \u00e9lectromagn\u00e9tique pour garantir des performances, une fiabilit\u00e9 et une robustesse optimales dans tous les cas de fonctionnement. La gamme T10 PowerTrench est \u00e9galement disponible pour les applications automobiles avec une qualification sp\u00e9cifique.<\/p>\n<p>La solution propos\u00e9e r\u00e9pond \u00e0 la sp\u00e9cification stricte Open Rack V3 (ORV3) exig\u00e9e par les op\u00e9rateurs internet pour prendre en charge la prochaine g\u00e9n\u00e9ration de processeurs haute performance.<\/p>\n<p><em>\u00ab L&rsquo;IA et l&rsquo;\u00e9lectrification refa\u00e7onnent notre monde et font exploser la demande d&rsquo;\u00e9nergie. Innover dans les semi-conducteurs de puissance et trouver des solutions moins \u00e9nergivores est essentiel pour suivre ces tendances globales et technologiques. C&rsquo;est la seule mani\u00e8re d\u2019anticiper l&rsquo;avenir des data centers de mani\u00e8re responsable et durable. \u00bb,<\/em> <strong>a d\u00e9clar\u00e9 Simon Keeton, pr\u00e9sident du groupe Power Solutions Group d&rsquo;onsemi<\/strong>. <em>\u00ab Notre derni\u00e8re solution peut significativement att\u00e9nuer les pertes de puissance caus\u00e9es par le processus de conversion de l&rsquo;\u00e9nergie et profond\u00e9ment impacter la prochaine g\u00e9n\u00e9ration de data centers. \u00bb<\/em><\/p>\n<p><a href=\"https:\/\/services.hosting.augure.com\/Response\/cQqkJ\/%7be10b3142-c5e3-4c7f-9932-c7e0fc637061%7d\">onsemi<\/a><\/p>\n<p><a href=\"https:\/\/news.google.com\/publications\/CAAqBwgKMJbcwQswuPfYAw?hl=fr&amp;gl=BE&amp;ceid=BE:fr\">Suivre ECInews sur Google news<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Avec l\u2019augmentation de la demande en puissance de calcul pour g\u00e9rer les t\u00e2ches de l\u2019intelligence artificielle (IA), les centres de donn\u00e9es sont devenus particuli\u00e8rement \u00e9nergivores. 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